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Image: STM32G431RB STM32G431RB STMicroelectronics 半导体 微控制器 核心：带fpu的arm®32位cortex®-M4 cpu，自适应实时加速器（art加速器），允许从闪存执行0等待状态，频率高达170 mhz，带有213个dmip、mpu、dsp指令 操作条件： vdd，vddA电压范围：1.71 V至3.6 V 数学硬件加速器 三角函数加速cordic 过滤数学加速器 回忆 128 KB闪存，支持ecc，专有代码读取保护（pcrop），安全存储区，1 KB otp 22 KB的sram，在前16 KB上执行硬件奇偶校验 常规增强器：指令和数据总线上的10 KB sram，带硬件奇偶校验（ccm sram） 重置和供应管理 上电/断电复位（por/pdr/bor） 可编程电压检测器（pvd） 低功耗模式：休眠、停止、待机和关机 用于rtc和备份寄存器的vbat电源 时钟管理 4～48mhz晶体振荡器 带校准的32 khz振荡器 内部16 mhz RC，带pll选项（±1%） 内部32 khz RC振荡器（±5%） 多达86个快速I/O 所有可映射到外部中断向量 多个具有5V容错能力的I/O 互连矩阵 12通道dma控制器 2个0.25µs的adc（最多23个通道）。分辨率高达16位，硬件过采样，0至3.6 V转换范围 4 x 12位dac通道 2个缓冲外部信道1 msps 2 x无缓冲内部通道15 msps 4 x超快轨对轨模拟比较器 3个运算放大器，可在pga模式下使用，所有终端均可使用 支持三个输出电压（2.048 V、2.5 V、2.95 V）的内部电压参考缓冲器（vrefbuf） 14定时器： 1 x 32位定时器和2 x 16位定时器，最多4个IC/OC/pwm或脉冲计数器和正交（增量）编码器输入 2 x 16位8通道高级电机控制定时器，最多8个pwm通道，死区时间生成和紧急停止 1 x 16位定时器，带2个IC/ocs，一个ocn/pwm，死区生成和紧急停止
Image: STM32G473MC STM32G473MC STMicroelectronics 半导体 微控制器 核心：带fpu的arm®32位cortex®-M4 cpu，自适应实时加速器（art加速器），允许从闪存执行0等待状态，频率高达170 mhz，带有213个dmip、mpu、dsp指令 操作条件： vdd，vddA电压范围：1.71 V至3.6 V 数学硬件加速器 三角函数加速cordic 过滤数学加速器 回忆 512 KB的闪存，支持ecc，两组读写，专有代码读取保护（pcrop），安全存储区，1 KB otp 96 KB的sram，在前32 KB上执行硬件奇偶校验 常规增强器：指令和数据总线上的32 KB sram，带硬件奇偶校验（ccm sram） 用于静态存储器的外部存储器接口fsmc支持sram、Psram、nor和nand存储器 四spi内存接口 重置和供应管理 上电/断电复位（por/pdr/bor） 可编程电压检测器（pvd） 低功耗模式：休眠、停止、待机和关机 用于rtc和备份寄存器的vbat电源 时钟管理 4～48mhz晶体振荡器 带校准的32 khz振荡器 内部16 mhz RC，带pll选项（±1%） 内部32 khz RC振荡器（±5%） 多达107个快速I/O 所有可映射到外部中断向量 多个具有5V容错能力的I/O 互连矩阵 16通道dma控制器 5 x 12位adc 0.25µs，最多42个通道。分辨率高达16位，硬件过采样，0至3.6 V转换范围 7 x 12位dac通道 3个缓冲外部信道1 msps 4 x无缓冲内部通道15 msps 7 x超快轨对轨模拟比较器 6 x运算放大器，可在pga模式下使用，所有终端均可使用 支持三个输出电压（2.048 V、2.5 V、2.95 V）的内部电压参考缓冲器（vrefbuf） 1617计时器： 2 x 32位定时器和2 x 16位定时器，最多4个IC/OC/pwm或脉冲计数器和正交（增量）编码器输入 3 x 16位8通道高级电机控制定时器，最多8个pwm通道，死区时间生成和紧急停止 1 x 16位定时器，带2个IC/ocs，一个ocn/pwm，死区生成和紧急停止 2 x 16位定时器，带IC/OC/ocn/pwm，死区生成和紧急停止 2个看门狗定时器（独立，窗口） 1 x systick定时器：24位下行计数器 2 x 16位基本计时器 1 x低功耗定时器
Image: STM32G473ME STM32G473ME STMicroelectronics 半导体 微控制器 核心：带fpu的arm®32位cortex®-M4 cpu，自适应实时加速器（art加速器），允许从闪存执行0等待状态，频率高达170 mhz，带有213个dmip、mpu、dsp指令 操作条件： vdd，vddA电压范围：1.71 V至3.6 V 数学硬件加速器 三角函数加速cordic 过滤数学加速器 回忆 512 KB的闪存，支持ecc，两组读写，专有代码读取保护（pcrop），安全存储区，1 KB otp 96 KB的sram，在前32 KB上执行硬件奇偶校验 常规增强器：指令和数据总线上的32 KB sram，带硬件奇偶校验（ccm sram） 用于静态存储器的外部存储器接口fsmc支持sram、Psram、nor和nand存储器 四spi内存接口 重置和供应管理 上电/断电复位（por/pdr/bor） 可编程电压检测器（pvd） 低功耗模式：休眠、停止、待机和关机 用于rtc和备份寄存器的vbat电源 时钟管理 4～48mhz晶体振荡器 带校准的32 khz振荡器 内部16 mhz RC，带pll选项（±1%） 内部32 khz RC振荡器（±5%） 多达107个快速I/O 所有可映射到外部中断向量 多个具有5V容错能力的I/O 互连矩阵 16通道dma控制器 5 x 12位adc 0.25µs，最多42个通道。分辨率高达16位，硬件过采样，0至3.6 V转换范围 7 x 12位dac通道 3个缓冲外部信道1 msps 4 x无缓冲内部通道15 msps 7 x超快轨对轨模拟比较器 6 x运算放大器，可在pga模式下使用，所有终端均可使用 支持三个输出电压（2.048 V、2.5 V、2.95 V）的内部电压参考缓冲器（vrefbuf） 1617计时器： 2 x 32位定时器和2 x 16位定时器，最多4个IC/OC/pwm或脉冲计数器和正交（增量）编码器输入 3 x 16位8通道高级电机控制定时器，最多8个pwm通道，死区时间生成和紧急停止 1 x 16位定时器，带2个IC/ocs，一个ocn/pwm，死区生成和紧急停止 2 x 16位定时器，带IC/OC/ocn/pwm，死区生成和紧急停止 2个看门狗定时器（独立，窗口） 1 x systick定时器：24位下行计数器 2 x 16位基本计时器 1 x低功耗定时器
Image: PI4IOE5V9554A PI4IOE5V9554A Diodes Incorporated 半导体 接口 pi4ioe5v9554是16引脚cmos器件，可为I 2 C总线/ smbus应用提供8位通用并行输入/输出（gpio）扩展，并已开发用于增强I 2 C总线I / O扩展器的diodes系列。这些改进包括更高的驱动能力，5 VI / O容差，更低的电源电流，单独的I / O配置，400 khz时钟频率以及更小的封装。当acpi电源开关，传感器，按钮，led，风扇等需要额外的I / O时，I / O扩展器提供了一种简单的解决方案。 pi4ioe5v9554由一个8位配置寄存器（输入或输出选择）组成。8位输入端口寄存器，8位输出端口寄存器和8位极性反转寄存器（高电平有效或低电平有效）。通过写入I / O配置位，系统主机可以将I / O启用为输入或输出。每个输入或输出的数据都保存在相应的输入端口或输出端口寄存器中。读寄存器的极性可以用极性反转寄存器反转。系统主机可以读取所有寄存器。尽管引脚对引脚和I 2 C总线地址与pcf8574系列兼容，但由于功能增强，需要对软件进行更改，并在应用笔记an469中进行了讨论。 当任何输入状态与其对应的输入端口寄存器状态不同时，pi4ioe5v9554的漏极开路中断输出将被激活，并用于向系统主设备指示输入状态已更改。上电复位会将寄存器设置为其默认值，并初始化设备状态机。 三个硬件引脚（A0，A1，A2）改变固定的I 2 C总线地址，最多允许八个设备共享相同的I 2 C总线/ smbus。pi4ioe5v9554与pi4ioe5v9554相同，区别在于固定的I 2 C总线地址不同，从而允许在同一I 2 C总线/ smbus上最多容纳十六个设备（每个设备八个）。 特征 工作电源电压范围为2.3V至5.5V 5V耐压I / O 极性反转寄存器 低电平有效中断输出 低待机电流 scl / sda输入上的噪声滤波器 上电无故障 内部上电复位 8个I / O引脚，默认为8个输入 0 Hz至400 khz时钟频率 esd保护超过Jesd22-a114的2000v hbm和超过Jesd22-c101的1000v cdm
Image: PI4IOE5V9554 PI4IOE5V9554 Diodes Incorporated 半导体 接口 pi4ioe5v9554是16引脚cmos器件，可为I 2 C总线/ smbus应用提供8位通用并行输入/输出（gpio）扩展，并已开发用于增强I 2 C总线I / O扩展器的diodes系列。这些改进包括更高的驱动能力，5 VI / O容差，更低的电源电流，单独的I / O配置，400 khz时钟频率以及更小的封装。当acpi电源开关，传感器，按钮，led，风扇等需要额外的I / O时，I / O扩展器提供了一种简单的解决方案。 pi4ioe5v9554由一个8位配置寄存器（输入或输出选择）组成。8位输入端口寄存器，8位输出端口寄存器和8位极性反转寄存器（高电平有效或低电平有效）。通过写入I / O配置位，系统主机可以将I / O启用为输入或输出。每个输入或输出的数据都保存在相应的输入端口或输出端口寄存器中。读寄存器的极性可以用极性反转寄存器反转。系统主机可以读取所有寄存器。尽管引脚对引脚和I 2 C总线地址与pcf8574系列兼容，但由于功能增强，需要对软件进行更改，并在应用笔记an469中进行了讨论。 当任何输入状态与其对应的输入端口寄存器状态不同时，pi4ioe5v9554的漏极开路中断输出将被激活，并用于向系统主设备指示输入状态已更改。上电复位会将寄存器设置为其默认值，并初始化设备状态机。 三个硬件引脚（A0，A1，A2）改变固定的I 2 C总线地址，最多允许八个设备共享相同的I 2 C总线/ smbus。pi4ioe5v9554与pi4ioe5v9554相同，区别在于固定的I 2 C总线地址不同，从而允许在同一I 2 C总线/ smbus上最多容纳十六个设备（每个设备八个）。 特征 工作电源电压范围为2.3V至5.5V 5V耐压I / O 极性反转寄存器 低电平有效中断输出 低待机电流 scl / sda输入上的噪声滤波器 上电无故障 内部上电复位 8个I / O引脚，默认为8个输入 0 Hz至400 khz时钟频率 esd保护超过Jesd22-a114的2000v hbm和超过Jesd22-c101的1000V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供的封装：tssop（l16），hvqfn16（3 x 3 x 0.85 mm）
Image: LTM4656 LTM4656 Analog Devices Inc 电源 电源管理 IC 势和特点 产品详情 完整的升压开关模式电源 宽输入电压范围：4.5 V 至 28 V 输出电压范围：6 V 至 36 V 4 A 持续输出电流 (12 vin，24 vout) 在负载、线路和温度范围内的最大总输出电压调节为 ±2％ 关断状态下输入断连 浪涌电流限制 外部频率同步 可编程频率（350 khz 至 780 khz） 并联均流 效率高达 98% 可选 burst mode® 运行 串联过流保护 过温保护 ltm4656-1 可调补偿版本 16 mm × 16 mm × 7.07 mm bga 封装
Image: NCS20094 NCS20094 ON Semiconductor 传感器，变送器 放大器 ncs2009x系列运算放大器提供轨对轨输入和输出操作，350 khz带宽，并有单、双和四种配置。轨对轨运行使设计者可以利用整个电源电压范围，同时利用350 khz带宽。ncs2009x可在1.8至5.5 V的电源电压下工作，温度范围为−40至125°C。在1.8 V电源下，该设备的转换速率为0.15 V/µs，同时每个通道仅消耗20µa的静态电流。由于这是一个cmos器件，高输入阻抗和低偏置电流使其成为连接各种信号传感器的理想选择。ncs2009x设备有多种紧凑的封装。
Image: AD215 AD215 Analog Devices Inc 传感器，变送器 放大器 隔离电压额定值：1,500 V（均方根值） 宽带宽：120 khz全功率带宽(-3 dB) 快速压摆率：6 V/μs 快速建立时间：9 µs 低谐波失真：-80 dB (1 khz) 低非线性度：±0.005% 宽输出范围：±10 V（最小值，缓冲） 内置隔离电源：±15 V（直流，±10 mA） 额定温度范围：-40°C至+85°C
Image: AD8229S AD8229S Analog Devices Inc 传感器，变送器 放大器 工作温度高达210°C 低噪声 -- 输入噪声：1 nV/√Hz -- 输出噪声：45 nV/√Hz 高共模抑制比（cmrr） -- 126 dB（最小值，G = 100） -- 80 dB（最小值，5 khz，G = 1） 出色的交流规格 -- 带宽：15 mhz （G = 1） -- 带宽：1.2 mhz （G = 100） -- 压摆率：22 V/μs -- 总谐波失真（thd）：130 dbc (1 khz, G = 1) 多功能 -- ±4 V至±17 V双电源供电 -- 增益通过单个电阻设置 （G = 1至1000）
Image: AD8422 AD8422 Analog Devices Inc 传感器，变送器 放大器 低功耗：: 静态电流：330 μA（最大值） 轨到轨输出 低噪声、低失真 1 khz时最大输入电压噪声为8 nV/√Hz rti噪声：0.15 µV p-p (G = 100) 2 kΩ负载时的非线性度：0.5 ppm (G=1) 出色的交流特性 10 khz时的cmrr：80 dB（最小值，G = 1） 带宽：2.2 mhz (G = 1) 高精度直流性能(ad8422brz) cmrr：150 dB（最小值，G = 1000） 增益误差：0.04%（最大值，G = 1000） 输入失调漂移：0.3 μV/°C（最大值） 输入偏置电流：0.5 nA（最大值） 宽电源范围 4.6 V至36 V单电源供电 双电源：±2.3 V至±18 V 输入过压保护： 40 V电源反向保护 增益范围：1至1000
Image: AD8429 AD8429 Analog Devices Inc 传感器，变送器 放大器 优势和特点 产品详情 低噪声 -- 输入噪声：1 nV/√Hz -- 输出噪声：45 nV/√Hz 高精度直流性能(ad8429brz) -- cmrr：90 dB（最小值，G = 1） -- 输入失调电压：50 μV（最大值） -- 增益精度：0.02%（最大值，G = 1） 出色的交流规格 -- cmrr：80 dB（至5 khz，G = 1） -- 带宽：15 mhz (G = 1) -- 带宽：1.2 mhz (G = 100) -- 压摆率：22 V/μs -- 总谐波失真(thd)：130 dbc（1 khz，G = 1） 多功能 -- ±4 V至±18 V双电源供电 -- 增益通过单个电阻设置（G = 1至10,000） 额定温度范围： −40°C至+125°C
Image: AD8229 AD8229 Analog Devices Inc 传感器，变送器 放大器 工作温度高达210°C 低噪声 -- 输入噪声：1 nV/√Hz -- 输出噪声：45 nV/√Hz 高共模抑制比(cmrr) -- 128 dB（最小值，G = 100） -- 80 dB （最小值，5 khz，G = 1） 出色的交流规格 -- 带宽：15 mhz (G = 1) -- 带宽：1.2 mhz (G = 100) -- 压摆率：22 V/μs -- 总谐波失真（thd）：130 dbc（1 khz，G = 1） 多功能 -- ±4 V至±17 V双电源供电 -- 增益通过单个电阻设置（G = 1至1000） -- 温度范围： sbdip封装：−40°C至+210°C soic封装：−40°C至+175°C 下载ad8229-kgd数据手册。 已知良好的裸片完全保证数据手册规格。
Image: AD8229 AD8229 Analog Devices Inc 传感器，变送器 放大器 优势和特点 产品详情 工作温度高达210°C 低噪声 -- 输入噪声：1 nV/√Hz -- 输出噪声：45 nV/√Hz 高共模抑制比(cmrr) -- 128 dB（最小值，G = 100） -- 80 dB （最小值，5 khz，G = 1） 出色的交流规格 -- 带宽：15 mhz (G = 1) -- 带宽：1.2 mhz (G = 100) -- 压摆率：22 V/μs -- 总谐波失真（thd）：130 dbc（1 khz，G = 1） 多功能 -- ±4 V至±17 V双电源供电 -- 增益通过单个电阻设置（G = 1至1000） -- 温度范围： sbdip封装：−40°C至+210°C soic封装：−40°C至+175°C 下载ad8229-kgd数据手册。 已知良好的裸片完全保证数据手册规格。
Image: P82B715 P82B715 NXP Semiconductors 半导体 接口 双路，双向，单位电压增益缓冲器，无需外部方向控制 与i2c总线及其衍生产品smbus，pmbus，ddc等兼容 逻辑信号电平可能包括（但不超过）电源和接地 逻辑信号输入电压电平输出不变，与V CC无关 x10阻抗变换，但不改变逻辑电压电平 电源电压范围3 V至12 V 在其他系统延迟允许的情况下，时钟速度至少为100 khz和400 khz esd保护超过每mil 2500 V hbm。符合Jesd22-a115的std 883c-3015.7和400 V MM（I / O具有连接至vcc和gnd的二极管） 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行
Image: PCA9509 PCA9509 NXP Semiconductors 半导体 接口 双向缓冲器隔离电容，并在设备的端口B上允许400 pF的电容 从端口A（1.35 V至V CC（B） ‑ 1.0 V）到端口B（3.0 V至5.5 V）的电压电平转换 在较低电压端口A上不需要外部上拉电阻 高电平有效中继器使能输入 开漏输入/输出 无锁操作 支持中继器的仲裁和时钟延长 容纳标准模式和快速模式I²C总线设备以及多个主机 断电的高阻抗I²C总线引脚 端口A的工作电源电压范围为1.35 V至V CC（B） -1.0 V，端口B的工作电源电压范围为3.0 V至5.5 V 5 V耐压端口B scl，sda和使能引脚 0 Hz至400 khz时钟频率 备注：由于中继器增加了延迟，因此最大系统工作频率可能小于400 khz。 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供的封装：tssop8，so8，xqfn8
Image: PCA9516 PCA9516 NXP Semiconductors 半导体 接口 5通道双向缓冲器 兼容I²C总线和smbus 高电平有效个人中继器使能输入 开漏输入/输出 无锁操作 支持中继器的仲裁和时钟延长 容纳标准模式和快速模式I²C总线设备以及多个主机 断电的高阻抗I²C总线引脚 工作电源电压范围为2.3 V至3.6 V 5.5 V耐压I²C总线和使能引脚 0 Hz至400 khz时钟频率1 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm，每个Jesd22-a115 200 V MM和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供的封装：so16和tssop16 1.由于转发器增加了延迟，因此最大系统工作频率可能小于400 khz。
Image: PCA9519 PCA9519 NXP Semiconductors 半导体 接口 4通道（4个scl / sda对）双向缓冲器隔离电容，并在设备的端口B上允许400 pF的电容 从端口A（1 V至V CC（B） -1.5 V）到端口B（3.0 V至5.5 V）的电压电平转换 在较低电压端口A上不需要外部上拉电阻 高电平有效中继器使能输入 开漏输入/输出 无锁操作 支持中继器的仲裁和时钟延长 容纳标准模式和快速模式I²C总线设备以及多个主机 断电的高阻抗I²C总线引脚 工作电源电压范围为1.0 V至V CC（B） -端口A为1.5 V，端口B为3.0 V至5.5 V 5 V耐压B侧scl和sda和使能引脚 B侧输入上的50 ns毛刺滤波器 0 Hz至400 khz时钟频率 注意：由于中继器增加了延迟，因此最大系统工作频率可能小于400 khz。 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供的封装：tssop20，hvqfn24
Image: LinkSwitch-HP LinkSwitch-HP Power Integrations 附件 适配器 产品特色 ecosmart™ – 高效节能 多模式控制可提高整个负载范围的效率 在230 vac输入时空载功耗低于30 mW 在230 vac输入和1 W输入功率时效率>75% 在230 vac输入和0.1 W输入功率时效率>50% 提高设计灵活性，降低系统成本 可大大简化电源设计 132 khz工作频率可减小变压器及电源的尺寸 可实现精确的流限编程 频率调制技术可降低emi滤波元件的成本 完全集成的软启动电路可降低器件的启动应力 725 V mosfet可简化设计，轻松满足降额要求(lnk677x) 650 V mosfet可实现最低系统成本(lnk676x/lnk666x) 可选快速瞬态响应产品系列(lnk666x)产品特色 ecosmart™ – 高效节能 多模式控制可提高整个负载范围的效率 在230 vac输入时空载功耗低于30 mW 在230 vac输入和1 W输入功率时效率>75% 在230 vac输入和0.1 W输入功率时效率>50% 提高设计灵活性，降低系统成本 可大大简化电源设计 132 khz工作频率可减小变压器及电源的尺寸 可实现精确的流限编程 频率调制技术可降低emi滤波元件的成本 完全集成的软启动电路可降低器件的启动应力 725 V mosfet可简化设计，轻松满足降额要求(lnk677x) 650 V mosfet可实现最低系统成本(lnk676x/lnk666x) 可选快速瞬态响应产品系列(lnk666x)
Image: IRG4PC30UDPBF IRG4PC30UDPBF International Rectifier 半导体 分离式半导体 igbt transistors 600v ultrafast 8-60 khz copack igbt
Image: IRG4PC40SPBF IRG4PC40SPBF International Rectifier 半导体 分离式半导体 igbt transistors 600v DC-1 khz (std) discrete igbt

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