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图片
型号
厂商
标准
分类
描述
STP100N10F7
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
mosfet
N-Ch
100v
0.
0068mohm
80a
stripfetvii
150w
STS11N3LLH5
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
mosfet
N-
channel
30 V 0.
012
11a
stripfet2
STD100N10F7
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
mosfet
N-Ch
100v
0.
0068mohm
80a
stripfetvii
120w
STD65N55LF3
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
mosfet
N-Ch
55v
7.
0moh
110w
stripfetiii
80a
55v
STL8DN6LF3
STMicroelectronics
半导体
分离式半导体
mosfet
dual
N-Ch
60v
7.8A 22.
5mohm
stripfetiii
L120NH02V
STMicroelectronics
N-
channel
20v
- 0.
0025ohm
-
120a
-
power
FLAT(
6x5
)
stripfetiii
power
mosfet
W120NF10
STMicroelectronics
N-
channel
100v
- 0.
009ohm
-
110a
- TO-
247
- TO-
220
-
d2pak
stripfet2
power
mosfet
STP3015L
STMicroelectronics
N -
channel
30v
- 0.
013
ohm
-
40a
-
d2pak
/TO-
220
stripfeto
power
mosfet
STN3NE06L
STMicroelectronics
N -
channel
60v
- 0.10
ohm
- 3A -
sot
-
223
stripfeto
power
mosfet
STD17NF03L
STMicroelectronics
半导体
N-
channel
30v
- 0.
038
-
17a
-
dpak
/
ipak
stripfetii
mosfet
STB200NF04
STMicroelectronics
半导体
N-
channel
40v
-
120
A - 3.3
mohm
TO-
220
/
d2pak
/
i2pak
stripfetii
mosfet
STB3015
STMicroelectronics
N -
channel
30v
- 0.
013
ohm
-
40a
-
d2pak
/TO-
220
stripfeto
power
mosfet
STS3DPF30L
STMicroelectronics
dual
P -
channel
30v
- 0.
145ohm
- 3A SO-8
stripfeto
power
mosfet
STS3DPFS30
STMicroelectronics
P -
channel
30v
- 0.
065ohm
- 3A - S0-8
stripfeto
mosfet
plus
schottky
rectifier
STP45NE06FP
STMicroelectronics
N -
channel
60v
- 0.
022ohm
-
45a
- TO-
220
/TO-
220
FP
stripfeto
power
mosfet
STS5DNE30L
STMicroelectronics
N -
channel
30v
- 0.
039ohm
- 5A SO-8
stripfeto
power
mosfet
STB3015L
STMicroelectronics
N -
channel
30v
- 0.
013
ohm
-
40a
-
d2pak
/TO-
220
stripfeto
power
mosfet
B120NF10
STMicroelectronics
N-
channel
100v
- 0.
009ohm
-
110a
- TO-
247
- TO-
220
-
d2pak
stripfet2
power
mosfet
STH300NH02L-6
STMicroelectronics
半导体
晶体管
这种器件是一种 n 通道增强模式功率
mosfet
,采用意法半导体的
stripfettm
iii
技术生产,专门设计用于最小化导通电阻和栅极电荷,以提供卓越的开关性能。设计用于汽车应用和
aec
-
q101
限定的传导损耗,减少低外形,非常低的寄生电感,大电流封装
STL40DN3LLH5
STMicroelectronics
半导体
晶体管
这个器件是一个 n 沟道功率场效应晶体管,使用意法半导体的
stripfettm
h 5技术开发。该装置经过优化,实现了非常低的通态电阻,从而使
fom
在同类产品中名列前茅。
aec
-
q101
质量低通态电阻高雪崩加固/低栅极驱动功率损耗可控侧翼封装
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5737791
5801699
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5912489
6048007
6048008
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6231035
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8097200