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Image: BSL316C L6327 BSL316C L6327 Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet optimos 2/optimos-P2 Sm signal transistr
Image: BSL308C BSL308C Infineon Technologies 半导体 optimos? P3 + optimos? 2 small signal transistor
Image: BSD235C BSD235C Infineon Technologies 半导体 optimos? 2 + optimos?-P 2 small signal transistor
Image: REF_ENGCOOLFAN1KW REF_ENGCOOLFAN1KW Infineon Technologies 半导体 微控制器和微处理器 该参考设计是一种汽车三相电机驱动器，用于 发动机冷却风扇 栅极电荷> 100nc的mosFET的应用通过第一个全球集成的桥式驱动器展现了电流能力，该桥式驱动器能够在12v的电压下驱动1kw电机。该参考中使用的主要组件是： 标题9879qxw40： 此设备是 嵌入式电源IC 系列，它是单芯片三相电机驱动器片上系统（soc）解决方案。它集成了行业标准的arm®cortex®-M3内核以及lin收发器，桥驱动器和电源，从而可以实现高级电机控制算法，例如无传感器磁场定向控制（foc）。 iaua250n04s6n007： 这是一个 Optimos™-6 40 V 大功率无引线mosFET stoll包，以较小的7x8mm²尺寸提供更高的电流容量，而不会牺牲热性能。结合Optimos™-6 40 V功率mos技术，stoll可以提供英飞凌众所周知的用于坚固耐用的汽车封装的质量水平上的一流功率密度和功率效率。 参考设计在emc和散热性能方面进行了优化。此外，它包括全面的支持材料，包括 布局 和 原理图文件（altium）， emc测试， 热分析 和 详细文档。 通过我们的1 kW发动机冷却风扇参考设计，将您的设计提升到一个新的水平，并加快产品上市时间。
Image: EVAL_2KW_ZVS_FB_CFD7 EVAL_2KW_ZVS_FB_CFD7 Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 2kw zvs相移全桥评估板 zvs相移全桥评估板是用于通信整流器新开发的zvs DC-DC转换器，输出电压范围为45v DC至56vdc，输出功率为2kw。该转换器使用的输入电压范围为350v DC至420v DC（典型值385v DC），并且初级侧的开关频率为100khz。 该板包括以下英飞凌产品：全桥600v coolmos ™cfd7 SJ mosfet （ IPW60R070cfd7 ）， optimos ™200v同步整流mosfet（ ipp110n20n3 G ），辅助转换器固定频率coolset ™ （ ice3rbr4765jz ）和eicedriver ™2edn非隔离螺杆驱动器IC（ 2edn7524F ）。 特征描述 同类中出色的（bic）高压和低压mosfet，适用于zvs psfb拓扑 主级和次级mosfet精准驱动方案 优势总结 bic效率，适用于zvs psfb拓扑 优化coolmos™和optimos™bic器件使用 高功率密度
Image: EVAL_600W_12V_LLC_P7 EVAL_600W_12V_LLC_P7 Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 专为采用600v coolmos™P7 SJ mosfet的600w半桥llc转换器而设计 该评估板展示了如何设计服务器 smps的半桥llc级，旨在满足80+ titanium标准的效率要求。为了实现此目的，使用了以下技术：初级侧采用 600v coolmos™ P7 SJ mosfet 技术 (ipp60r180p7)，同步整流次级侧采用 superso8 封装 optimos™ 40v 低压功率 mosfet (bsc010n04ls)，搭配 QR coolset™ (ice2qr2280z)、eicedriver™ 2edl 高-低边驱动器 (2edl05N06PF)、eicedriver™ 2edn 低边栅极驱动器 (2edn7524F) 和模拟 llc 控制器 (ice2hs01g)。 特征描述 同类中较为出色的高压和低压mosfet，适用于llc应用 模拟控制 经过优化的磁性设计（变压器和谐振回路） 主级和次级 mosfet 精准驱动方案 优势总结 达到 80+ titanium 标准 优化 coolmos™ 和 optimos™的出色器件 整个负载范围内实现 zvs 高压 mosfet 在临界 llc 运行中安全运行
Image: BSC028N06LS3 G BSC028N06LS3 G Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet optimos3 pwr-mosfet N-CH
Image: BSC057N08NS3 G BSC057N08NS3 G Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet optimos2 pwr transistor N-CH
Image: IPB025N10N3 G IPB025N10N3 G Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet optimos3 pwrtrnsistr N-CH
Image: BSC031N06NS3 G BSC031N06NS3 G Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet optimos3 pwr-mosfet N-CH
Image: BSC252N10NSF G BSC252N10NSF G Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet optimos2 pwr transistor N-CH
Image: BSC100N10NSF G BSC100N10NSF G Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet optimos2 pwr transistor N-CH
Image: BSC159N10LSF G BSC159N10LSF G Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet optimos2 pwr transistor N-CH
Image: BSC016N03LS G BSC016N03LS G Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet optimos3 pwr-mosfet N-CH
Image: BSZ100N06LS3 G BSZ100N06LS3 G Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet optimos2 pwr transistor N-CH
Image: BSZ067N06LS3 G BSZ067N06LS3 G Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet optimos2 pwr transistor N-CH
Image: BSC067N06LS3 G BSC067N06LS3 G Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet optimos2 pwr transistor N-CH
Image: BSC076N06NS3 G BSC076N06NS3 G Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet optimos2 pwr transistor N-CH
Image: BSC046N02KS G BSC046N02KS G Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet optimos2 pwr trans 20v 80a
Image: BSC047N08NS3 G BSC047N08NS3 G Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet optimos3 pwr-mosfet N-CH

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