关键词sstl_18
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图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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SN74SSTU32864 | Texas Instruments | 半导体 | 25-bit configurable registered buffer with sstl_18 inputs and outputs | ||
SN74SSTU32864D | Texas Instruments | 半导体 | 25-bit configurable registered buffer with sstl_18 inputs and outputs | ||
74SSTUB32864A | Texas Instruments | 半导体 | 25-bit configurable registered buffer with sstl_18 inputs and outputs 96-lfbga 0 to 70 | ||
SN74SSTUB32864 | Texas Instruments | 半导体 | 25-bit configurable registered buffer with sstl_18 inputs and outputs 96-lfbga -40 to 85 | ||
CBTU4411EE | NXP Semiconductors | 半导体 逻辑 | 使能(EN)和选择信号(S0,S1)兼容sstl_18 优化用于双倍数据速率2(ddr2)sdram应用 适用于400 mbit / s至800 mbit / s,200 mhz至400 mhz ddr2数据总线 开关导通电阻旨在消除对ddr2 sdram的串联电阻的需要 12Ω导通电阻 受控的启用/禁用时间支持快速总线周转 伪差分选择输入支持精确且低偏斜的开关时间控制 Sn输入上的可选内置终端电阻 xdpn端口上的内部400下拉电阻 vbias输入可在禁用时实现最佳的dimm端口下拉 可配置为在空闲时在通道10上拉至3/4 V DD时支持差分选通 低差分偏斜 匹配的上升/下降摆率 低串扰数据-数据/数据-dqm 通过2位编码输入简化了1:4开关位置控制 单输入引脚将所有总线开关置于off(高阻)位置 每个Jesd78的闩锁保护超过500 mA esd保护超过Jesd22-a114的1500 V hbm和Jesd22-c101的750 V cdm | ||
CBTV24DD12ET | NXP Semiconductors | 嵌入式解决方案 评估板 - 模数转换器 (ADC) | 拓扑结构 12位总线宽度 1:2交换机/ mux拓扑 双向操作 简单的cmos选择引脚(sel0,sel1) 简单的cmos使能引脚(EN) 性能 3200 MT / s吞吐率 7.4 ghz带宽(用于单端和差分信号) 低导通损耗 低回波损耗 低串扰 高关断隔离 pod_12,sstl_12,sstl_15或sstl_18信令 低R ON(典型值为8Ω) 低ΔR ON(<1Ω) 一般属性 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V电源电压工作 极低的电源电流(典型值为600 µA) 这些开关的所有I / O引脚上的反向电流保护 esd耐用性超过2.5 kV hbm,1 kV cdm 采用tfbga48封装,3.0 mm×8.0 mm×1.0 mm尺寸,0.65 mm间距,无铅/深绿色 | ||
CBTW28DD14 | NXP Semiconductors | 嵌入式解决方案 评估板 - 模数转换器 (ADC) | 拓扑结构 14位总线宽度 1:2交换机/ mux拓扑 双向操作 简单cmos选择引脚(sel) 简单cmos使能引脚(EN) 性能 2.5 ghz带宽 低导通损耗 低串扰 高关断隔离 pod_12,sstl_12,sstl_135,sstl_15或sstl_18信令 低R ON(典型值为10) 一般属性 1.5 V或1.8 V电源电压工作 极低的电源电流(典型值为300μA) esd耐用性超过3 kV hbm,1 kV cdm 采用tfbga48封装,4.5 mm×4.5 mm×0.8 mm尺寸,0.5 mm间距,无铅/深绿色 |