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Image: STS7N3LLH6 STS7N3LLH6 STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 mosfet N-channel 30 V, 0.025 ohm, 7 A stripfet(TM) VI dee, power mosfet
Image: RFUS2426BK1 RFUS2426BK1 Hammond Manufacturing 机电产品 硬件 racks & rack cabinet accessories fixed solid shelf 26" dee
Image: MAXQ1010 MAXQ1010 Maxim Integrated 半导体 微控制器 deepcover®嵌入式安全方案采用多重先进的物理安全机制保护敏感数据，提供最高等级的密钥存储安全保护。 deepcover安全微控制器(maxq1010)设计用于功耗和安全性至关重要的安全令牌应用和电池供电应用。 该系列微控制器具有32kb、64kb或128kb可编程闪存存储器，用于存储应用程序和数据。每个512B闪存存储器页均可支持20,000次擦除操作，每次可以编程16位。这种独特的架构可有效延长闪存的使用寿命。例如，采用4个闪存页面存储32b频繁变化的数据，有效写次数接近120万(4 x 512 x 20,000/32)。器件还包含1kb或2kb sram。此外，还具有额外的128b安全密钥存储sram，触发自毁输入时，将立即擦除该sram。 该款微控制器还包含硬件des引擎和aes加速器，允许应用程序快速响应质询，并对采用标准加密算法的其它器件进行认证。器件在所有应用中均采用真正的硬件随机数发生器(rng)，例如密钥生成、质询生成和随机填充。maxim提供认证应用所需的固件和参考设计。 器件采用多个通信接口，集成usb收发器和串口引擎使得usb应用具有极低的成本。其它通信接口选项包括iso 7816 uart、spi、I²C和标准usart (通用同步/异步接收-发送器)。此外，还具有实时时钟(rtc)，用于需要时基的安全应用。 为实现低功耗电池供电设计，器件提供超低功耗停止模式(400na，典型值)。该模式下，只有少数电路保持供电。唤醒源包括外部中断、电源失效中断、唤醒定时器中断和rtc中断。 设计人员需参考以下文档，以充分使用该器件的全部功能。数据资料包含引脚说明、特性概述和电气规格。勘误表包含了与已发布版本的电气规格差异。用户指南提供器件特性和工作相关的详细信息。 maxq1010 IC数据资料 maxq1010不同版本的勘误表(点击此处获取) maxq®系列用户指南 (english only) maxq系列用户指南：maxq1010补充资料(请联系相关产品线经理获取该资料) (english only)
Image: MAXQ1741 MAXQ1741 Maxim Integrated 半导体 微控制器 deepcover®嵌入式安全方案采用多重先进的物理安全机制保护敏感数据，提供最高等级的密钥存储安全保护。 deepcover安全微控制器(maxq1741)是低功耗微控制器，集成三轨磁条读卡器接口、I²C接口、两个spi接口和一个通用同步/异步收发器接口(usart)。安全功能包括aes加密引擎、硬件随机数发生器、电压攻击检测器和自毁输入引脚。单周期16位risc maxq® cpu提供强大的器件支持，通过在磁卡读卡器内部安装超级安全微控制器(内置高速硬件加密引擎)，为磁条读卡器提供高度可靠的安全保护。 器件提供16kb闪存和1152字节快速擦除非易失Sram (NV Sram)，一旦检测到篡改操作立即将其内容清零。NV Sram的最高128个字节可以用作数据ram或支持aes的工作ram。快速擦除功能确保在任何软件访问器件之前擦除1152字节存储器中的所有数据。可根据用户要求提供工厂预置的64位唯一序列号和/或用户密钥。微控制器工作在1.7V至3.6V较宽的电源范围，提供带有三轨磁条读卡器接口的用户应用固件。参考程序支持iso 7811、iso 7812和iso 7813标准读卡器。提供参考设计的源程序，可以根据定制读卡器的格式进行调整。 超低功耗停止模式提供极低功耗性能，停止模式下只有少数支持自毁检测事件的电路处于供电状态。当主电源上电、微控制器处于停止模式时，器件可以通过通用端口引脚或串口触发，退出停止模式。
Image: 38002-0623 38002-0623 Molex 连接器 接线端子板 terminal block tools & accessories BRackt deep 3304 pai ackt deep 3304 paiNT
Image: 38002-0629 38002-0629 Molex 连接器 接线端子板 terminal block tools & accessories BRackt deep 3308 pai ackt deep 3308 paiNT
Image: 63800-8355 63800-8355 Molex 工具 crimpers guard insert deep guard insert (deep)
Image: STP80N6F6 STP80N6F6 STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 mosfet N-CH 60v 110a stripfet VI deepgate
Image: STP360N4F6 STP360N4F6 STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 mosfet N-CH 40v 120a stripfet VI deepgate
Image: STP400N4F6 STP400N4F6 STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 mosfet N-CH 40v 120a stripfet VI deepgate
Image: STD80N4F6 STD80N4F6 STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 mosfet N-Ch 40v 80a stripfet VI deepgate
Image: STD120N4F6 STD120N4F6 STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 mosfet N-Ch 40v 4mohm 80a stripfet VI deepgate
Image: STP260N6F6 STP260N6F6 STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 mosfet N-Ch 60v 0.0016 ohm 180a deepgate VI
Image: STD10P6F6 STD10P6F6 STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 mosfet P-Ch 60v 0.15ohm 10a stripfet VI deepgate
Image: STL60N10F7 STL60N10F7 STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 mosfet N-CH 100v 0.013ohm 12a vii deepgate
Image: STB120N4LF6 STB120N4LF6 STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 mosfet N-Ch 40v 3.1 ohm stripfet VI deepgate
Image: STP165N10F4 STP165N10F4 STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 mosfet N-Ch 100v 4.1 160a stripfet deepgate
Image: STH315N10F7-6 STH315N10F7-6 STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 mosfet automotive N-channel 100 V, 1.9 mohm typ., 180 A stripfet(TM) vii deepgate(TM) power mosfet in h2pak-6 package
Image: STH315N10F7-2 STH315N10F7-2 STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 mosfet automotive N-channel 100 V, 1.9 mohm typ., 180 A stripfet(TM) vii deepgate(TM) power mosfet in h2pak-2 package
Image: STP95N3LLH6 STP95N3LLH6 STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 mosfet 30v N-chnl 80a stripfet VI deepgate

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