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Image: RBR3MM40A RBR3MM40A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准包装代码sod-123fl套餐（jeita）SC-109b包装尺寸[mm]3.5x1.6（t = 0.8）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.62中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.08vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR3MM30A RBR3MM30A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准包装代码sod-123fl套餐（jeita）SC-109b包装尺寸[mm]3.5x1.6（t = 0.8）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.51中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.1vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR3LAM60B RBR3LAM60B Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准包装代码sod-128包装尺寸[mm]4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]75.0正向电压VF（最大）[V]0.56中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.15vr @反向电流[V]60储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR3LAM60A RBR3LAM60A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准包装代码sod-128包装尺寸[mm]4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]45.0正向电压VF（最大）[V]0.66中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.1vr @反向电流[V]60储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR3LAM40C RBR3LAM40C Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准包装代码sod-128包装尺寸[mm]4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]75.0正向电压VF（最大）[V]0.55中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.1vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR3LAM40B RBR3LAM40B Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准包装代码sod-128包装尺寸[mm]4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]45.0正向电压VF（最大）[V]0.62中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.08vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55
Image: RBR3LAM40A RBR3LAM40A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准包装代码sod-128包装尺寸[mm]4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]40.0正向电压VF（最大）[V]0.69中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.05vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR3LAM30B RBR3LAM30B Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准包装代码sod-128包装尺寸[mm]4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]45.0正向电压VF（最大）[V]0.53中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.08vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR3LAM30A RBR3LAM30A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准包装代码sod-128包装尺寸[mm]4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]40.0正向电压VF（最大）[V]0.58中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.05vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR3L60BDD RBR3L60BDD Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码DO-214ac（sma）包装尺寸[mm]5.0x2.6（t = 2.0）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]50.0正向电压VF（最大）[V]0.56中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.15vr @反向电流[V]60储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR3L60ADD RBR3L60ADD Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码DO-214ac（sma）包装尺寸[mm]5.0x2.6（t = 2.0）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]40.0正向电压VF（最大）[V]0.66中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.1vr @反向电流[V]60储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR3L40CDD RBR3L40CDD Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码DO-214ac（sma）包装尺寸[mm]5.0x2.6（t = 2.0）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]50.0正向电压VF（最大）[V]0.55中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.1vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR3L40BDD RBR3L40BDD Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码DO-214ac（sma）包装尺寸[mm]5.0x2.6（t = 2.0）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]40.0正向电压VF（最大）[V]0.62中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.08vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR3L40ADD RBR3L40ADD Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码DO-214ac（sma）包装尺寸[mm]5.0x2.6（t = 2.0）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.69中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.05vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR3L30BDD RBR3L30BDD Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码DO-214ac（sma）包装尺寸[mm]5.0x2.6（t = 2.0）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]40.0正向电压VF（最大）[V]0.53中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.08vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR30T60ANZ RBR30T60ANZ Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准包装代码ito-220ab包装尺寸[mm]10.0x15.0（t = 4.5）安装方式引线式端子数3vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.68中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.6vr @反向电流[V]60储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR30T40ANZ RBR30T40ANZ Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级标准包装代码ito-220ab包装尺寸[mm]10.0x15.0（t = 4.5）安装方式引线式端子数3vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.62中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.36vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR30T30ANZ RBR30T30ANZ Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级标准包装代码ito-220ab包装尺寸[mm]10.0x15.0（t = 4.5）安装方式引线式端子数3vrM [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.55中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.3vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR30NS60AFH RBR30NS60AFH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.67中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.6vr @反向电流[V]60储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR30NS60A RBR30NS60A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级标准包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.67中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.6vr @反向电流[V]60储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150

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