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Image: DRV3201-Q1 DRV3201-Q1 Texas Instruments 机电产品 电机与驱动器 符合汽车应用 要求 具有下列结果的 aec-q100 测试指南： 器件温度 1 级：-40°C 至 125°C 的环境工作温度范围 器件人体放电模式 (hbm) 静电放电 (esd) 分类等级 2 器件 cdm esd 分类等级 C3 针对电机控制的 3 相位桥式驱动器 驱动 6 个单独的 N 通道功率 MOSfet（栅极电荷高达 250nc） 可编程的 140ma 至 1A 栅极电流驱动能力（拉电流/灌电流），用于轻松调节输出斜率 所有 fet 驱动器引脚上的电压均符合 –7V 至 40v 标准以便处理电感下冲和过冲
Image: UCC27282-Q1 UCC27282-Q1 Texas Instruments 半导体 功率驱动器 具有符合 aec-q100 标准的下列特性： 器件温度 1 级 器件 hbm esd 分类等级 1B 器件 cdm esd 分类等级 C3 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 mosfet 5V 典型欠压锁定 输入互锁 在 drc 封装中启用/禁用功能 16ns 典型传播延迟 1.8nf 负载时的上升时间为 12ns，下降时间为 10ns 1ns 典型延迟匹配 输入上的 5V 负电压处理 HS 上的 14v 负电压处理 3.5A 灌电流，2.5A 拉电流输出 绝对最大启动电压为 120v 禁用时消耗的电流很低 (7µA) 集成的自举二极管 额定结温范围为 –40°C 至 150°C
Image: SE97BTP SE97BTP NXP Semiconductors 传感器，变送器 温度传感器 2.1一般特征 jedec（JC-42.4）dimm温度传感器以及用于串行状态检测（spd）的256字节串行eeprom 用于分布式多点应用的sda开漏输出设计 关断电流：0.1 µA（典型值）和5.0 µA（最大值） 上电复位：1.8 V（典型值） 2线接口：兼容i2c总线/ smbus，0 Hz至400 khz smbus警报响应地址和超时时间为25 ms至35 ms（可编程） esd保护超过每个Jesd22-a114 2500 V hbm，每个Jesd22-a115 250 V MM和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 采用hwson8封装
Image: PCT2202UK PCT2202UK NXP Semiconductors 传感器，变送器 温度传感器 微小的wlcsp6封装 精度：0°C至+85°C时为0.5°C 低静态电流： 30μA有效 1 A关断 电源范围：1.8 V±0.15 V 分辨率：12位 两线制I 2 C总线串行接口，包括HS模式3.4 mhz 与tmp102相同的固件 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行
Image: UCC27712-Q1 UCC27712-Q1 Texas Instruments 机电产品 电机与驱动器 符合面向汽车应用的 aec-q100标准 器件 hbm 分类等级 1C 器件 cdm 分类等级 c4b 高侧和低侧配置 双输入，带输出互锁和 150ns 死区时间 在高达 620v 的电压下完全可正常工作，HB 引脚上的绝对最高电压为 700v vdd 建议范围为 10v 至 20v 峰值输出电流 2.8A 灌电流、1.8A 拉电流 50v/ns 的 dv/dt 抗扰度 HS 引脚上的逻辑运行电压高达 –11v 输入负电压容差为 –5V 大型负瞬态安全工作区 为两个通道提供 uvlo 保护 短传播延迟（典型值 100ns） 延迟匹配（典型值 12ns） 低静态电流 ttl 和 cmos 兼容输入 行业标准 soic-8 封装 所有参数额定温度范围：–40°C 至 +125°C
Image: UCC27212A-Q1 UCC27212A-Q1 Texas Instruments 机电产品 电机与驱动器 符合汽车应用 要求 具有符合 aeca-q100 标准的下列特性： 器件温度等级 –40°C 至 +140°C 器件 hbm 分类等级 2 器件 cdm 分类等级 C6 5V 关断欠压锁定 (uvlo) 通过独立输入驱动高侧和低侧配置中的两个 N 沟道 mosfet 最大引导电压 120v 直流 4A 拉电流，4A灌电流能力 0.9Ω 上拉和下拉电阻 输入引脚能够耐受 –10v 至 +20v 的电压，并且与电源电压范围无关 ttl 兼容输入 5V 至 17v vdd 工作范围，（最大绝对值 20v） 7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间（采用 1000pf 负载） 快速传播延迟时间（典型值 20ns） 4ns 典型延迟匹配 采用 soic8(powerpad) 封装
Image: AD8233 AD8233 Analog Devices Inc 传感器，变送器 放大器 优势和特点 产品详情 完全集成的单导联心电图 (ecg) 前端 低静态电源电流：50 μA（典型值） 在关断 (<1 μA 的电源电流) 情况下检测导联开/关状态 共模抑制比：80 dB（直流至 60 Hz） 2 种或 3 种电极配置 高信号增益 (G = 100) 以及隔直流功能 二极可调高通滤波器 接受高达 ±300 mV 的半电池电势 快速恢复功能可改善滤波器建立时间 通用运算放大器 具有可调增益的三极可调低通滤波器 具有关断功能的集成右腿驱动 (rld) 放大器 单电源供电：1.7 V 至 3.5 V 集成基准缓冲器产生虚地 轨至轨输出 内部 rfi 滤波器 8 kV 人体模型 (hbm) esd 额定值 关断引脚 2 mm × 1.7 mm wlcsp
Image: AD8232 AD8232 Analog Devices Inc 传感器，变送器 放大器 全集成式单导联ecg前端 低供电电流：170 μA（典型值） 共模抑制比：80 dB（DC至60 Hz） 两个或三个电极配置 高信号增益(G = 100)，带DC阻塞能力 2极点可调高通滤波器 接受高达±300 mV的半电池电位 快速恢复功能减少了滤波器的建立时间 无使用约束运算放大器 3极点可调低通滤波器，带可调增益 导联脱落检测：交流或直流选择 集成右腿驱动(rld)放大器 单电源供电：2.0 V至3.5 V 集成基准电压缓冲器产生虚拟地 轨到轨输出 内部rfi滤波器 8 kV hbm esd额定值 关断引脚 20引脚4 mm × 4 mm lfcsp封装 通过汽车应用认证
Image: AD8237 AD8237 Analog Devices Inc 传感器，变送器 放大器 通过2个外部电阻设置增益 可在所有增益下实现低增益漂移 非常适合电池供电的仪器仪表 电源电流：115 μA 轨到轨输入和输出 零输入交越失真 针对出色的直流性能而设计 最小共模抑制比(cmrr)：106 dB 最大失调电压漂移： 0.3 μV/°C 欲了解更多特性，请参考数据手册 带宽模式引脚(BW)用于调节补偿 8 kV hbm esd额定值 片内rfi滤波器 单电源供电： 1.8 V至5.5 V 8引脚msop封装
Image: LM5113-Q1 LM5113-Q1 Texas Instruments 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 符合汽车应用 标准 具有符合 aec-q100 标准的下列特性： 器件温度 1 级：–40°C 至 125°C 的环境工作温度范围 器件 hbm esd 分类等级 1C 器件带电器件模型 (cdm) esd 分类等级 C6 独立的高侧和低侧ttl 逻辑输入 1.2A 峰值拉电流能力，5A 峰值灌电流能力 高侧浮动偏置电压轨 工作电压高达 100vdc 内部自举电源电压钳位 分离输出实现可调的 开通和关断应力 0.6Ω 下拉电阻，2.1Ω 上拉电阻 快速传播时间（典型值为 28ns） 优异的传播延迟 （典型值为 1.5ns) 电源轨欠压锁定 低功耗
Image: UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 Texas Instruments 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 适用于汽车电子 应用 具有符合 aec-q100 标准的下列结果： 器件温度等级：–40°C 至 +140°C 的工作环境温度范围 器件人体放电模式 (hbm) 分类等级 2 器件组件充电模式 (cdm) 分类等级 C6 可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (mosfet) 最大引导电压 120v 直流 4A 吸收，4A 源输出电流 0.9Ω 上拉和下拉电阻 输入引脚能够耐受 –10v 至 +20v 的电压，并且与电源电压范围无关 ttl 兼容输入 8V 至 17v vdd 运行范围（绝对最大值 20v） 7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间（采用 1000pf 负载时） 快速传播延迟时间（典型值 20ns） 4ns 延迟匹配 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能 采用行业标准 SO-powerpad soic-8 封装 －40℃ 至 +140°C 的额定温度范围
Image: LM5113-Q1 LM5113-Q1 Texas Instruments 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 符合汽车应用 标准 具有符合 aec-q100 标准的下列特性： 器件温度 1 级：–40°C 至 125°C 的环境工作温度范围 器件 hbm esd 分类等级 1C 器件带电器件模型 (cdm) esd 分类等级 C6 独立的高侧和低侧ttl 逻辑输入 1.2A 峰值拉电流能力，5A 峰值灌电流能力 高侧浮动偏置电压轨 工作电压高达 100vdc 内部自举电源电压钳位 分离输出实现可调的 开通和关断应力 0.6Ω 下拉电阻，2.1Ω 上拉电阻 快速传播时间（典型值为 28ns） 优异的传播延迟 （典型值为 1.5ns) 电源轨欠压锁定 低功耗
Image: AD8428 AD8428 Analog Devices Inc 传感器，变送器 放大器 固定增益为 2000 可访问内部节点提供了灵活性 低噪声：1.5 nV/√Hz 输入电压噪声 高精度直流性能 增益漂移：10 ppm/°C 失调漂移1 μV/°C 增益精度：0.2% cmrr:130 dB（最小值） 出色的交流规格 带宽：3.5 mhz 压摆率：40 V/μs 电源范围： ±4 V 至 ±18 V 8引脚soic封装 esd 保护 >5000 V (hbm) 指定性能的温度范围： −40°C 至 +85°C 工作温度高达 125°C
Image: PCA9846 PCA9846 NXP Semiconductors 集成电路 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 超低电压运行，低至0.8 V，可与下一代cpu接口 四分之一双向转换开关 Fm +I²C总线接口逻辑；与smbus标准兼容 2个地址引脚，最多可在I²C总线上使用16个设备 通过I²C总线进行频道选择 取消选择所有开关通道的上电 低R上的开关 允许在0.8 V，1.8 V，2.5 V和3.3 V总线之间进行电压电平转换 通过I²C总线软件命令重置 I²C设备ID功能 上电无故障 支持热插入，因为在上电时取消了所有通道的选择 低待机电流 3.6 V耐压输入 0 Hz至1 mhz时钟频率 esd保护超过每个Jesd22-a114 6000 V hbm和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供两种封装：tssop16和hvqfn16
Image: PCA9848 PCA9848 NXP Semiconductors 集成电路 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 超低电压运行，低至0.8 V，可与下一代cpu接口 八选一双向转换开关 Fm +I²C总线接口逻辑；与smbus标准兼容 低电平有效复位输入 2个地址引脚，最多可在I²C总线上使用16个设备 通过I²C总线进行频道选择 取消选择所有开关通道的上电 低R上的开关 允许在0.8 V，1.8 V，2.5 V和3.3 V总线之间进行电压电平转换 通过I²C总线软件命令重置 I²C设备ID功能 上电无故障 支持热插入，因为在上电时取消了所有通道的选择 低待机电流 3.6 V耐压输入 0 Hz至1 mhz时钟频率 esd保护超过每个Jesd22-a114 6000 V hbm和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供两种封装：tssop24和hvqfn24
Image: PCA9847 PCA9847 NXP Semiconductors 集成电路 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 超低电压运行，低至0.8 V，可与下一代cpu接口 8选1双向翻译多路复用器 Fm +I²C总线接口逻辑；与smbus标准兼容 低电平有效复位输入 2个地址引脚，最多可在I²C总线上使用16个设备 通过I²C总线进行频道选择 取消选择所有多路复用器通道的加电 低R上的开关 允许在0.8 V，1.8 V，2.5 V和3.3 V总线之间进行电压电平转换 通过I²C总线软件命令重置 I²C设备ID功能 上电无故障 支持热插入，因为在上电时取消了所有通道的选择 低待机电流 3.6 V耐压输入 0 Hz至1 mhz时钟频率 esd保护超过每个Jesd22-a114 6000 V hbm和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供两种封装：tssop24和hvqfn24
Image: PCA9548A PCA9548A NXP Semiconductors 集成电路 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 8合1双向转换开关 I²C总线接口逻辑；与smbus标准兼容 低电平有效复位输入 三个地址引脚，最多可在I²C总线上支持八个设备 通过I²C总线进行通道选择，任意组合 取消选择所有开关通道的上电 低R上的开关 允许在1.8 V，2.5 V，3.3 V和5 V总线之间进行电压电平转换 上电无故障 支持热插入 低待机电流 工作电源电压范围为2.3 V至5.5 V 6 V耐压输入 0 Hz至400 khz时钟频率 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供三种封装：so24，tssop24和hvqfn24
Image: PCA9548A PCA9548A NXP Semiconductors 集成电路 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 8合1双向转换开关 I²C总线接口逻辑；与smbus标准兼容 低电平有效复位输入 三个地址引脚，最多可在I²C总线上支持八个设备 通过I²C总线进行通道选择，任意组合 取消选择所有开关通道的上电 低R上的开关 允许在1.8 V，2.5 V，3.3 V和5 V总线之间进行电压电平转换 上电无故障 支持热插入 低待机电流 工作电源电压范围为2.3 V至5.5 V 6 V耐压输入 0 Hz至400 khz时钟频率 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供三种封装：so24，tssop24和hvqfn24
Image: PCA9547 PCA9547 NXP Semiconductors 集成电路 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 8选1双向翻译多路复用器 I²C总线接口逻辑；与smbus标准兼容 低电平复位输入有效 3个地址引脚，最多可在I²C总线上使用8个设备 通过I²C总线进行频道选择，一次仅一个频道 上电且取消选中所有通道，但已连接的通道0除外 低R上多路复用 允许在1.8 V，2.5 V，3.3 V和5 V总线之间进行电压电平转换 上电无故障 支持热插入 低待机电流 工作电源电压范围为2.3 V至5.5 V 5 V耐压输入 0 Hz至400 khz时钟频率 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供的封装：so24，tssop24，hvqfn24
Image: MC100LVEL32 MC100LVEL32 ON Semiconductor 集成电路 时钟/计时 - 专用 510ps传播延迟 2.6 ghz典型最大频率 esd保护：>4 KV hbm，>200 V MM 100系列包含温度补偿 pecl模式工作范围：vcc=3.0 V至3.8 V，V E=0 V necl模式工作范围：vcc=0 V，V形=-3.0 V至-3.8 V 内部输入下拉电阻器 符合或超过jedec规范eia/Jesd78 IC闭锁试验 湿敏等级1 有关更多信息，请参阅应用说明和8003/D 可燃性等级：UL-94代码V-0@1/8“，氧指数28至34 晶体管计数=111个设备 提供无铅包装

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