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图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: RBR3LAM40A RBR3LAM40A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准包装代码sod-128包装尺寸[mm]4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]40.0正向电压VF（最大）[V]0.69中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.05vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR3LAM30A RBR3LAM30A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准包装代码sod-128包装尺寸[mm]4.7x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]40.0正向电压VF（最大）[V]0.58中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.05vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR3L40ADD RBR3L40ADD Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码DO-214ac（sma）包装尺寸[mm]5.0x2.6（t = 2.0）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]3.0ifsm [A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.69中频@正向电压[A]3.0反向电流IR（最大值）[mA]0.05vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR2VWM40A RBR2VWM40A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准包装尺寸[mm]1.3x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]2.0ifsm [A]20.0正向电压VF（最大）[V]0.62中频@正向电压[A]2.0反向电流IR（最大值）[mA]0.05vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55
Image: RBR2VWM30A RBR2VWM30A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准包装尺寸[mm]1.3x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]2.0ifsm [A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.53中频@正向电压[A]2.0反向电流IR（最大值）[mA]0.05vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR1VWM30A RBR1VWM30A Rohm Semiconductor 传感器，变送器 温度传感器 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR1MM60A RBR1MM60A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR1MM40A RBR1MM40A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR1MM30A RBR1MM30A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR1LAM60A RBR1LAM60A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR1LAM40A RBR1LAM40A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR1LAM30A RBR1LAM30A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR15BM60A RBR15BM60A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR15BM40A RBR15BM40A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR15BM30A RBR15BM30A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR10T60ANZ RBR10T60ANZ Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150

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