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Image: RBR3MM40A RBR3MM40A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准包装代码sod-123fl套餐（jeita）SC-109b包装尺寸[mm]3.5x1.6（t = 0.8）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.62中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.08vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR3LAM40B RBR3LAM40B Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准包装代码sod-128包装尺寸[mm]4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]45.0正向电压VF（最大）[V]0.62中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.08vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55
Image: RBR3LAM30B RBR3LAM30B Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准包装代码sod-128包装尺寸[mm]4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]45.0正向电压VF（最大）[V]0.53中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.08vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR3L40BDD RBR3L40BDD Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码DO-214ac（sma）包装尺寸[mm]5.0x2.6（t = 2.0）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]40.0正向电压VF（最大）[V]0.62中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.08vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR3L30BDD RBR3L30BDD Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码DO-214ac（sma）包装尺寸[mm]5.0x2.6（t = 2.0）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]40.0正向电压VF（最大）[V]0.53中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.08vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBQ10T100ANZ RBQ10T100ANZ Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准组态通用包装代码ito-220ab包装尺寸[mm]10.0x15.0（t = 4.5）安装方式引线式端子数3vrm [V]100反向电压VR [V]100平均整流正向电流IO [A]10.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.77中频@正向电压[A]5.0反向电流IR（最大值）[mA]0.08vr @反向电流[V]100储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBQ10NS100A RBQ10NS100A Rohm Semiconductor 半导体 二极管，整流器 - 阵列 特性： 年级标准组态通用包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrm [V]100反向电压VR [V]100平均整流正向电流IO [A]10.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.77中频@正向电压[A]5.0反向电流IR（最大值）[mA]0.08vr @反向电流[V]100储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150

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