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Image: RSX301LAM30TF RSX301LAM30TF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码sod-128包装尺寸[mm]4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.42中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.09vr @反向电流[V]15储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RSX205LAM30TF RSX205LAM30TF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码sod-128包装尺寸[mm]4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2vrM [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]2.0ifsm [A]60.0正向电压VF（最大）[V]0.49中频@正向电压[A]2.0反向电流IR（最大值）[mA]0.2vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RSX201VYM30FH RSX201VYM30FH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码sod-323he套餐（jeita）SC-108b包装尺寸[mm]2.5x1.4（t = 0.6）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]1.0ifsm [A]8.0正向电压VF（最大）[V]0.42中频@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大值）[mA]0.06vr @反向电流[V]5储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]125
Image: RSX201LAM30TF RSX201LAM30TF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码sod-128包装尺寸[mm]4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]2.0ifsm [A]60.0正向电压VF（最大）[V]0.44中频@正向电压[A]2.0反向电流IR（最大值）[mA]0.15vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RSX101VYM30FH RSX101VYM30FH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码sod-323he套餐（jeita）SC-108b包装尺寸[mm]2.5x1.4（t = 0.6）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]1.0ifsm [A]5.0正向电压VF（最大）[V]0.42中频@正向电压[A]0.7反向电流IR（最大值）[mA]0.04vr @反向电流[V]5储存温度（最低）[°C]-40储存温度（最高）[°C]150
Image: RSX101MM-30TF RSX101MM-30TF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码sod-123fl套餐（jeita）SC-109b包装尺寸[mm]3.5x1.6（t = 0.8）安装方式表面贴装端子数2vrM [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]1.0ifsm [A]45.0正向电压VF（最大）[V]0.39中频@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大值）[mA]0.2vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-40储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR5LAM60ATF RBR5LAM60ATF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码sod-128包装尺寸[mm]4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]5.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.55中频@正向电压[A]5.0反向电流IR（最大值）[mA]0.25vr @反向电流[V]60储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR5LAM40ATF RBR5LAM40ATF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码sod-128包装尺寸[mm]4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2vrM [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]5.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.53中频@正向电压[A]5.0反向电流IR（最大值）[mA]0.2vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR5LAM30BTF RBR5LAM30BTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码sod-128包装尺寸[mm]4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]5.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.49中频@正向电压[A]5.0反向电流IR（最大值）[mA]0.15vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR5LAM30ATF RBR5LAM30ATF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码sod-128包装尺寸[mm]4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]5.0ifsm [A]75.0正向电压VF（最大）[V]0.54中频@正向电压[A]5.0反向电流IR（最大值）[mA]0.1vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR5L60ADD RBR5L60ADD Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码DO-214ac（sma）包装尺寸[mm]5.0x2.6（t = 2.0）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]5.0ifsm [A]50.0正向电压VF（最大）[V]0.55中频@正向电压[A]5.0反向电流IR（最大值）[mA]0.25vr @反向电流[V]60储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR5L40ADD RBR5L40ADD Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码DO-214ac（sma）包装尺寸[mm]5.0x2.6（t = 2.0）安装方式表面贴装端子数2vrM [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]5.0ifsm [A]50.0正向电压VF（最大）[V]0.53中频@正向电压[A]5.0反向电流IR（最大值）[mA]0.2vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR5L30BDD RBR5L30BDD Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码DO-214ac（sma）包装尺寸[mm]5.0x2.6（t = 2.0）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]5.0ifsm [A]50.0正向电压VF（最大）[V]0.49中频@正向电压[A]5.0反向电流IR（最大值）[mA]0.15vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR5L30ADD RBR5L30ADD Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码DO-214ac（sma）包装尺寸[mm]5.0x2.6（t = 2.0）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]5.0ifsm [A]50.0正向电压VF（最大）[V]0.54中频@正向电压[A]5.0反向电流IR（最大值）[mA]0.1vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR40NS60AFH RBR40NS60AFH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]40.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.6中频@正向电压[A]20.0反向电流IR（最大值）[mA]0.8vr @反向电流[V]60储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR40NS40AFH RBR40NS40AFH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]40.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.55中频@正向电压[A]20.0反向电流IR（最大值）[mA]0.43vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR40NS30AFH RBR40NS30AFH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrm [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]40.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.52中频@正向电压[A]20.0反向电流IR（最大值）[mA]0.6vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR3MM60BTF RBR3MM60BTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码sod-123fl套餐（jeita）SC-109b包装尺寸[mm]3.5x1.6（t = 0.8）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.61中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.12vr @反向电流[V]60储存温度（最低）[°C]-55
Image: RBR3MM60A RBR3MM60A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准包装代码sod-123fl套餐（jeita）SC-109b包装尺寸[mm]3.5x1.6（t = 0.8）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.66中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.1vr @反向电流[V]60储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR3MM40B RBR3MM40B Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准包装代码sod-123fl套餐（jeita）SC-109b包装尺寸[mm]3.5x1.6（t = 0.8）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.58中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.1vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150

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