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图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: 2500AT43A0100 2500AT43A0100 Johanson Technology Inc. 2.5ghz chip antenna (No gnd clearance required)
Image: MAX7438 MAX7438 Maxim Integrated triple-channel video reconstruction filters with back-porch clamp to gnd
Image: MAX7438ETP MAX7438ETP Maxim Integrated triple-channel video reconstruction filters with back-porch clamp to gnd
Image: MAX7439ETP MAX7439ETP Maxim Integrated triple-channel video reconstruction filters with back-porch clamp to gnd
Image: E910.33 E910.33 ELMOS Semiconductor contact monitor (8 channel to gnd, parallel interface)
Image: LM49352 LM49352 Texas Instruments 半导体 mono class D audio codec subsytem w/ gnd referenced headphone amps, earpiece driver, & audio dsp 36-dsbga -40 to 85
Image: TS3A226AE TS3A226AE Texas Instruments 半导体 autonomous audio headset switch with reduced gnd switch ron and FM capability 9-dsbga -40 to 85
Image: MAX7438|MAX7439 MAX7438|MAX7439 Maxim Integrated triple-channel video reconstruction filters with back-porch clamp to gnd
Image: E910.35 E910.35 ELMOS Semiconductor contact monitor (4 * gnd & 4 * vbat, adjustable, parallel interface)
Image: E910.36 E910.36 ELMOS Semiconductor contact monitor (4 * gnd & 4 * vbat, parallel interface)
Image: E910.52 E910.52 ELMOS Semiconductor contact monitor to gnd or vbat (16 channel, serial interface)
Image: BD9611MUV BD9611MUV Rohm Semiconductor 电源 电源管理 IC 60v耐压降压同步整流开关稳压器（控制器）__bd9611muv.html'>bd9611muv _bd9611muv.html'>bd9611muv是可输入高电压的具有大输入范围（vcc = 10v〜56v）的60v耐压降压同步整流DC / DC控制器。内置pwm，基于电压模式的控制电路，外接的2个nch-fet的驱动电路。备有振荡频率及软启动的调整功能，过电流保护（打嗝动作的自动复位型）等保护功能，与外部时钟同步功能等，可进行自由设计。电压的低输入误动作防止电路（exuvlo）连接，可通过vcc-gnd间电阻比进行调整。还要对应预兆，抑制启动时输出侧的电流进入。
Image: SN65LBC031 SN65LBC031 Texas Instruments 半导体 接口 sn75lbc031是一个can收发器，用作can控制器和物理总线之间的接口，用于高达500kbaud的高速应用。该装置向差分总线提供传输能力，向控制器提供差分接收能力。发射机输出（canH和canL）具有内部过渡调节功能，以提供受控对称性，从而产生低emi发射。两个变送器输出都有充分的保护，以防母线上可能发生的电池短路和电气瞬变。在器件功耗过大的情况下，在结温约为160°C时，输出驱动器将被热关机电路禁用。在变送器输入端加入一个内部上拉电阻器，可确保在通电和协议控制器重置期间，输出达到规定的水平。对于500 kbaud的正常运行，asc终端开路或连接到gnd。对于125kbaud的低速运行，可以通过将asc终端连接到vcc来增加总线输出转换时间以减少emi。接收器包括一个集成滤波器，用于将信号抑制为宽度小于30纳秒的脉冲。
Image: SN75LBC031 SN75LBC031 Texas Instruments 半导体 接口 sn75lbc031是一个can收发器，用作can控制器和物理总线之间的接口，用于高达500kbaud的高速应用。该装置向差分总线提供传输能力，向控制器提供差分接收能力。发射机输出（canH和canL）具有内部过渡调节功能，以提供受控对称性，从而产生低emi发射。两个变送器输出都有充分的保护，以防母线上可能发生的电池短路和电气瞬变。在器件功耗过大的情况下，在结温约为160°C时，输出驱动器将被热关机电路禁用。在变送器输入端加入一个内部上拉电阻器，可确保在通电和协议控制器重置期间，输出达到规定的水平。对于500 kbaud的正常运行，asc终端开路或连接到gnd。对于125kbaud的低速运行，可以通过将asc终端连接到vcc来增加总线输出转换时间以减少emi。接收器包括一个集成滤波器，用于将信号抑制为宽度小于30纳秒的脉冲。
Image: SN65LBC031Q SN65LBC031Q Texas Instruments 半导体 接口 sn75lbc031是一个can收发器，用作can控制器和物理总线之间的接口，用于高达500kbaud的高速应用。该装置向差分总线提供传输能力，向控制器提供差分接收能力。发射机输出（canH和canL）具有内部过渡调节功能，以提供受控对称性，从而产生低emi发射。两个变送器输出都有充分的保护，以防母线上可能发生的电池短路和电气瞬变。在器件功耗过大的情况下，在结温约为160°C时，输出驱动器将被热关机电路禁用。在变送器输入端加入一个内部上拉电阻器，可确保在通电和协议控制器重置期间，输出达到规定的水平。对于500 kbaud的正常运行，asc终端开路或连接到gnd。对于125kbaud的低速运行，可以通过将asc终端连接到vcc来增加总线输出转换时间以减少emi。接收器包括一个集成滤波器，用于将信号抑制为宽度小于30纳秒的脉冲。
Image: AH8503 AH8503 Diodes Incorporated 传感器，变送器 光学传感器 ah8503是一款高精度，微功率功率线性霍尔效应传感器，具有8位分辨率的输出电压。输出电压与电源电压成比例，并且与垂直于零件标记表面的磁通密度成正比。输出零点为电源电压的一半。 ah8503是一种修整型器件，在1.8V和3V时的灵敏度为2.25mv / G和3.8mv / G，在25c时的精度为3％。该器件在1.8V和3.0V时具有0.36g和0.24g的典型输入均方根噪声。 ah8503专为电池供电的消费类设备，办公设备，家用电器和工业应用而设计，可以在1.6V至3.6V的电源范围内工作。它使用外部控制的cntrl引脚时钟系统来设置采样率并最大程度地降低功耗。当cntl引脚连接到gnd时，采样率为24hz；当cntrl引脚为低电平或逻辑高电平时，采样率为6.25khz。cntrl引脚可通过外部时钟控制，以将采样频率控制在24hz至7khz之间。 在24hz的最小采样速度下，典型的平均工作电源电流在6.25khz时典型值在1ma（典型值）至13ua之间。采样率为24hz时，在1.8V电源下的典型功耗为23.4uw。
Image: P82B715 P82B715 NXP Semiconductors 半导体 接口 双路，双向，单位电压增益缓冲器，无需外部方向控制 与i2c总线及其衍生产品smbus，pmbus，ddc等兼容 逻辑信号电平可能包括（但不超过）电源和接地 逻辑信号输入电压电平输出不变，与V CC无关 x10阻抗变换，但不改变逻辑电压电平 电源电压范围3 V至12 V 在其他系统延迟允许的情况下，时钟速度至少为100 khz和400 khz esd保护超过每mil 2500 V hbm。符合Jesd22-a115的std 883c-3015.7和400 V MM（I / O具有连接至vcc和gnd的二极管） 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行
Image: DLPA2005 DLPA2005 Texas Instruments 半导体 DLP & MEMS 高效红-绿-蓝三色 (rgb) 发光二极管 (led)/灯驱动器，在小型芯片级封装中集成了降压/升压 DC-DC 转换器、数字微镜器件 (dmd) 电源、数字电源外设 (dpp) 内核电源、1.8V 负载开关以及测量系统 三个用于通道选择的低阻抗（27°C 时典型值为 30mΩ）金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSfet) 开关 每个通道具有独立的 10 位电流控制 针对 dlpa2005 嵌入式应用的最大 led 电流为 2.4A dmd 调节器 仅需一个电感器 vofs：10v vbias：18v vrst：–14v 当禁用时对接地 (gnd) 被动放电 dpp 1.1V 内核电源 具有集成开关场效应晶体管 (fet) 的同步降压转换器 支持高达 600ma 的输出电流 Vled 降压/升压转换器 轻负载电流状态下的省电模式
Image: DLPA2000 DLPA2000 Texas Instruments 半导体 DLP & MEMS 高效 rgb led/灯驱动器，在小型芯片级封装中集成了降压/升压直流/直流转换器、dmd 电源、dpp 内核电源、1.8V 负载开关以及测量系统 三个用于通道选择的低阻抗（27°C 时典型值为 30mΩ）金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSfet) 开关 每个通道具有独立的 10 位电流控制 针对 dlpa2000 嵌入式应用的最大 led 电流为 750ma 片上电机驱动器 dmd 调节器 仅需一个电感器 vofs：10v vbias：18v vrst：–14v 当禁用时对接地 (gnd) 被动放电 dpp 1.1V 内核电源 具有集成开关 fet 的同步降压转换器 支持高达 600ma 的输出电流
Image: LM139AQML LM139AQML Texas Instruments 半导体 RF 晶体管 (BJT) 可保证辐射 总电离剂量100克拉（Si） eldrs免费100克拉（Si） 宽电源电压范围 lm139/139a系列2至36 V DC或±1至±18伏直流电 极低的电源电流消耗（0.8 mA）-与电源电压无关 低输入偏置电流：25毫安 低输入偏置电流：±5不适用 偏移电压：±1毫伏 输入共模电压范围包括gnd 差分输入电压范围等于电源电压 低输出饱和电压：4 mA时为250 mV 输出电压与ttl，dtl，ecl，mos和Cmos逻辑系统兼容

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