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图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: RBR30T30ANZ RBR30T30ANZ Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级标准包装代码ito-220ab包装尺寸[mm]10.0x15.0（t = 4.5）安装方式引线式端子数3vrM [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.55中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.3vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR30NS30AFH RBR30NS30AFH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrM [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.55中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.3vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR30NS30A RBR30NS30A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级标准包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrM [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.55中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.3vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: NCS2632DTBR2G NCS2632DTBR2G ON Semiconductor 半导体 集成电路 - IC audio amplifiers nocap pop-free 3vrms audio line dvr
Image: ISL83070EIBZA-T ISL83070EIBZA-T Intersil Corporation 半导体 集成电路 - IC RS-422/RS-485 interface IC W/anneal 14ld -40+85 3vrs-485TRn1TX/1rx11
Image: ISL83076EIBZA-T ISL83076EIBZA-T Intersil Corporation 半导体 集成电路 - IC RS-422/RS-485 interface IC W/anneal 14ld -40+85 3vrs-485TRN1TX/1rx16
Image: ISL3176EIUZ-T7A ISL3176EIUZ-T7A Intersil Corporation 半导体 集成电路 - IC RS-422/RS-485 interface IC isl3176e iec6100 10ld -40+85 3vrs-485
Image: MAX9727EEP MAX9727EEP Maxim Integrated 集成电路 quad audio line driver with 3vrms output
Image: MAX9727 MAX9727 Maxim Integrated 集成电路 quad audio line driver with 3vrms output
Image: RBR40NS60AFH RBR40NS60AFH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]40.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.6中频@正向电压[A]20.0反向电流IR（最大值）[mA]0.8vr @反向电流[V]60储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR40NS40AFH RBR40NS40AFH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]40.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.55中频@正向电压[A]20.0反向电流IR（最大值）[mA]0.43vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR40NS30AFH RBR40NS30AFH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrm [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]40.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.52中频@正向电压[A]20.0反向电流IR（最大值）[mA]0.6vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR30T60ANZ RBR30T60ANZ Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准包装代码ito-220ab包装尺寸[mm]10.0x15.0（t = 4.5）安装方式引线式端子数3vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.68中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.6vr @反向电流[V]60储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR30T40ANZ RBR30T40ANZ Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级标准包装代码ito-220ab包装尺寸[mm]10.0x15.0（t = 4.5）安装方式引线式端子数3vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.62中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.36vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR30NS60AFH RBR30NS60AFH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.67中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.6vr @反向电流[V]60储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR30NS60A RBR30NS60A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级标准包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.67中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.6vr @反向电流[V]60储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR30NS40AFH RBR30NS40AFH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.62中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.36vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR30NS40A RBR30NS40A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级标准包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.62中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.36vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR10T40ANZ RBR10T40ANZ Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准包装代码ito-220ab包装尺寸[mm]10.0x15.0（t=4.5）安装方式引线端子型号3vrm[V]40反向电压VR[V]40平均整流正向电流IO[A]10.0ifsm[A]50.0正向电压VF（最大）[V]0.62if@正向电压[A]5.0反向电流IR（最大值）[mA]0.12vr@反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBQ30T100ANZ RBQ30T100ANZ Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准包装代码ito-220ab包装尺寸[mm]10.0x15.0（t=4.5）安装方式引线端子型号3vrm[V]100反向电压VR[V]100平均整流正向电流IO[A]30.0ifsm[A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.77if@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.2vr@反向电流[V]100存储温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150

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