关键词ipl60r185c7
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| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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IPZ60R040C7 | Infineon Technologies | 半导体 二极管/齐纳阵列 | coolmos™C7超级结mosfet在pfc和llc失真结构内可提供最佳性能 600v coolmos™C7超级结（SJ）mosfet系列比coolmos™CP系列可减少大约50％的关断损耗（E oss），在pfc，ttf及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，ipl60r185c7也是高功率密度充电器的不二之选！ coolmos ™ C7提供更高的效率有益于效率和总体拥有成本（tco）应用，如超数据中心和高效率电信整流器（> 96％）。在pfc拓扑结构中，可获得0.3％-0.7％的增益例如，如果是2.5kw的服务器psu，在TO-247 4针套件内采用600v coolmos ™ C7超级结mosfet可为psu能量消耗减少大约10％的，能源成本。 |
