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KIT_6W_13V_P7_950V
Infineon Technologies
无源元器件
RF 评估和开发套件,板
辅助DC-DC电源解决方案,具有离线
smps
电流模式控制器IC和
950v
coolmos
TM P7超结
mosfet
在用于服务器,电信和工业应用的电源中,除主电源转换器外,通常还有一个小型偏置电源。该KIT_6W_
13v
_P7_
950v
偏置板设计为在一个系统中运行,在该系统中,该电路板由升压功率因数校正(
pfc
)转换器的
400vdc
输出连续供电,并为风扇,栅极驱动器和控制器供电。该评估板使用
ice5qsag
准谐振(QR)反激控制器和新型
950v
coolmos
™P7(
ipu95r3k7p7
)。
950v
的击穿电压为系统提供了额外的余量,以确保偏置在浪涌事件中继续持续。此设计作为无缓冲反激转换器完成,以进一步提高整个负载范围内的效率。 特征描述 使用英飞凌第二代控制器的准谐振反激 无忧操作,提高效率
950v
击穿电压允许在更高的输入电压下工作 初级侧稳压
13v
和次级侧非稳压
13v
输出 优势 高效率 低成本解决方案 由于消除了缓冲网络,减少了
pcb
热点
IPD95R1K2P7
Infineon Technologies
连接器
香蕉和尖头连接器 - 适配器
专为满足高压
mosfet
领域不断增长的消费者需求而设计,最新的9
50v
coolmos
™P7技术专注于低功率
smps
市场。 9
50v
coolmos
™P7系列比其先前的
900v
coolmos
™C3提供更高的
50v
阻断电压,在效率,热性能和易用性方面均具有出色的性能。与所有其他P7系列成员一样,9
50v
coolmos
™P7系列还具有集成的稳压二极管
esd
保护。集成二极管大大提高了
esd
的鲁棒性,从而减少了与
esd
相关的良率损失,并达到了出色的易用性水平。
coolmos
™P7的最佳V GS(th)为3V,仅具有±0.5V的窄公差,这使其易于驱动和设计。
STP5N95K5
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
mosfet
N-CH
950v
2ohm
typ
3.5A
zener
-
protected
STF5N95K5
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
mosfet
N-CH
950v
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3.5A
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STF2N95K5
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
mosfet
N-CH
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4.
2ohm
typ
2A
zener
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STP2N95K5
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
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N-CH
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typ
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zener
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STP15N95K5
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
mosfet
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0.
41ohm
typ
.
12a
supermesh
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半导体
分离式半导体
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STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
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STB20N95K5
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
mosfet
N-Ch
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275
ohm
17.5A
supermesh
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STW25N95K3
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
mosfet
N-Ch
950v
0.32
ohm
22a
supermesh
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STU6N95K5
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
mosfet
N-Ch
950v
1ohm
9A
pwr
supermesh
V
STP6N95K5
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
mosfet
N-Ch
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ohm
9A
zener
supermesh
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STW10N95K5
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
mosfet
N-Ch
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65ohm
typ
8A
zener
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protected
STF13N95K3
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
mosfet
N-Ch
950v
0.68
ohm
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supermesh3
STP13N95K3
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
mosfet
N-Ch
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10a
STW13N95K3
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
mosfet
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STP20N95K5
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
mosfet
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ohm
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