关键词nch
- 标准
图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
---|---|---|---|---|---|
BD63002AMUV | Rohm Semiconductor | 机电产品 电机与驱动器 | 碱性无刷电机预驱动器__bd63002amuv.html'>bd63002amuv _bd63002amuv.html'>bd63002amuv是通过霍尔式传感器信号生成驱动信号,通过输入的控制信号进行pwm驱动的主轴无刷电机预驱动器。通过内置升压电路,可在外置输出功率晶体管中使用nch-nchMOS晶体管。另外,电源适用于12v系列,24v系列的任意一种,通过内置各种控制,保护功能,可适用于各种应用中。通过采用小型封装,可搭载至小型电机。 | ||
QS8K21 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4V驱动nch + nch mosfet_QS8K21 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
QS8K13 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4V驱动nch + nch mosfet_QS8K13 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
QS8K11 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4V驱动nch + nch mosfet_QS8K11 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
QS6K21 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 2.5V驱动nch + nch mosfet_QS6K21 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
QS6K1 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 2.5V驱动nch + nch mosfet_QS6K1 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
QS5K2 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 2.5V驱动nch + nch mosfet_QS5K2 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
EM6K7 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 1.2V驱动nch + nch mosfet_EM6K7 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
EM6K6 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 1.8V驱动nch + nch mosfet_EM6K6 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
EM6K34 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 0.9V驱动nch + nch mosfet_EM6K34 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
EM6K33 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 1.2V驱动nch + nch mosfet_EM6K33 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
EM6K31 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 2.5V驱动nch + nch mosfet_EM6K31 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
VT6K1 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 1.2V驱动nch + nch mosfet_VT6K1 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
US6K4 | Rohm Semiconductor | 半导体 TMS320TCIx无线基础设施 | 1.8V驱动nch + nch mosfet_US6K4 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
US6K2 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4V驱动nch + nch mosfet_US6K2 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
US6K1 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 2.5V驱动nch + nch mosfet_US6K1 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
UM6K34N | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 0.9V驱动nch + nch mosfet_UM6K34N 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
UM6K33N | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管(BJT) - 阵列 | 1.2V驱动nch + nch mosfet_UM6K33N 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
UM6K31N | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 2.5V驱动nch + nch mosfet_UM6K31N 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 | ||
SH8K32 | Rohm Semiconductor | 半导体 晶体管 | 4V驱动nch + nch mosfet_SH8K32 复合两颗nch mosfet。提供通过采用细微流程的“超低阻值的设备”,而在广泛领域中恢复应用的功率mosfet,并结合用途,以各种各样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 |