关键词eicedriver
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| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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EVAL_600W_12V_LLC_P7 | Infineon Technologies | 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 | 专为采用600v coolmos™P7 SJ mosfet的600w半桥llc转换器而设计 该评估板展示了如何设计服务器 smps的半桥llc级，旨在满足80+ titanium标准的效率要求。为了实现此目的，使用了以下技术：初级侧采用 600v coolmos™ P7 SJ mosfet 技术 (ipp60r180p7)，同步整流次级侧采用 superso8 封装 optimos™ 40v 低压功率 mosfet (bsc010n04ls)，搭配 QR coolset™ (ice2qr2280z)、eicedriver™ 2edl 高-低边驱动器 (2edl05N06PF)、eicedriver™ 2edn 低边栅极驱动器 (2edn7524F) 和模拟 llc 控制器 (ice2hs01g)。 特征描述 同类中较为出色的高压和低压mosfet，适用于llc应用 模拟控制 经过优化的磁性设计（变压器和谐振回路） 主级和次级 mosfet 精准驱动方案 优势总结 达到 80+ titanium 标准 优化 coolmos™ 和 optimos™的出色器件 整个负载范围内实现 zvs 高压 mosfet 在临界 llc 运行中安全运行 | |
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EVAL_600W_12V_LLC_C7 | Infineon Technologies | 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 | 600w半桥llc评估板，其模拟版本和数字版本采用600v coolmos™C7 SJ mosfet 600w半桥llc评估板，其模拟版本和数字版本采用600v coolmos™C7 SJ mosfet。以下技术：低压侧的 600v coolmos™C7 （ipp60r180c7）和同步整流级中superso8（bsc010n04ls）中的optimos™40v低压功率mosfet，结合QR coolset™（ice2qr2280z），eicedriver™2edl高低边驱动器（2edl05N06PF），eicedriver™2edn低边变速驱动器（2edn7524F）和用于数字版本模拟或xmc™微控制器（xmc4200）的llc控制器（ice2hs01g）。 功能概要 输出电压：12v 输出电流：50a 前端效率@ 50％负载> 97,4％ 效率@ 10％负载> 95％ | |
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2EDL05N06PF | Infineon Technologies | 集成电路 时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器 | 具有集成自举二极管的600 V半桥栅极驱动器IC eicedriver™compact-采用LS-soi技术的经过优化的600V半桥栅极驱动器IC，用于控制mos晶体管 功能概要 两个输出的独立控制电路 滤波检测欠压电源 所有输入均由二极管钳位 离线浇口夹紧功能 高侧和低侧的非对称欠压锁定阈值 soi技术提供的电桥输出对高达-50v的负瞬态电压不敏感 超快速自举二极管 | |
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2EDS8265H | Infineon Technologies | 机电产品 电机与驱动器 | 快速，强大，双通道，增强型隔离式mosfet栅极驱动器，具有准确和稳定的时序 eicedriver™2eds8265h和2eds8165h是增强型隔离式栅极驱动器，用于对smps中的强制性安全隔离栅进行次级侧控制。2eds8265h具有强大的4A / 8A源/宿双通道栅极驱动器，具有极高的150v / ns cmti（共模瞬态抗扰度），可在快速coolmos™和高功率开关噪声环境下稳定运行。 37ns的非常快的传播延迟在整个温度和生产范围内具有很小的变化，这使电源系统设计能够通过跨安全隔离栅的非常严格的时序控制来实现更高的效率。具有1A / 2A的2eds8165h适用于较小的mosfet或pwm信号/数据去耦，适用于使用本地升压驱动器的超高功率设计。这些设备将提供符合ul1577，vde0884-10，iec62368和iec60950的安全证书。2edfs8xx5h部件采用宽体3亿dso16封装。 | |
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2EDF7275F | Infineon Technologies | 机电产品 电机与驱动器 | 快速，强大，双通道，功能隔离的mosfet栅极驱动器，具有准确和稳定的时序 eicedriver™2edf7x75f非常适合在嘈杂的大功率开关环境中实现高侧和低侧mosfet初级侧控制的稳健运行。当驱动高和中压mosfet（例如coolmos™或optimos™）时，强大的4A / 8A源极/漏极双通道栅极驱动器可提供快速导通/截止。两个输出通道都是单独隔离的，可以灵活地用作具有150v / ns很高cmti（共模噪声抗扰度）的浮栅驱动器。 V ddi输入电源支持宽电压范围的Sldo模式，以节省板载ldo。对于较慢的开关或驱动较小的mosfet，esodriver™2edf7175f是1A / 2A峰值电流产品，采用dso-16窄体封装，爬电距离为4mm。 | |
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EVAL_2KW_ZVS_FB_CFD7 | Infineon Technologies | 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 | 2kw zvs相移全桥评估板 zvs相移全桥评估板是用于通信整流器新开发的zvs DC-DC转换器，输出电压范围为45v DC至56vdc，输出功率为2kw。该转换器使用的输入电压范围为350v DC至420v DC（典型值385v DC），并且初级侧的开关频率为100khz。 该板包括以下英飞凌产品：全桥600v coolmos ™cfd7 SJ mosfet （ IPW60R070cfd7 ）， optimos ™200v同步整流mosfet（ ipp110n20n3 G ），辅助转换器固定频率coolset ™ （ ice3rbr4765jz ）和eicedriver ™2edn非隔离螺杆驱动器IC（ 2edn7524F ）。 特征描述 同类中出色的（bic）高压和低压mosfet，适用于zvs psfb拓扑 主级和次级mosfet精准驱动方案 优势总结 bic效率，适用于zvs psfb拓扑 优化coolmos™和optimos™bic器件使用 高功率密度 |
