关键词stripfettm
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| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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STH300NH02L-6 | STMicroelectronics | 半导体 晶体管 | 这种器件是一种 n 通道增强模式功率 mosfet，采用意法半导体的 stripfettm iii 技术生产，专门设计用于最小化导通电阻和栅极电荷，以提供卓越的开关性能。设计用于汽车应用和 aec-q101限定的传导损耗，减少低外形，非常低的寄生电感，大电流封装 | |
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STL40DN3LLH5 | STMicroelectronics | 半导体 晶体管 | 这个器件是一个 n 沟道功率场效应晶体管，使用意法半导体的 stripfettm h 5技术开发。该装置经过优化，实现了非常低的通态电阻，从而使 fom 在同类产品中名列前茅。 aec-q101质量低通态电阻高雪崩加固/低栅极驱动功率损耗可控侧翼封装 | |
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STL66N3LLH5 | STMicroelectronics | 半导体 晶体管 | 这个器件是一个 n 沟道功率场效应晶体管，使用意法半导体的 stripfettm h 5技术开发。该装置经过优化以实现非常低的通态电阻，从而使 fom 在同类产品中名列前茅。 aec-q101质量低通态电阻 r ds (on)高雪崩加固/低栅极驱动电源可损耗的侧翼封装 | |
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STL66DN3LLH5 | STMicroelectronics | 半导体 晶体管 | 这个器件是一个双 n 沟道功率场效应晶体管，使用意法半导体的 stripfettmh 5技术开发。该设备已经优化，以实现非常低的通态电阻，有助于一个最好的 fom，其中在同类。设计用于汽车应用和 aec-q101限定逻辑级别 v gs (th)175 ° c 最大结温度可湿性侧面包装 | |
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STL86N3LLH6AG | STMicroelectronics | 半导体 晶体管 | 该器件是采用 stripfettmh6技术研制的 n 沟道功率 mosfet，具有一种新的沟道栅结构。这种功率 mosfet 在所有容器中都表现出非常低的 rd (on)。 aec-q101质量的非常低的通电阻非常低的栅极极高雪崩耐用度低栅极驱动功率损耗逻辑水平可湿性侧翼封装 |
