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Image: NC7WZ38 NC7WZ38 ON Semiconductor 电源 电源管理 IC nc7wz38 是一款带开漏输出级的双 2 输入 nand 门极，属于安森美半导体的 tinylogic® 超高速系列。该器件使用先进的 cmos 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定 vcc 运行范围为 1.65 至 5.5V。当 vcc 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 7V，而无论 vcc 运行电压如何。高阻抗状态下，开漏输出级耐压高达 7V，而无论 vcc 如何。 特性 节省空间的us8表面贴装封装 micropak™无铅无引线封装 或绑定应用的开路漏极输出级 超高速；5V vcc时，tpd 2.2 ns典型值变为50 pF 高输出驱动：3V vcc时为24 mA 宽vcc工作范围：1.65v到5.5V 运行于3.3V vcc时，符合lcx性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进5 V至3 V转换 专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路已实施
Image: NC7WP14 NC7WP14 ON Semiconductor 半导体 逻辑 nc7wp14 是一款带施密特触发器输入的双逆变器，属于安森美半导体的 tinylogic® 超低功耗 (ulp) 系列。此产品适用于电池寿命至关重要的应用，在 0.9V 到 3.6V 的 vcc 运行范围内具有超低功耗。内部电路由一个最小的缓冲器级组成，其中包括输出缓冲器，可实现超低静态和动态功耗。nc7wp14 用于更低的驱动要求，具有优化的功耗和速度独特设计，采用先进的 cmos 工艺，可实现高速运行，同时和保持低 cmos 功耗。 特性 0.9V至3.6V vcc电源操作范围 vcc为0.9 V至3.6 V时，耐过压I/O为3.6 V tpd4.0 ns典型值，3.0V至3.6V vcc5.0 ns典型值，2.3V至2.7V vcc6.0 ns典型值，1.65v至1.95v vcc7.0 ns典型值，1.40v至1.60v vcc11.0 ns典型值，1.10v至1.30v vcc27.0 ns典型值，0.90v vcc 断电高阻抗输入和输出 静态驱动(ioh/iol)3.00v vcc时±2.6 mA、2.30v vcc时，±2.1 mA、1.65v vcc时±1.5 mA、1.40v vcc±1.0 mA、1.10v vcc时±0.5 mA、0.9V vcc时±20 µA 使用专有quiet series™ 噪声/电磁干扰(emi)消减电路 超小型micropak™ 无引线封装 超低动态功率
Image: STM1810 STM1810 STMicroelectronics 半导体 微控制器和微处理器 stm181x设备是用于监控微控制器电源的低功耗重置设备。它们执行一个单一的功能：每当vcc电源电压下降到预设值以下时，就断言一个复位信号，并将其保持断言，直到vccHA上升到高于预设阈值的最短时间（trec）。当与+3.0 V/+3.3 V（stm1815–stm1818）和+5 V（stm1810–stm1813）电源系统一起使用时，它们提供了出色的电路可靠性，无需额外的外部组件。
Image: STM1811 STM1811 STMicroelectronics 半导体 微控制器和微处理器 stm181x设备是用于监控微控制器电源的低功耗重置设备。它们执行一个单一的功能：每当vcc电源电压下降到预设值以下时，就断言一个复位信号，并将其保持断言，直到vccHA上升到高于预设阈值的最短时间（trec）。当与+3.0 V/+3.3 V（stm1815–stm1818）和+5 V（stm1810–stm1813）电源系统一起使用时，它们提供了出色的电路可靠性，无需额外的外部组件。
Image: STM1812 STM1812 STMicroelectronics 半导体 微控制器和微处理器 stm181x设备是用于监控微控制器电源的低功耗重置设备。它们执行一个单一的功能：每当vcc电源电压下降到预设值以下时，就断言一个复位信号，并将其保持断言，直到vccHA上升到高于预设阈值的最短时间（trec）。当与+3.0 V/+3.3 V（stm1815–stm1818）和+5 V（stm1810–stm1813）电源系统一起使用时，它们提供了出色的电路可靠性，无需额外的外部组件。
Image: NC7WZ241 NC7WZ241 ON Semiconductor 半导体 逻辑 nc7wz241 是一款具有 3 态输出的双非反相缓冲器。该输出启用电路组织为一个缓冲器为有效低电平，另一个缓冲器为有效高电平，因此实现了收发器操作。此超高速器件采用先进的 cmos 工艺制造，可实现卓越的开关性能和高输出驱动，同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定 vcc 运行范围为 1.65 至 5.5V。当 vcc 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，无论 vcc 运行范围如何。在 3 态条件下，输出耐压高于 vcc。 特性 节省空间的us8表面贴装封装 micropak™无铅无引线封装 超高速；5 V vcc时，50 pF内的tpd为2.6 ns（典型值） 高输出驱动：±24 mA，3V vcc 广泛的vcc工作电压范围： 1.65v至5.5V 运行于3.3V vcc时，符合lcx性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进5 V至3 V转换 输出在3态模式时可耐过压 专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路已实施
Image: NC7WZ240 NC7WZ240 ON Semiconductor 半导体 逻辑 nc7wz240 是一款双反相缓冲器，带独立的有效低电平启用，支持 3 态输出。此超高速器件采用先进的 cmos 工艺制造，可实现卓越的开关性能和高输出驱动，同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定 vcc 运行范围为 1.65 至 5.5V 。当 vcc 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，无论 vcc 运行范围如何。在 3 态条件下，输出耐压高于 vcc。 特性 节省空间的us8表面贴装封装 micropak™无铅无引线封装 超高速；5V vcc时，tpd 2.3 ns典型值变为50 pF 高输出驱动：±24 mA，3V vcc 广泛的vcc工作电压范围： 1.65v至5.5V 运行于3.3V vcc时，符合lcx性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进5V至3V的转换 输出在3态模式时可耐过压 专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路已实施
Image: NC7WZ132 NC7WZ132 ON Semiconductor 半导体 逻辑 nc7wz132 是一款双 2 输入 nand 门极，属于安森美半导体的 tinylogic® 超高速系列。该器件使用先进的 cmos 技术制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定在 1.65 至 5.5V 的 vcc 运行范围内运行。当 vcc 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 7V，而无论 vcc 运行电压如何。施密特触发器输入在 5V vcc 下可实现正向和负向输入阈值电压之间的 1V 典型迟滞值。 特性 节省空间的us8表面贴装封装 micropak™无铅无引线封装 超高速；5V vcc时，tpd 3.1 ns典型值变为50 pF 高输出驱动：±24 mA，3V vcc 宽vcc工作范围：1.65v到5.5V 运行于3.3V vcc时，符合lcx性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进5V至3V的转换
Image: NC7WZ126 NC7WZ126 ON Semiconductor 半导体 逻辑 nc7wz126是一款双通道同相缓冲器，具有用于3态输出的独立高电平有效使能引脚。 该超高速器件采用先进的cmos技术制造，可在高输出驱动下实现出色的开关性能，同时在宽vcc工作范围内保持较低的静态功耗。 该器件额定工作范围为1.65v至5.5V vcc。 当vcc为0V时，输出和输出处于高阻抗状态。 输入端容许电压达到5.5V，不受vcc工作范围的支配。 在处于3态状态时，输出可承受vcc以上的电压。 特性 节省空间的us8表面贴装封装 micropak™无铅无引线封装 超高速；5 V vcc时，50 pF内的tpd为2.6 ns（典型值） 高输出驱动：±24 mA，3V vcc 广泛的vcc工作电压范围： 1.65v至5.5V 运行于3.3V vcc时，符合lcx性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进5 V至3 V转换 输出在3态模式时可耐过压 专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路已实施
Image: NC7WZ125 NC7WZ125 ON Semiconductor 半导体 逻辑 nc7wz125 是一款双路非逆向缓冲器，带用于 3 态输出的独立有效低电平启用。该超高速器件使用先进的 cmos 技术制造，可实现出色的开关性能和高输出驱动，同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定在 1.65 至 5.5V 的 vcc 运行范围内运行。当 vcc 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，而无论 vcc 运行范围如何。在 3 态条件下，输出耐压高于 vcc。 特性 节省空间的us8表面贴装封装 micropak™无铅无引线封装 超高速；5 V vcc时，50 pF内的tpd为2.6 ns（典型值） 高输出驱动：±24 mA，3V vcc 宽vcc工作范围：1.65v到5.5V 运行于3.3V vcc时，符合lcx性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进5V至3V的转换 输出在3态模式时可耐过压 专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路已实施
Image: NC7WZ32 NC7WZ32 ON Semiconductor 半导体 逻辑 nc7wz32 是一款双 2 输入 OR 门极，属于安森美半导体的 tinylogic® 超高速系列。该器件使用先进的 cmos 技术制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定 vcc 运行范围为 1.65 至 5.5V。当 vcc 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 7V，而无论 vcc 运行电压如何。 特性 节省空间的us8表面贴装封装 micropak™无铅无引线封装 超高速度：tpd 2.4 ns（典型值），50 pF，5V vcc 高输出驱动：±24 mA，3V vcc 宽vcc工作范围：1.65v到5.5V 运行于3.3V vcc时，符合lcx性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进5V至3V的转换 专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路已实施
Image: NC7WZ17 NC7WZ17 ON Semiconductor 半导体 逻辑 nc7wz17 是一款带施密特触发器输入的双缓冲器，属于安森美半导体的 tinylogic® 超高速 (uhs) 系列。该器件使用先进的 cmos 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V vcc。当 vcc 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，而无论 vcc 运行电压任何。施密特触发器输入在 5V 下可实现正向和负向输入阈值电压之间的 1V 典型迟滞值。 特性 超高速： 5V vcc时，tpd 3.6ns（典型值）变为 50 pF 高输出驱动： 3V vcc时为 ±24 mA 宽 vcc工作电压范围： 1.65 V 至 5.5 V 运行于 3.3V vcc时，符合 lcx 性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进 5 V 至 3 V 转换 专有噪声/emi 消减电路 超小型 micropak™ 封装 节约空间的 sc70 封装
Image: NC7WZ16 NC7WZ16 ON Semiconductor 半导体 逻辑 nc7wz16 是安森美半导体的 tinylogic® 超高速系列双逆变器。该器件使用先进的 cmos 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V vcc。当 vcc 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，而无论 vcc 运行电压任何。 特性 超高速： 5V vcc时，tpd 2.4ns（典型值）变为50pf 高输出驱动： 3V vcc时为± 24ma 广泛的vcc工作电压范围： 1.65v至5.5V 运行于3.3V vcc时，符合lcx性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进5V至3V转换 专有噪声/emi消减电路 超小型micropak™ 封装 节约空间的sc70封装
Image: NC7WZ14 NC7WZ14 ON Semiconductor 半导体 逻辑 nc7wz14 是一款带施密特触发器输入的双逆变器，属于安森美半导体的 tinylogic® 超高速 (uhs) 系列，采用节省空间的 sc70 6 引线封装。该器件使用先进的 cmos 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V vcc。当 vcc 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 7V，而无论 vcc 运行电压任何。施密特触发器输入在 5V 下可实现正向和负向输入阈值电压之间的 1V 典型迟滞值。 特性 超高速： 5V vcc时，tpd 3.2ns（典型值）变为50pf 高输出驱动： 3V vcc时为± 24ma 广泛的vcc工作电压范围： 1.65v至5.5V 运行于3.3V vcc时，符合lcx性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进5V至3V转换 专有噪声/emi消减电路 超小型micropak™ 封装 节约空间的sc70封装
Image: NC7WZU04 NC7WZU04 ON Semiconductor 电源 电源管理 IC nc7wzu04是一款双通道无缓冲转换器，属于飞兆tinylogic®超高速系列，采用节省空间的sc70 6引脚封装。 专用无缓冲电路设计主要是用于晶体振荡器或模拟应用。 该器件采用先进的cmos技术制造，实现了超高速度和高输出驱动，同时能在很宽的vcc工作范围内保持较低的静态功耗。 该器件额定工作范围为1.65v至5.5V vcc。 当vcc为0V时，输入和输出处于高阻抗状态。 输入端容许电压达到7V，不受vcc工作电压的支配。 特性 节省空间的sc70 6引脚封装 超小型micropak™ 无引线封装 无缓冲，适用于晶体振荡器和模拟应用 平衡输出驱动： 4.5V vcc时为± 8 mA 广泛的vcc工作电压范围： 1.65v至5.5V 低静态功率： 5V vcc、Ticc 1 µA
Image: NC7WZ86 NC7WZ86 ON Semiconductor 电源 电源管理 IC nc7wz86 是一款双路 2 输入专用 OR 门极，属于安森美半导体的 tinylogic® 超高速系列。该器件使用先进的 cmos 技术制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定在 1.65 至 5.5V 的 vcc 范围内运行。当 vcc 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 7V，而无论 vcc 运行电压如何。 特性 节省空间的us8表面贴装封装 micropak™无铅无引线封装 超高速；5V vcc时，tpd 2.9 ns典型值变为50 pF 高输出驱动：3V vcc时为± 24 mA 宽 vcc工作范围：1.65 V 到 5.5 V 在 3.3 V 运行时可与 lcx 的性能媲美 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进 5 V 至 3 V 的转换 专利噪声/电磁干扰 (emi) 消减电路已实施
Image: STM1061 STM1061 STMicroelectronics 半导体 微控制器和微处理器 stm1061为探测器提供低电压监控电源。精密电压基准和比较器监控vcc输入，并将其与指定的电压阈值条件进行比较。当vcc降至规定的触发点阈值以下时，输出（out）强制为低，只要vcc输入保持在vth–+滞后（vhyst）以下，输出（out）就会保持断言。stm1061器件保证为vcc输出正确的逻辑状态，低至0.7V。它们也被设计成忽略vcc上的快速瞬变。
Image: 74AUP1G56 74AUP1G56 ON Semiconductor 半导体 逻辑 0.8 V至3.6 V vcc电源操作 vcc为0.8V至3.6V时，耐过压I/O为3.6V 极高速tpd 4.5 ns： 3.3V时的典型值 断电高阻抗输入和输出 低静态功耗 icc=0.9 µA（最大值） 低动态功耗3.3V时， cpd=4.0 pF（典型值） 超小型micropak™封装
Image: 74AUP1G57 74AUP1G57 ON Semiconductor 半导体 逻辑 74aup1g57是通用可配置2输入逻辑门，不仅性能高而且功耗低，是电池供电便携式应用的理想解决方案。 此产品设计用于较宽的低电压范围（0.8V到3.6V），确保在整个电压范围内具有极低的静态和动态功耗。 所有输入均利用滞后现象来执行，以允许慢速转换输入信号，并提高开关抗噪能力。 74aup1g57可提供多种功能，由三个输入的各种配置来确定。 可能的逻辑功能有and、Nand、OR、nor和Xnor，以及反相器和缓冲器。 特性 0.8V至3.6V vcc电源工作范围 vcc为0.8V至3.6V时，耐过压I/O为3.6V 高速tpd -2.9ns： 3.3V，典型值 断电高阻抗输入和输出 低静态功耗 - icc=0.9µA最大值 低动态功耗 3.3V时，- cpd=2.9pf典型值 超小型micropak™ 封装
Image: NC7WP32 NC7WP32 ON Semiconductor 半导体 逻辑 nc7wp32 是一款双通道 2 输入或门，属于飞兆 tinylogic® 中的超低功耗 (ulp) 系列。 适用于电池使用寿命至关重要的应用，此产品专为 0.9 V 至 3.6 V vcc的 vcc工作范围内的超低功耗而设计。 内部电路由最小量的反相器层级组成（包括输出缓冲器），以实现超低静态和动态功率。 nc7wp32 专为优化功耗和速度而设计，采用先进的 cmos 技术制造，在实现高速运行的同时又能保持极低的 cmos 功耗。

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