关键词lcx
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为您共找出"18"个相关器件
| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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2700425 | Phoenix Contact | |
连接器 射频互连 | RF terminators FL lcx 50-ohm-sma |
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2700677 | Phoenix Contact | |
连接器 射频互连 | RF cable assemblies FL lcx pig-ef142-N-N |
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2884994 | Phoenix Contact | |
电线和电缆 电线保护和管理 | cable ties FL lcx clamp |
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NC7WZ86 | ON Semiconductor | 电源 电源管理 IC | nc7wz86 是一款双路 2 输入专用 OR 门极，属于安森美半导体的 tinylogic® 超高速系列。该器件使用先进的 cmos 技术制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定在 1.65 至 5.5V 的 vcc 范围内运行。当 vcc 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 7V，而无论 vcc 运行电压如何。 特性 节省空间的us8表面贴装封装 micropak™无铅无引线封装 超高速；5V vcc时，tpd 2.9 ns典型值变为50 pF 高输出驱动：3V vcc时为± 24 mA 宽 vcc工作范围：1.65 V 到 5.5 V 在 3.3 V 运行时可与 lcx 的性能媲美 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进 5 V 至 3 V 的转换 专利噪声/电磁干扰 (emi) 消减电路已实施 | |
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NC7WZ38 | ON Semiconductor | 电源 电源管理 IC | nc7wz38 是一款带开漏输出级的双 2 输入 nand 门极，属于安森美半导体的 tinylogic® 超高速系列。该器件使用先进的 cmos 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定 vcc 运行范围为 1.65 至 5.5V。当 vcc 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 7V，而无论 vcc 运行电压如何。高阻抗状态下，开漏输出级耐压高达 7V，而无论 vcc 如何。 特性 节省空间的us8表面贴装封装 micropak™无铅无引线封装 或绑定应用的开路漏极输出级 超高速；5V vcc时，tpd 2.2 ns典型值变为50 pF 高输出驱动：3V vcc时为24 mA 宽vcc工作范围：1.65v到5.5V 运行于3.3V vcc时，符合lcx性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进5 V至3 V转换 专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路已实施 | |
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NC7WZ32 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | nc7wz32 是一款双 2 输入 OR 门极，属于安森美半导体的 tinylogic® 超高速系列。该器件使用先进的 cmos 技术制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定 vcc 运行范围为 1.65 至 5.5V。当 vcc 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 7V，而无论 vcc 运行电压如何。 特性 节省空间的us8表面贴装封装 micropak™无铅无引线封装 超高速度：tpd 2.4 ns（典型值），50 pF，5V vcc 高输出驱动：±24 mA，3V vcc 宽vcc工作范围：1.65v到5.5V 运行于3.3V vcc时，符合lcx性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进5V至3V的转换 专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路已实施 | |
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NC7WZ241 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | nc7wz241 是一款具有 3 态输出的双非反相缓冲器。该输出启用电路组织为一个缓冲器为有效低电平，另一个缓冲器为有效高电平，因此实现了收发器操作。此超高速器件采用先进的 cmos 工艺制造，可实现卓越的开关性能和高输出驱动，同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定 vcc 运行范围为 1.65 至 5.5V。当 vcc 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，无论 vcc 运行范围如何。在 3 态条件下，输出耐压高于 vcc。 特性 节省空间的us8表面贴装封装 micropak™无铅无引线封装 超高速；5 V vcc时，50 pF内的tpd为2.6 ns（典型值） 高输出驱动：±24 mA，3V vcc 广泛的vcc工作电压范围： 1.65v至5.5V 运行于3.3V vcc时，符合lcx性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进5 V至3 V转换 输出在3态模式时可耐过压 专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路已实施 | |
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NC7WZ240 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | nc7wz240 是一款双反相缓冲器，带独立的有效低电平启用，支持 3 态输出。此超高速器件采用先进的 cmos 工艺制造，可实现卓越的开关性能和高输出驱动，同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定 vcc 运行范围为 1.65 至 5.5V 。当 vcc 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，无论 vcc 运行范围如何。在 3 态条件下，输出耐压高于 vcc。 特性 节省空间的us8表面贴装封装 micropak™无铅无引线封装 超高速；5V vcc时，tpd 2.3 ns典型值变为50 pF 高输出驱动：±24 mA，3V vcc 广泛的vcc工作电压范围： 1.65v至5.5V 运行于3.3V vcc时，符合lcx性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进5V至3V的转换 输出在3态模式时可耐过压 专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路已实施 | |
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NC7WZ17 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | nc7wz17 是一款带施密特触发器输入的双缓冲器，属于安森美半导体的 tinylogic® 超高速 (uhs) 系列。该器件使用先进的 cmos 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V vcc。当 vcc 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，而无论 vcc 运行电压任何。施密特触发器输入在 5V 下可实现正向和负向输入阈值电压之间的 1V 典型迟滞值。 特性 超高速： 5V vcc时，tpd 3.6ns（典型值）变为 50 pF 高输出驱动： 3V vcc时为 ±24 mA 宽 vcc工作电压范围： 1.65 V 至 5.5 V 运行于 3.3V vcc时，符合 lcx 性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进 5 V 至 3 V 转换 专有噪声/emi 消减电路 超小型 micropak™ 封装 节约空间的 sc70 封装 | |
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NC7WZ16 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | nc7wz16 是安森美半导体的 tinylogic® 超高速系列双逆变器。该器件使用先进的 cmos 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V vcc。当 vcc 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，而无论 vcc 运行电压任何。 特性 超高速： 5V vcc时，tpd 2.4ns（典型值）变为50pf 高输出驱动： 3V vcc时为± 24ma 广泛的vcc工作电压范围： 1.65v至5.5V 运行于3.3V vcc时，符合lcx性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进5V至3V转换 专有噪声/emi消减电路 超小型micropak™ 封装 节约空间的sc70封装 | |
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NC7WZ14 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | nc7wz14 是一款带施密特触发器输入的双逆变器，属于安森美半导体的 tinylogic® 超高速 (uhs) 系列，采用节省空间的 sc70 6 引线封装。该器件使用先进的 cmos 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V vcc。当 vcc 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 7V，而无论 vcc 运行电压任何。施密特触发器输入在 5V 下可实现正向和负向输入阈值电压之间的 1V 典型迟滞值。 特性 超高速： 5V vcc时，tpd 3.2ns（典型值）变为50pf 高输出驱动： 3V vcc时为± 24ma 广泛的vcc工作电压范围： 1.65v至5.5V 运行于3.3V vcc时，符合lcx性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进5V至3V转换 专有噪声/emi消减电路 超小型micropak™ 封装 节约空间的sc70封装 | |
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NC7WZ132 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | nc7wz132 是一款双 2 输入 nand 门极，属于安森美半导体的 tinylogic® 超高速系列。该器件使用先进的 cmos 技术制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定在 1.65 至 5.5V 的 vcc 运行范围内运行。当 vcc 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 7V，而无论 vcc 运行电压如何。施密特触发器输入在 5V vcc 下可实现正向和负向输入阈值电压之间的 1V 典型迟滞值。 特性 节省空间的us8表面贴装封装 micropak™无铅无引线封装 超高速；5V vcc时，tpd 3.1 ns典型值变为50 pF 高输出驱动：±24 mA，3V vcc 宽vcc工作范围：1.65v到5.5V 运行于3.3V vcc时，符合lcx性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进5V至3V的转换 | |
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NC7WZ126 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | nc7wz126是一款双通道同相缓冲器，具有用于3态输出的独立高电平有效使能引脚。 该超高速器件采用先进的cmos技术制造，可在高输出驱动下实现出色的开关性能，同时在宽vcc工作范围内保持较低的静态功耗。 该器件额定工作范围为1.65v至5.5V vcc。 当vcc为0V时，输出和输出处于高阻抗状态。 输入端容许电压达到5.5V，不受vcc工作范围的支配。 在处于3态状态时，输出可承受vcc以上的电压。 特性 节省空间的us8表面贴装封装 micropak™无铅无引线封装 超高速；5 V vcc时，50 pF内的tpd为2.6 ns（典型值） 高输出驱动：±24 mA，3V vcc 广泛的vcc工作电压范围： 1.65v至5.5V 运行于3.3V vcc时，符合lcx性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进5 V至3 V转换 输出在3态模式时可耐过压 专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路已实施 | |
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NC7WZ125 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | nc7wz125 是一款双路非逆向缓冲器，带用于 3 态输出的独立有效低电平启用。该超高速器件使用先进的 cmos 技术制造，可实现出色的开关性能和高输出驱动，同时可在非常宽的 vcc 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定在 1.65 至 5.5V 的 vcc 运行范围内运行。当 vcc 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，而无论 vcc 运行范围如何。在 3 态条件下，输出耐压高于 vcc。 特性 节省空间的us8表面贴装封装 micropak™无铅无引线封装 超高速；5 V vcc时，50 pF内的tpd为2.6 ns（典型值） 高输出驱动：±24 mA，3V vcc 宽vcc工作范围：1.65v到5.5V 运行于3.3V vcc时，符合lcx性能 掉电高阻抗输入/输出 耐过压输入促进5V至3V的转换 输出在3态模式时可耐过压 专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路已实施 | |
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74LCX760 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | lcx760 是 lcx244 的开极-漏极版本。lcx760 包含八个独立的具有 3 态输出的非反相缓冲器。该器件可用作内存地址驱动器、时钟驱动器和总线导向的发射器/接收器。lcx760 适用于低压（2.5V 或 3.3V）vcc 应用，能够联接 5V 信号环境。lcx760 采用先进的 cmos 工艺，在保持 cmos 低功耗的同时，实现了高速运行。 特性 lcx244的漏极开路版本 5V容差输入和输出 提供2.3V-3.6V vcc规格 8.0 ns tpd最大值(vcc = 3.3V)，10 µA icc最大值 掉电高阻抗输入和输出 支持带电插/拔（注1） ±24 mA输出驱动(vcc = 3.0V) 实施专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁符合jedec jed78规定 静电放电(esd)性能： 人体模型> 2000v 机械模型> 200v | |
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74LCXH162244 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | lcxh162244包含16个具有3态输出的同相缓冲器，可用作存储器和地址驱动器、时钟驱动器或总线导向发射器/接收器。 该器件为半字节控制器件。 每个半字节均有独立的3态控制输入，可以短接在一起进行完整的16位运行。 lcxh162244数据输入包含有源总线保持电路，无需外部上拉电阻即可将未用或浮动数据输入保持在有效逻辑电平。 此外，输出包含等效26ohm（标称）串联电阻，以减小过冲和欠冲，其设计旨在使灌电流/源电流在vcc = 3.0V时达到12 mA。 lcxh162244设计用于接口能力达到5V信号环境的低压（2.5V或3.3V）vcc应用。 lcxh162244采用先进的cmos技术制造，以在实现高速运行的同时保持cmos低功耗。 特性 5V容差输入和输出电压 提供2.3V-3.6V vcc规格 输出端包含26ohm的等效串联电阻，从而不再需要外部终端电阻，并可减小过冲和欠冲 输入端总线保持功能避免了外部上拉/下拉电阻的需要。 5.3 ns tpd最大值(vcc = 3.0V)，20 µA icc最大值 掉电高阻抗输入和输出 ±12 mA输出驱动(vcc = 3.0V) 实施专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁性能超过500 mA 静电放电(esd)性能： 人体模型> 2000v 机械模型> 200v | |
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74LCXH16244 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | lcxh16244包含16个具有3态输出的同相缓冲器，可用作存储器和地址驱动器、时钟驱动器或总线导向发射器/接收器。 该器件为半字节控制器件。 每个半字节均有独立的3态控制输入，可以短接在一起进行完整的16位运行。 lcxh16244数据输入包含有源总线保持电路，无需外部上拉电阻即可将未用或浮动数据输入保持在有效逻辑电平。 lcxh16244设计用于接口能力达到5V信号环境的低压（2.5V或3.3V）vcc应用。 lcxh16244采用先进的cmos技术制造，以在实现高速运行的同时保持cmos低功耗。 特性 5V容差输入和输出电压 提供2.3V-3.6V vcc规格 4.5 ns tpd最大值(vcc = 3.0V)，20 µA icc最大值 输入端总线保持功能避免了外部上拉/下拉电阻的需要。 掉电高阻抗输入和输出 ±24 mA输出驱动(vcc = 3.0V) 实施专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁性能超过500 mA 静电放电(esd)性能： 人体模型> 2000v 机械模型> 200v 同样采用塑料微间距球栅阵列(fbga)封装 | |
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74LCXZ16244 | ON Semiconductor | 半导体 逻辑 | lcxz16244包含16个具有3态输出的同相缓冲器，可用作存储器和地址驱动器、时钟驱动器或总线导向发射器/接收器。 该器件为半字节控制器件。 每个半字节均有独立的3态控制输入，可以短接在一起进行完整的16位运行。 当vcc介于0V和1.5V之间时，lcxz16244在通电或断电期间处于高阻抗状态。 此设计将输出置于高阻抗状态(Z)，防止间歇性低阻抗负载或总线主导应用的失灵。 lcxz16244设计用于接口能力达到5V信号环境的低压（2.7V或3.3V）vcc应用。 lcxz16244采用先进的cmos技术制造，以在实现高速运行的同时保持cmos低功耗。 特性 5V容差输入和输出 保证通电/关断高阻抗 支持带电插/拔 提供2.7V-3.6V vcc规格 4.5 ns tpd最大值(vcc = 3.0V)，20 µA icc最大值 ±24 mA输出驱动(vcc = 3.0V) 实施专利噪声/电磁干扰(emi)消减电路 闩锁性能超过500 mA 静电放电(esd)性能： 人体模型> 2000v 机械模型> 200v 同样采用塑料细间距球栅阵列(fbga)封装（初始版） |
