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Image: RBR30NS40AFH RBR30NS40AFH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.62中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.36vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR30NS40A RBR30NS40A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级标准包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.62中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.36vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR30NS30AFH RBR30NS30AFH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrM [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.55中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.3vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR30NS30A RBR30NS30A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级标准包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrM [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.55中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.3vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR2VWM60A RBR2VWM60A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级标准包装尺寸[mm]1.3x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]2.0ifsm [A]20.0正向电压VF（最大）[V]0.65中频@正向电压[A]2.0反向电流IR（最大值）[mA]0.075vr @反向电流[V]60储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR2VWM40A RBR2VWM40A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准包装尺寸[mm]1.3x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]2.0ifsm [A]20.0正向电压VF（最大）[V]0.62中频@正向电压[A]2.0反向电流IR（最大值）[mA]0.05vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55
Image: RBR2VWM30A RBR2VWM30A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准包装尺寸[mm]1.3x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]2.0ifsm [A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.53中频@正向电压[A]2.0反向电流IR（最大值）[mA]0.05vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR2MM60CTF RBR2MM60CTF Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码sod-123fl套餐（jeita）SC-109b包装尺寸[mm]3.5x1.6（t = 0.8）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]2.0ifsm [A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.55中频@正向电压[A]2.0反向电流IR（最大值）[mA]0.12vr @反向电流[V]60储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR2MM60C RBR2MM60C Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准包装代码sod-123fl套餐（jeita）SC-109b包装尺寸[mm]3.5x1.6（t = 0.8）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]2.0ifsm [A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.55中频@正向电压[A]2.0反向电流IR（最大值）[mA]0.12vr @反向电流[V]60储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR1VWM30A RBR1VWM30A Rohm Semiconductor 传感器，变送器 温度传感器 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR1MM60A RBR1MM60A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR1MM40A RBR1MM40A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR1MM30A RBR1MM30A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR1LAM60A RBR1LAM60A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR1LAM40A RBR1LAM40A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR1LAM30A RBR1LAM30A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR15BM60A RBR15BM60A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR15BM40A RBR15BM40A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR15BM30A RBR15BM30A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR10T60ANZ RBR10T60ANZ Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150

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