关键词coolmos
标准
为您共找出"220"个相关器件
图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: IPD95R1K2P7 IPD95R1K2P7 Infineon Technologies 连接器 香蕉和尖头连接器 - 适配器 专为满足高压mosfet领域不断增长的消费者需求而设计，最新的950v coolmos™P7技术专注于低功率smps市场。 950v coolmos™P7系列比其先前的900v coolmos™C3提供更高的50v阻断电压，在效率，热性能和易用性方面均具有出色的性能。与所有其他P7系列成员一样，950v coolmos™P7系列还具有集成的稳压二极管esd保护。集成二极管大大提高了esd的鲁棒性，从而减少了与esd相关的良率损失，并达到了出色的易用性水平。coolmos™P7的最佳V GS（th）为3V，仅具有±0.5V的窄公差，这使其易于驱动和设计。
Image: IPZ60R040C7 IPZ60R040C7 Infineon Technologies 半导体 二极管/齐纳阵列 coolmos™C7超级结mosfet在pfc和llc失真结构内可提供最佳性能 600v coolmos™C7超级结（SJ）mosfet系列比coolmos™CP系列可减少大约50％的关断损耗（E oss），在pfc，ttf及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，ipl60r185c7也是高功率密度充电器的不二之选！ coolmos ™ C7提供更高的效率有益于效率和总体拥有成本（tco）应用，如超数据中心和高效率电信整流器（> 96％）。在pfc拓扑结构中，可获得0.3％-0.7％的增益例如，如果是2.5kw的服务器psu，在TO-247 4针套件内采用600v coolmos ™ C7超级结mosfet可为psu能量消耗减少大约10％的，能源成本。
Image: IPD65R1K4CFD IPD65R1K4CFD Infineon Technologies 半导体 二极管，整流器 - 阵列 替换650v coolmos™cfd2 为600v coolmos™cfd7 650v coolmos™cfd2是英飞凌具有集成快速体二极管的第二代市场领先的高压coolmos™mosfet。cfd2器件是600v cfd的后继产品，具有更高的能效。与竞争对手的产品相比，较软的换向特性以及更好的emi特性使该产品具有明显的优势。
Image: IPA60R360CFD7 IPA60R360CFD7 Infineon Technologies 嵌入式解决方案 工程工具 在 600v的coolmos™cfd7 是英飞凌最新的高电压超结mosfet技术，集成快速体二极管，完成的coolmos™7系。这款600v coolmos™cfd7 SJ
Image: IPL60R075CFD7 IPL60R075CFD7 Infineon Technologies 半导体 二极管，整流器 - 阵列 英飞凌对谐振大功率拓扑的回答 在600v的coolmos™cfd7是英飞凌最新的高电压超结mosfet技术，集成快速体二极管，完成的coolmos™7系。coolmos™cfd7具有降低的栅极电荷（Q g），改善的关断性能和比竞争对手低多达69％的反向恢复电荷（Q rr），以及最低的反向恢复时间（t rr）在市场上。
Image: EVAL_600W_12V_LLC_P7 EVAL_600W_12V_LLC_P7 Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 专为采用600v coolmos™P7 SJ mosfet的600w半桥llc转换器而设计 该评估板展示了如何设计服务器 smps的半桥llc级，旨在满足80+ titanium标准的效率要求。为了实现此目的，使用了以下技术：初级侧采用 600v coolmos™ P7 SJ mosfet 技术 (ipp60r180p7)，同步整流次级侧采用 superso8 封装 optimos™ 40v 低压功率 mosfet (bsc010n04ls)，搭配 QR coolset™ (ice2qr2280z)、eicedriver™ 2edl 高-低边驱动器 (2edl05N06PF)、eicedriver™ 2edn 低边栅极驱动器 (2edn7524F) 和模拟 llc 控制器 (ice2hs01g)。 特征描述 同类中较为出色的高压和低压mosfet，适用于llc应用 模拟控制 经过优化的磁性设计（变压器和谐振回路） 主级和次级 mosfet 精准驱动方案 优势总结 达到 80+ titanium 标准 优化 coolmos™ 和 optimos™的出色器件 整个负载范围内实现 zvs 高压 mosfet 在临界 llc 运行中安全运行
Image: EVAL_600W_12V_LLC_C7 EVAL_600W_12V_LLC_C7 Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 600w半桥llc评估板，其模拟版本和数字版本采用600v coolmos™C7 SJ mosfet 600w半桥llc评估板，其模拟版本和数字版本采用600v coolmos™C7 SJ mosfet。以下技术：低压侧的 600v coolmos™C7 （ipp60r180c7）和同步整流级中superso8（bsc010n04ls）中的optimos™40v低压功率mosfet，结合QR coolset™（ice2qr2280z），eicedriver™2edl高低边驱动器（2edl05N06PF），eicedriver™2edn低边变速驱动器（2edn7524F）和用于数字版本模拟或xmc™微控制器（xmc4200）的llc控制器（ice2hs01g）。 功能概要 输出电压：12v 输出电流：50a 前端效率@ 50％负载> 97,4％ 效率@ 10％负载> 95％
Image: IM512-L6A IM512-L6A Infineon Technologies 电源 AC DC 可配置电源模块 cipos™mini 基于600 V，0.33Ω两相coolmos™功率mosfet 智能电源模块 采用dip 36x21封装的开放源代码，与基于igbt的ipm相比，具有出色的轻载效率。集成的coolmos™mosfet通过减少功率损耗来提高功率效率，尤其是在轻载条件下运行系统时。这样可以通过降低功耗来节省整个系统的能源并节省成本。
Image: IM513-L6A IM513-L6A Infineon Technologies 电源 AC DC 可配置电源模块 cipos™mini 基于600 V，0.33Ω的三相coolmos™功率mosfet 智能电源模块 采用dip 36x21封装的开放源代码，与基于igbt的ipm相比，具有出色的轻载效率。集成的coolmos™mosfet通过减少功率损耗来提高功率效率，尤其是在轻载条件下运行系统时。这样可以通过降低功耗来节省整个系统的能源并节省成本。
Image: EVAL_2KW_ZVS_FB_CFD7 EVAL_2KW_ZVS_FB_CFD7 Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 2kw zvs相移全桥评估板 zvs相移全桥评估板是用于通信整流器新开发的zvs DC-DC转换器，输出电压范围为45v DC至56vdc，输出功率为2kw。该转换器使用的输入电压范围为350v DC至420v DC（典型值385v DC），并且初级侧的开关频率为100khz。 该板包括以下英飞凌产品：全桥600v coolmos ™cfd7 SJ mosfet （ IPW60R070cfd7 ）， optimos ™200v同步整流mosfet（ ipp110n20n3 G ），辅助转换器固定频率coolset ™ （ ice3rbr4765jz ）和eicedriver ™2edn非隔离螺杆驱动器IC（ 2edn7524F ）。 特征描述 同类中出色的（bic）高压和低压mosfet，适用于zvs psfb拓扑 主级和次级mosfet精准驱动方案 优势总结 bic效率，适用于zvs psfb拓扑 优化coolmos™和optimos™bic器件使用 高功率密度
Image: EVAL-600W-12V-LLC-A EVAL-600W-12V-LLC-A Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 功能概要 效率@ 10％负载> 95％ 50％负载> 97.4％时的峰值效率 输出电压：12v 输出电流：50a 好处摘要 该板有以下几种型号： 具有coolmos™P6的600w 12v llc 模拟版本 具有coolmos™P6的600w 12v llc 数字版本
Image: KIT_6W_13V_P7_950V KIT_6W_13V_P7_950V Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 辅助DC-DC电源解决方案，具有离线smps电流模式控制器IC和950v coolmosTM P7超结mosfet 在用于服务器，电信和工业应用的电源中，除主电源转换器外，通常还有一个小型偏置电源。该KIT_6W_13v_P7_950v偏置板设计为在一个系统中运行，在该系统中，该电路板由升压功率因数校正（pfc）转换器的400vdc输出连续供电，并为风扇，栅极驱动器和控制器供电。该评估板使用ice5qsag准谐振（QR）反激控制器和新型950v coolmos™P7（ipu95r3k7p7）。950v的击穿电压为系统提供了额外的余量，以确保偏置在浪涌事件中继续持续。此设计作为无缓冲反激转换器完成，以进一步提高整个负载范围内的效率。 特征描述 使用英飞凌第二代控制器的准谐振反激 无忧操作，提高效率 950v击穿电压允许在更高的输入电压下工作 初级侧稳压13v和次级侧非稳压13v输出 优势 高效率 低成本解决方案 由于消除了缓冲网络，减少了pcb热点
Image: IPW65R045C7 IPW65R045C7 Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet 650v coolmos C7 power trans; 45mohm
Image: IPB60R199CPA IPB60R199CPA Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet 600v coolmos power transistor
Image: IPW60R045CPA IPW60R045CPA Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet coolmos power transistor
Image: MKE38RK600DFELB-TRR MKE38RK600DFELB-TRR IXYS 半导体 分离式半导体 igbt transistors coolmos power mosfet
Image: MKE38RK600DFELB MKE38RK600DFELB IXYS 半导体 分离式半导体 mosfet coolmos power mosfet
Image: FDM47-06KC5 FDM47-06KC5 IXYS 半导体 分离式半导体 mosfet coolmos power mosfet w/ hiperdyn fred
Image: IPD65R380E6 IPD65R380E6 Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet 650v coolmos E6 power transistor
Image: IPD65R420CFD IPD65R420CFD Infineon Technologies 半导体 分离式半导体 mosfet coolmos 650v 420mohm cfd2 N-chan mosfet

©2000-  21IC电子网版权所有

京ICP备11013301号 京公网安备 11010802024343号