关键词vbias
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| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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CBTU4411EE | NXP Semiconductors | 半导体 逻辑 | 使能（EN）和选择信号（S0，S1）兼容sstl_18 优化用于双倍数据速率2（ddr2）sdram应用 适用于400 mbit / s至800 mbit / s，200 mhz至400 mhz ddr2数据总线 开关导通电阻旨在消除对ddr2 sdram的串联电阻的需要 12Ω导通电阻 受控的启用/禁用时间支持快速总线周转 伪差分选择输入支持精确且低偏斜的开关时间控制 Sn输入上的可选内置终端电阻 xdpn端口上的内部400下拉电阻 vbias输入可在禁用时实现最佳的dimm端口下拉 可配置为在空闲时在通道10上拉至3/4 V DD时支持差分选通 低差分偏斜 匹配的上升/下降摆率 低串扰数据-数据/数据-dqm 通过2位编码输入简化了1：4开关位置控制 单输入引脚将所有总线开关置于off（高阻）位置 每个Jesd78的闩锁保护超过500 mA esd保护超过Jesd22-a114的1500 V hbm和Jesd22-c101的750 V cdm | |
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DLPA2005 | Texas Instruments | 半导体 DLP & MEMS | 高效红-绿-蓝三色 (rgb) 发光二极管 (led)/灯驱动器，在小型芯片级封装中集成了降压/升压 DC-DC 转换器、数字微镜器件 (dmd) 电源、数字电源外设 (dpp) 内核电源、1.8V 负载开关以及测量系统 三个用于通道选择的低阻抗（27°C 时典型值为 30mΩ）金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSfet) 开关 每个通道具有独立的 10 位电流控制 针对 dlpa2005 嵌入式应用的最大 led 电流为 2.4A dmd 调节器 仅需一个电感器 vofs：10v vbias：18v vrst：–14v 当禁用时对接地 (gnd) 被动放电 dpp 1.1V 内核电源 具有集成开关场效应晶体管 (fet) 的同步降压转换器 支持高达 600ma 的输出电流 Vled 降压/升压转换器 轻负载电流状态下的省电模式 | |
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DLPA2000 | Texas Instruments | 半导体 DLP & MEMS | 高效 rgb led/灯驱动器，在小型芯片级封装中集成了降压/升压直流/直流转换器、dmd 电源、dpp 内核电源、1.8V 负载开关以及测量系统 三个用于通道选择的低阻抗（27°C 时典型值为 30mΩ）金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSfet) 开关 每个通道具有独立的 10 位电流控制 针对 dlpa2000 嵌入式应用的最大 led 电流为 750ma 片上电机驱动器 dmd 调节器 仅需一个电感器 vofs：10v vbias：18v vrst：–14v 当禁用时对接地 (gnd) 被动放电 dpp 1.1V 内核电源 具有集成开关 fet 的同步降压转换器 支持高达 600ma 的输出电流 |
