关键词jeita
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图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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RBR30NS60A | Rohm Semiconductor | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 年级标准包装代码TO-263s(d2pak)套餐(jeita)SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1(t = 4.5)安装方式表面贴装端子数3vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF(最大)[V]0.67中频@正向电压[A]15.0反向电流IR(最大值)[mA]0.6vr @反向电流[V]60储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150 | |
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RBR30NS40AFH | Rohm Semiconductor | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)包装代码TO-263s(d2pak)套餐(jeita)SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1(t = 4.5)安装方式表面贴装端子数3vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF(最大)[V]0.62中频@正向电压[A]15.0反向电流IR(最大值)[mA]0.36vr @反向电流[V]40储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150 | |
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RBR30NS40A | Rohm Semiconductor | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 年级标准包装代码TO-263s(d2pak)套餐(jeita)SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1(t = 4.5)安装方式表面贴装端子数3vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF(最大)[V]0.62中频@正向电压[A]15.0反向电流IR(最大值)[mA]0.36vr @反向电流[V]40储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150 | |
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RBR30NS30AFH | Rohm Semiconductor | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)包装代码TO-263s(d2pak)套餐(jeita)SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1(t = 4.5)安装方式表面贴装端子数3vrM [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF(最大)[V]0.55中频@正向电压[A]15.0反向电流IR(最大值)[mA]0.3vr @反向电流[V]30储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150 | |
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RBR30NS30A | Rohm Semiconductor | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 年级标准包装代码TO-263s(d2pak)套餐(jeita)SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1(t = 4.5)安装方式表面贴装端子数3vrM [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF(最大)[V]0.55中频@正向电压[A]15.0反向电流IR(最大值)[mA]0.3vr @反向电流[V]30储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150 | |
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RBR2MM60CTF | Rohm Semiconductor | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 特性: 年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)包装代码sod-123fl套餐(jeita)SC-109b包装尺寸[mm]3.5x1.6(t = 0.8)安装方式表面贴装端子数2vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]2.0ifsm [A]30.0正向电压VF(最大)[V]0.55中频@正向电压[A]2.0反向电流IR(最大值)[mA]0.12vr @反向电流[V]60储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150 | |
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RBR2MM60C | Rohm Semiconductor | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 特性: 年级标准包装代码sod-123fl套餐(jeita)SC-109b包装尺寸[mm]3.5x1.6(t = 0.8)安装方式表面贴装端子数2vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]2.0ifsm [A]30.0正向电压VF(最大)[V]0.55中频@正向电压[A]2.0反向电流IR(最大值)[mA]0.12vr @反向电流[V]60储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150 | |
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RBQ15BM65A | Rohm Semiconductor | 半导体 二极管,整流器 - 阵列 | 年级标准组态通用包装代码TO-252(dpak)套餐(jeita)SC-63包装尺寸[mm]6.6x10.0(t = 2.2)安装方式表面贴装端子数3vrm [V]65反向电压VR [V]65平均整流正向电流IO [A]15.0ifsm [A]100.0正向电压VF(最大)[V]0.63中频@正向电压[A]7.5反向电流IR(最大值)[mA]0.14vr @反向电流[V]65储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150 | |
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RBQ15BM45A | Rohm Semiconductor | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 年级标准组态通用包装代码TO-252(dpak)套餐(jeita)SC-63包装尺寸[mm]6.6x10.0(t = 2.2)安装方式表面贴装端子数3vrm [V]45反向电压VR [V]45平均整流正向电流IO [A]15.0ifsm [A]100.0正向电压VF(最大)[V]0.59中频@正向电压[A]7.5反向电流IR(最大值)[mA]0.14vr @反向电流[V]45储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150 | |
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RBQ10NS100A | Rohm Semiconductor | 半导体 二极管,整流器 - 阵列 | 特性: 年级标准组态通用包装代码TO-263s(d2pak)套餐(jeita)SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1(t = 4.5)安装方式表面贴装端子数3vrm [V]100反向电压VR [V]100平均整流正向电流IO [A]10.0ifsm [A]100.0正向电压VF(最大)[V]0.77中频@正向电压[A]5.0反向电流IR(最大值)[mA]0.08vr @反向电流[V]100储存温度(最低)[°C]-55储存温度(最高)[°C]150 | |
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RBQ10BM45A | Rohm Semiconductor | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 年级标准组态通用包装代码TO-252(dpak)套餐(jeita)SC-63包装尺寸[mm]6.6x10.0(t = 2.2)安装方式表面贴装端子数3vrm [V]45反向电压VR [V]45平均整流正向电流IO [A]10.0ifsm [A]50.0正向电压VF(最大)[V]0.65中频@正向电压[A]5.0反向电流IR(最大值)[mA]0.07vr @反向电流[V]45储存温度(最低)[°C]-40 | |
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RBE2VAM20A | Rohm Semiconductor | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 年级标准组态单包装代码sod-323he套餐(jeita)SC-108b包装尺寸[mm]2.5x1.4(t = 0.6)安装方式表面贴装端子数2vrm [V]30反向电压VR [V]20平均整流正向电流IO [A]2.0ifsm [A]5.0正向电压VF(最大)[V]0.46中频@正向电压[A]2.0反向电流IR(最大值)[mA]0.7vr @反向电流[V]20储存温度(最低)[°C]-40储存温度(最高)[°C]125 | |
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RBE1VAM20A | Rohm Semiconductor | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 特性: 年级标准组态单包装代码sod-323he套餐(jeita)SC-108b包装尺寸[mm]2.5x1.4(t = 0.6)安装方式表面贴装端子数2vrM [V]30反向电压VR [V]20平均整流正向电流IO [A]1.0ifsm [A]3.0正向电压VF(最大)[V]0.53中频@正向电压[A]1.0反向电流IR(最大值)[mA]0.2vr @反向电流[V]20储存温度(最低)[°C]-40储存温度(最高)[°C]125 | |
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RBE1KA20A | Rohm Semiconductor | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 特性: 年级标准组态双线包装代码sot-353t套餐(jeita)SC-113ca包装尺寸[mm]2.0x2.1(t = 0.85)安装方式表面贴装端子数5vrm [V]30反向电压VR [V]20平均整流正向电流IO [A]1.0ifsm [A]3.0正向电压VF(最大)[V]0.43中频@正向电压[A]0.5反向电流IR(最大值)[mA]0.2vr @反向电流[V]20储存温度(最低)[°C]-40储存温度(最高)[°C]125 | |
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RB751VM-40 | Rohm Semiconductor | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 特性: 年级标准组态单包装代码sod-323fl套餐(jeita)SC-90a包装尺寸[mm]2.5x1.25(t = 0.7)安装方式表面贴装端子数2vrm [V]40反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]0.03ifsm [A]0.2正向电压VF(最大)[V]0.37中频@正向电压[A]0.001反向电流IR(最大值)[mA]5.0E-4vr @反向电流[V]30储存温度(最低)[°C]-40储存温度(最高)[°C]150 | |
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RB751SM-40 | Rohm Semiconductor | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 年级标准组态单包装代码sod-523套餐(jeita)SC-79包装尺寸[mm]1.6x0.8(t = 0.6)安装方式表面贴装端子数2vrm [V]40反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]0.03ifsm [A]0.2正向电压VF(最大)[V]0.37中频@正向电压[A]0.001反向电流IR(最大值)[mA]5.0E-4vr @反向电流[V]30储存温度(最低)[°C]-40储存温度(最高)[°C]150 | |
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RB731XN | Rohm Semiconductor | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 特性: 年级标准组态三重线包装代码sot-363套餐(jeita)SC-88包装尺寸[mm]2.0x2.1(t = 0.9)安装方式表面贴装端子数6vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]0.03ifsm [A]0.2正向电压VF(最大)[V]0.37中频@正向电压[A]0.001反向电流IR(最大值)[mA]0.001VR @反向电流[V]10储存温度(最低)[°C]-40储存温度(最高)[°C]125 | |
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SMF9V0TF | Rohm Semiconductor | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 特性: 套餐(jeita)SC-109b包装代码sod-123fl包装尺寸3.5x1.6(t = 0.8)安装方式表面贴装端子数2年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)功耗(PD)[mW]1000p PP @ 10 / 1000us(最大)[W]200组态单保护线数1个V rwm [V]9.0V BR(最小值)[V]10.0V CL @ I PP 10 / 1000us(最大值)[V]15.4I PP 10x1000us(最大)[A]13.0V esd iec61000-4-2 [kV]30储存温度(最低)[°C]-65储存温度(最高)[°C]150 | |
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SMF8V0TF | Rohm Semiconductor | 半导体 二极管/齐纳阵列 | 特性: 套餐(jeita)SC-109b包装代码sod-123fl包装尺寸3.5x1.6(t = 0.8)安装方式表面贴装端子数2年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)功耗(PD)[mW]1000p PP @ 10 / 1000us(最大)[W]200组态单保护线数1个V rwm [V]8.0V BR(最小值)[V]8.89v CL @ I PP 10 / 1000us(最大值)[V]13.6I PP 10x1000us(最大)[A]14.7V esd iec61000-4-2 [kV]30储存温度(最低)[°C]-65储存温度(最高)[°C]150 | |
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SMF7V5TF | Rohm Semiconductor | 半导体 二极管,整流器 - 阵列 | 型号| smf7v5tftr 现状| 推荐品 封装| pmdu 包装数量| 3000 最小独立包装数量| 3000 包装形态| 编带 rohs | 是 特性: 套餐(jeita)SC-109b包装代码sod-123fl包装尺寸3.5x1.6(t = 0.8)安装方式表面贴装端子数2年级汽车行业通用标准aec-q101(汽车级)功耗(PD)[mW]1000p PP @ 10 / 1000us(最大)[W]200组态单保护线数1个V rwm [V]7.5V BR(最小值)[V]8.33v CL @ I PP 10 / 1000us(最大值)[V]12.9I PP 10x1000us(最大)[A]15.5V esd iec61000-4-2 [kV]30储存温度(最低)[°C]-65储存温度(最高)[°C]150 |