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Image: NCS37005MNG NCS37005MNG ON Semiconductor 半导体 集成电路 - IC current & power monitors & regulators gfci cdm bulk qfn
Image: NCS37005MNTWG NCS37005MNTWG ON Semiconductor 集成电路 PMIC - 电源管理 - 专用 IC gfci ctlr cdm 16qfn
Image: NCS37000MNTWG NCS37000MNTWG ON Semiconductor 集成电路 PMIC - 电源管理 - 专用 IC gfci ctlr cdm tssop
Image: NCS37000DBRG NCS37000DBRG ON Semiconductor 集成电路 PMIC - 电源管理 - 专用 IC gfci ctlr cdm tssop
Image: NCS37010DBRG NCS37010DBRG ON Semiconductor 集成电路 PMIC - 电源管理 - 专用 IC gfci ctlr cdm tssop
Image: NCS37000DBG NCS37000DBG ON Semiconductor 集成电路 PMIC - 电源管理 - 专用 IC gfci ctlr cdm tssop
Image: NCS37010DBG NCS37010DBG ON Semiconductor 集成电路 PMIC - 电源管理 - 专用 IC gfci ctlr cdm tssop
Image: LM76005-Q1 LM76005-Q1 Texas Instruments 电源 电源管理 IC 符合面向汽车 应用的 aec-q100 标准 温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA 器件 hbm esd 分类等级 2 器件 cdm esd 分类等级 C5 专为汽车 应用而设计 高达 65v 的输入瞬态保护 ±1.1% 的总输出稳压精度 引脚可选式 fpwm 运行 可调频率范围：200khz 至 500khz 在 3.5A 负载下具有 0.4V 压降（典型值） 保护 功能：热关断、输入欠压锁定、逐周期电流限制和断续短路保护 适用于可扩展电源 与以下器件引脚兼容： lm76002/3-Q1（60v、2.5A 或 3.5A） lm76002/3（60v、2.5A 或 3.5A） 输出电压范围：1V 至 95% 的 vin 与外部时钟保持同步 可调软启动（默认为 6.3ms） 在整个负载范围内具有低功率耗散 稳压静态电流 15µA 400khz（12vin、5vout、2A）时的效率为 95%
Image: BQ79606A-Q1 BQ79606A-Q1 Texas Instruments 电源 电源管理 IC 适用于汽车 应用 具有符合 aec-q100 标准的下列特性： 器件温度等级 2：–40°C 至 +105°C 的环境工作温度范围 器件 hbm esd 分类等级 2 器件 cdm esd 分类等级 c4b 电压监控器、温度监控器和通信功能： 符合 SafeTI™-26262 asil-D 标准 ± 1.1mv 电池电压测量精度，具有失调电压 低至 1.2hz 的可配置数字低通滤波器 支持同步电池电压测量 在 1ms 内实现堆叠的完整精度测量（96 节电池） 可选环形架构可确保即使通信电缆断开也能进行堆叠通信 监控 3 至 6 条电池连接和多达 6 个 ntc/辅助通道 集成 16 位模数转换器 (adc) 集成高电压 afe 滤波器组件 专为可靠的热插拔性能而设计 可堆叠配置，支持高达 64个器件（1 个基础器件 + 63 个堆叠器件，384 节串联电池） 隔离式差分菊花链通信 支持基于变压器或电容器的隔离 可配置的 sinc3 数字滤波器 集成硬件保护器 针对电池过热和欠温提供二级保护 针对电池过压和欠压提供二级保护 硬件保护器功能：符合 SafeTI™-26262 asil-B 标准 集成电池平衡 mosfet 高达 150ma 专为通过 bci 测试而设计 uart 主机接口
Image: LMT01-Q1 LMT01-Q1 Texas Instruments 传感器，变送器 温度传感器 符合 aec-q100 标准，其中包括以下内容： 温度等级 0 (E)：–40°C 至 +150°C (2) 温度等级 1 (Q) 级：–40°C 至 +125°C 人体模型 (hbm) 静电放电 (esd) 组件分类等级 2 充电器件模型 (cdm) esd 组件分类等级 C5 在 –40°C 至 150°C 宽温度范围内保持高精度 –20°C 至 90°C：±0.5°C（最大值） 90°C 至 120°C：±0.625°C（最大值） –40°C 至 –20°C：±0.625°C（最大值） 通过双引脚封装简化精密数字温度测量 脉冲计数电流环路可由处理器轻松读取。脉冲计数，分辨率为 0.0625°C 通信频率：88khz 转换电流：34µA 每次转换的连续温度更新100ms 由具有集成 emi 抗扰度的 2V 至 5.5V (VP-VN) 悬空电源供电运行
Image: TMP102-Q1 TMP102-Q1 Texas Instruments 传感器，变送器 温度传感器 具有符合 aec-q100 标准的下列特性： 温度等级 1：-40°C 至 125°C 的环境工作温度范围 人体放电模式 (hbm) 静电放电 (esd) 分类等级 2 组件充电模式 (cdm) esd 分类等级 C6 sot563 封装 (1.6mm × 1.6mm) 尺寸较 sot23 减小 68% 未经校准时的精度： –25°C 至 85°C 范围内为 2°C（最大值） –40°C 至 125°C 范围内为 3°C（最大值） 低静态电流： 激活时 10µA（最大值） 关断时 1µA（最大值） 电源范围：1.4V 至 3.6V 分辨率：12 位 数字输出： smbus™、两线制和 i2c 接口兼容性 美国国家标准与技术研究所 (nist) 可追溯
Image: LMT87-Q1 LMT87-Q1 Texas Instruments 传感器，变送器 温度传感器 lmt87-Q1 符合 aec-q100 标准且适用于汽车 应用： 器件温度等级 0：–40°C 至 +150°C 器件人体放电模型 (hbm) 静电放电 (esd) 分类等级 2 器件 cdm esd 分类等级 C6 非常精确：典型值 ±0.4°C 2.7V 低压运行 -13.6mv/°C 的平均传感器增益 5.4µA 低静态电流 宽温度范围：–50°C 至 150°C 输出受到短路保护 具有 ±50µA 驱动能力的推挽输出 封装尺寸兼容符合行业标准的 lm20/19 和 lm35 温度传感器 具有成本优势的热敏电阻替代产品
Image: LMT84-Q1 LMT84-Q1 Texas Instruments 传感器，变送器 温度传感器 lmt84-Q1 符合 aec-q100 标准且适用于汽车 应用： 器件温度等级 0：–40°C 至 +150°C 器件人体放电模型 (hbm) 静电放电 (esd) 分类等级 2 器件 cdm esd 分类等级 C6 非常精确：典型值 ±0.4°C 1.5V 低压运行 -5.5mv/°C 的平均传感器增益 5.4µA 低静态电流 宽温度范围：–50°C 至 150°C 输出受到短路保护 具有 ±50µA 驱动能力的推挽输出 封装尺寸兼容符合行业标准的 lm20/19 和 lm35 温度传感器 具有成本优势的热敏电阻替代产品
Image: LMT85-Q1 LMT85-Q1 Texas Instruments 传感器，变送器 温度传感器 lmt85-Q1 符合 aec-q100 标准且适用于汽车 应用： 器件温度等级 0：–40°C 至 +150°C 器件人体放电模型 (hbm) 静电放电 (esd) 分类等级 2 器件 cdm esd 分类等级 C6 非常精确：典型值 ±0.4°C 1.8V 低压运行 -8.2mv/°C 的平均传感器增益 5.4µA 低静态电流 宽温度范围：–50°C 至 150°C 输出受到短路保护 具有 ±50µA 驱动能力的推挽输出 封装尺寸兼容符合行业标准的 lm20/19 和 lm35 温度传感器 具有成本优势的热敏电阻替代产品
Image: LMT86-Q1 LMT86-Q1 Texas Instruments 传感器，变送器 温度传感器 lmt86-Q1是aec-q100，适用于汽车应用： 设备温度等级0:-40°C至+150°C 设备hbm esd等级2 设备cdm esd分类等级C6 非常精确：±0.4°C（典型值） 低2.2-V操作 平均传感器增益为-10.9 mV/°C 低5.4-µA静态电流 温度范围广：–50°C至150°C 输出有短路保护 具有±50-µA驱动能力的推挽输出 与工业标准lm20/19和lm35温度传感器兼容 热敏电阻的经济高效替代品
Image: LMT86 LMT86 Texas Instruments 传感器，变送器 温度传感器 lmt86-Q1 符合 aec-q100 标准，适用于汽车 应用： 器件温度等级 0：–40°C 至 +150°C 器件人体放电模式 (hbm) 静电放电 (esd) 分类等级 2 器件 cdm esd 分类等级 C6 lmt86LPG（TO-92s 封装）具有快速热时间常量，典型值为 10s（空气流量为 1.2m/s） 非常精确：典型值 ±0.4°C 2.2V 低压运行 -10.9mv/°C 的平均传感器增益 5.4µA 低静态电流
Image: TMP63-Q1 TMP63-Q1 Texas Instruments 传感器，变送器 温度传感器 aec-Q100符合以下结果： 温度等级1:-40°C≤TA≤125°C hbm esd等级H2 cdm esd分类等级C6 硅基热敏电阻 正温度系数 线性电阻随温度变化 25°C时100-kΩ标称电阻（r25） 最大±1%（0°C至70°C） 温度灵敏度一致 6400 ppm/°C tcr（25°C） 温度范围内0.2%典型tcr公差 快速热响应时间0.6s（dec） 寿命长，性能稳定 内置故障保护，以防短路故障 0.3%典型的长期传感器漂移
Image: TMP61-Q1 TMP61-Q1 Texas Instruments 传感器，变送器 温度传感器 具有符合 aec-q100 标准的下列特性： 温度等级 1：-40°C ≤ TA ≤ 125°C 温度等级 0：-40°C ≤ TA ≤ 170°C hbm esd 分类等级 H2 cdm esd 分类等级 C6 具有正温度系数 (ptc) 的硅基热敏电阻 线性电阻随温度变化 在 25°C 下具有 10kΩ 标称电阻 (r25) ±1% 最大值（0°C 至 70°C） 在整个温度范围内具有稳定的灵敏度 6400ppm/°C tcr (25°C) 在整个温度范围内具有 0.2% 的典型 tcr 容差 快速热响应时间为 0.6s (dec) 长寿命和稳健性能 内置失效防护，能够在发生短路故障时提供保护 传感器长期温漂典型值为 0.5%
Image: TCAN1051V-Q1 TCAN1051V-Q1 Texas Instruments 半导体 接口 aec q100：符合汽车类 应用标准 器件温度等级 1：环境工作温度范围为 -40°C 至 125°C 器件 hbm 分类等级：±16kv 器件 cdm 分类等级 ±1500v 符合 iso 11898-2:2016 和 iso 11898-5:2007 物理层标准 “turbo”can： 所有器件均支持经典 can 和 2mbps can FD（灵活数据速率），而“G”选项支持 5mbps 短暂且对称的传播延迟时间以及针对增强型时序裕量的快速循环时间 在有负载 can 网络中实现更快的数据速率 I/O 电压范围支持 3.3V 和 5V 微控制器 (mcu) 未上电时的理想无源特性 总线和逻辑引脚处于高阻态（无负载） 上电和掉电时总线和 rxd 输出上无毛刺脉冲 保护 特性
Image: TCAN1051G-Q1 TCAN1051G-Q1 Texas Instruments 半导体 接口 aec q100：符合汽车类 应用标准 器件温度等级 1：环境工作温度范围为 -40°C 至 125°C 器件 hbm 分类等级：±16kv 器件 cdm 分类等级 ±1500v 符合 iso 11898-2:2016 和 iso 11898-5:2007 物理层标准 “turbo”can： 所有器件均支持经典 can 和 2mbps can FD（灵活数据速率），而“G”选项支持 5mbps 短暂且对称的传播延迟时间以及针对增强型时序裕量的快速循环时间 在有负载 can 网络中实现更快的数据速率 I/O 电压范围支持 3.3V 和 5V 微控制器 (mcu) 未上电时的理想无源特性 总线和逻辑引脚处于高阻态（无负载） 上电和掉电时总线和 rxd 输出上无毛刺脉冲 保护 特性

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