关键词uvlo
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| 图片 | 型号 | 厂商 | 标准 | 分类 | 描述 |
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ADuM4122 | Analog Devices Inc | 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 | 每个输出引脚 2 A 输出电流 (<3 Ω rdson_x) 3 A 峰值短路电流 3.3 V 至 6.5 V、vdd1 4.5 V 至 35 V、vdd2 正向阈值，uvlo（3.3 V vdd1 时） vdd2 上存在多个正向阈值 uvlo 选项 A 级：4.4 V（典型值）正向阈值，uvlo B 级：7.3 V（典型值）正向阈值，uvlo C 级：11.3 V（典型值）正向阈值，uvlo 精准定时特性 下降缘传播延迟最大 48 ns cmos 输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：>150 kV/µs 高工作结温：125°C 默认低电平输出 可选择的压摆率控制 安全和监管审批（申请中） UL 认证：符合 UL 1577 5 kV rms 持续 1 分钟 csa 元件验收通知 5A vde 符合性证书（申请中） din V vde V 0884-10 viorm = 849 V 峰值 8 引脚宽体 soic_ic 封装 | |
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ADuM4121-1 | Analog Devices Inc | 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 | 峰值输出电流：2 A (<2 Ω rdson) 2.5 V至6.5 V输入 4.5 V至35 V输出 欠压闭锁(uvlo)：2.5 V vdd1 vdd2上提供多个uvlo选项 A级：vdd2上的uvlo：4.4 V（典型值） B级：vdd2上的uvlo：7.3 V（典型值） C级：vdd2上的uvlo：11.3 V（典型值） 精密时序特性 隔离器和驱动器传播延迟：53 ns（最大值） cmos输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：>150 kV/µs 工作结温最高可达：125°C 默认低电平输出 内部米勒箝位 安全和法规认证（申请中） UL认证符合UL 1577 1分钟5 kV rms，soic长封装 csa元件验收通知5A 符合vde标准证书（申请中） din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10)：2006-12 viorm = 849 V峰值 8引脚宽体soic封装 | |
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ADuM4121 | Analog Devices Inc | 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 | 峰值输出电流：2 A (<2 Ω rdson) 2.5 V至6.5 V输入 4.5 V至35 V输出 欠压闭锁(uvlo)：2.5 V vdd1 vdd2上提供多个uvlo选项 A级：vdd2上的uvlo：4.4 V（典型值） B级：vdd2上的uvlo：7.3 V（典型值） C级：vdd2上的uvlo：11.3 V（典型值） 精密时序特性 隔离器和驱动器传播延迟：53 ns（最大值） cmos输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：>150 kV/µs 工作结温最高可达：125°C 默认低电平输出 内部米勒箝位 安全和法规认证（申请中） UL认证符合UL 1577 1分钟5 kV rms，soic长封装 csa元件验收通知5A 符合vde标准证书（申请中） din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10)：2006-12 viorm = 849 V峰值 8引脚宽体soic封装 | |
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ADuM4121-1 | Analog Devices Inc | 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 | 峰值输出电流：2 A (<2 Ω rdson) 2.5 V至6.5 V输入 4.5 V至35 V输出 欠压闭锁(uvlo)：2.5 V vdd1 vdd2上提供多个uvlo选项 A级：vdd2上的uvlo：4.4 V（典型值） B级：vdd2上的uvlo：7.3 V（典型值） C级：vdd2上的uvlo：11.3 V（典型值） 精密时序特性 隔离器和驱动器传播延迟：53 ns（最大值） cmos输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：>150 kV/µs 工作结温最高可达：125°C 默认低电平输出 内部米勒箝位 安全和法规认证（申请中） UL认证符合UL 1577 1分钟5 kV rms，soic长封装 csa元件验收通知5A 符合vde标准证书（申请中） din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10)：2006-12 viorm = 849 V峰值 8引脚宽体soic封装 | |
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ADuM4122 | Analog Devices Inc | 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 | 每个输出引脚 2 A 输出电流 (<3 Ω rdson_x) 3 A 峰值短路电流 3.3 V 至 6.5 V、vdd1 4.5 V 至 35 V、vdd2 正向阈值，uvlo（3.3 V vdd1 时） vdd2 上存在多个正向阈值 uvlo 选项 A 级：4.4 V（典型值）正向阈值，uvlo B 级：7.3 V（典型值）正向阈值，uvlo C 级：11.3 V（典型值）正向阈值，uvlo 精准定时特性 下降缘传播延迟最大 48 ns | |
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BM63967S-VC | Rohm Semiconductor | 电源 AC DC 可配置电源模块 | 三相DC / AC逆变器 600v / 30a 低侧igbt开路发射极 内置自举二极管 高端igbt栅极驱动器（hvic）：soi（绝缘体上硅）工艺，驱动电路，高压电平转换，自举二极管的电流限制，控制电源欠压锁定（uvlo） 低侧igbt栅极驱动器（lvic）：驱动电路，短路电流保护（scp），控制电源欠压锁定（uvlo），通过模拟信号输出的温度（vot） 故障信号（lvic）：对应scp（低侧igbt），uvlo故障 输入接口3.3V，5V线 UL认证：文件e468261 | |
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BM63967S-VA | Rohm Semiconductor | 电源 AC DC 可配置电源模块 | 三相DC / AC逆变器 600v / 30a 低侧igbt开路发射极 内置自举二极管 高端igbt栅极驱动器（hvic）：soi（绝缘体上硅）工艺，驱动电路，高压电平转换，自举二极管的电流限制，控制电源欠压锁定（uvlo） 低侧igbt栅极驱动器（lvic）：驱动电路，短路电流保护（scp），控制电源欠压锁定（uvlo），通过模拟信号输出的温度（vot） 故障信号（lvic）：对应scp（低侧igbt），uvlo故障 输入接口3.3V，5V线 UL认证：文件e468261 | |
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BM63964S-VC | Rohm Semiconductor | 电源 AC DC 可配置电源模块 | 三相DC / AC逆变器 600v / 15a 低侧igbt开路发射极 内置自举二极管 高端igbt栅极驱动器（hvic）：soi（绝缘体上硅）工艺，驱动电路，高压电平转换，自举二极管的电流限制，控制电源欠压锁定（uvlo） 低侧igbt栅极驱动器（lvic）：驱动电路，短路电流保护（scp），控制电源欠压锁定（uvlo），通过模拟信号输出的温度（vot） 故障信号（lvic）：对应scp（低侧igbt），uvlo故障 输入接口3.3V，5V线 UL认证：文件e468261 | |
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BM63964S-VA | Rohm Semiconductor | 电源 AC DC 可配置电源模块 | 三相DC / AC逆变器 600v / 15a 低侧igbt开路发射极 内置自举二极管 高端igbt栅极驱动器（hvic）：soi（绝缘体上硅）工艺，驱动电路，高压电平转换，自举二极管的电流限制，控制电源欠压锁定（uvlo） 低侧igbt栅极驱动器（lvic）：驱动电路，短路电流保护（scp），控制电源欠压锁定（uvlo），通过模拟信号输出的温度（vot） 故障信号（lvic）：对应scp（低侧igbt），uvlo故障 输入接口3.3V，5V线 UL认证：文件e468261 | |
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BM63963S-VC | Rohm Semiconductor | 电源 AC DC 可配置电源模块 | 三相DC / AC逆变器 600v / 10a 低侧igbt开路发射极 内置自举二极管 高端igbt栅极驱动器（hvic）：soi（绝缘体上硅）工艺，驱动电路，高压电平转换，自举二极管的电流限制，控制电源欠压锁定（uvlo） 低侧igbt栅极驱动器（lvic）：驱动电路，短路电流保护（scp），控制电源欠压锁定（uvlo），通过模拟信号输出的温度（vot） 故障信号（lvic）：对应scp（低侧igbt），uvlo故障 输入接口3.3V，5V线 UL认证：文件e468261 | |
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BM63963S-VA | Rohm Semiconductor | 电源 AC DC 可配置电源模块 | 三相DC / AC逆变器 600v / 10a 低侧igbt开路发射极 内置自举二极管 高端igbt栅极驱动器（hvic）：soi（绝缘体上硅）工艺，驱动电路，高压电平转换，自举二极管的电流限制，控制电源欠压锁定（uvlo） 低侧igbt栅极驱动器（lvic）：驱动电路，短路电流保护（scp），控制电源欠压锁定（uvlo），通过模拟信号输出的温度（vot） 故障信号（lvic）：对应scp（低侧igbt），uvlo故障 输入接口3.3V，5V线 UL认证：文件e468261 | |
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BM63767S-VC | Rohm Semiconductor | 电源 AC DC 可配置电源模块 | 三相DC / AC逆变器 600v / 30a 低侧igbt开路发射极 内置自举二极管 高端igbt栅极驱动器（hvic）：soi（绝缘体上硅）工艺，驱动电路，高压电平转换，自举二极管的电流限制，控制电源欠压锁定（uvlo） 低侧igbt栅极驱动器（lvic）：驱动电路，短路电流保护（scp），控制电源欠压锁定（uvlo），热关断（tsd） 与scp（低侧igbt），tsd，uvlo故障对应的故障信号（lvic） 输入接口3.3V，5V线 | |
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BM63967S-VC | Rohm Semiconductor | 电源 电源 | 三相DC / AC逆变器 600v / 30a 低侧igbt开路发射极 内置自举二极管 高端igbt栅极驱动器（hvic）：soi（绝缘体上硅）工艺，驱动电路，高压电平转换，自举二极管的电流限制，控制电源欠压锁定（uvlo） 低侧igbt栅极驱动器（lvic）：驱动电路，短路电流保护（scp），控制电源欠压锁定（uvlo），通过模拟信号输出的温度（vot） 故障信号（lvic）：对应scp（低侧igbt），uvlo故障 输入接口3.3V，5V线 UL认可：文件e468261 | |
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BM63967S-VA | Rohm Semiconductor | 电源 电源 | 三相DC / AC逆变器 600v / 30a 低侧igbt开路发射极 内置自举二极管 高端igbt栅极驱动器（hvic）：soi（绝缘体上硅）工艺，驱动电路，高压电平转换，自举二极管的电流限制，控制电源欠压锁定（uvlo） 低侧igbt栅极驱动器（lvic）：驱动电路，短路电流保护（scp），控制电源欠压锁定（uvlo），通过模拟信号输出的温度（vot） 故障信号（lvic）：对应scp（低侧igbt），uvlo故障 输入接口3.3V，5V线 UL认可：文件e468261 | |
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BM63964S-VA | Rohm Semiconductor | 电源 电源 | 三相DC / AC逆变器 600v / 15a 低侧igbt开路发射极 内置自举二极管 高端igbt栅极驱动器（hvic）：soi（绝缘体上硅）工艺，驱动电路，高压电平转换，自举二极管的电流限制，控制电源欠压锁定（uvlo） 低侧igbt栅极驱动器（lvic）：驱动电路，短路电流保护（scp），控制电源欠压锁定（uvlo），通过模拟信号输出的温度（vot） 故障信号（lvic）：对应scp（低侧igbt），uvlo故障 输入接口3.3V，5V线 UL认可：文件e468261 | |
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BM63963S-VC | Rohm Semiconductor | 电源 电源 | 三相DC / AC逆变器 600v / 10a 低侧igbt开路发射极 内置自举二极管 高端igbt栅极驱动器（hvic）：soi（绝缘体上硅）工艺，驱动电路，高压电平转换，自举二极管的电流限制，控制电源欠压锁定（uvlo） 低侧igbt栅极驱动器（lvic）：驱动电路，短路电流保护（scp），控制电源欠压锁定（uvlo），通过模拟信号输出的温度（vot） 故障信号（lvic）：对应scp（低侧igbt），uvlo故障 输入接口3.3V，5V线 UL认可：文件e468261 | |
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BM63963S-VA | Rohm Semiconductor | 电源 电源 | 三相DC / AC逆变器 600v / 10a 低侧igbt开路发射极 内置自举二极管 高端igbt栅极驱动器（hvic）：soi（绝缘体上硅）工艺，驱动电路，高压电平转换，自举二极管的电流限制，控制电源欠压锁定（uvlo） 低侧igbt栅极驱动器（lvic）：驱动电路，短路电流保护（scp），控制电源欠压锁定（uvlo），通过模拟信号输出的温度（vot） 故障信号（lvic）：对应scp（低侧igbt），uvlo故障 输入接口3.3V，5V线 UL认可：文件e468261 | |
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BM63767S-VC | Rohm Semiconductor | 电源 电源 | 三相DC / AC逆变器 600v / 30a 低侧igbt开路发射极 内置自举二极管 高端igbt栅极驱动器（hvic）：soi（绝缘体上硅）工艺，驱动电路，高压电平转换，自举二极管的电流限制，控制电源欠压锁定（uvlo） 低侧igbt栅极驱动器（lvic）：驱动电路，短路电流保护（scp），控制电源欠压锁定（uvlo），热关断（tsd） 与scp（低侧igbt），tsd，uvlo故障对应的故障信号（lvic） 输入接口3.3V，5V线 | |
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ADuM4137 | Analog Devices Inc | 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 | 4 A 峰值电流 (<2 Ω rdson_x) 2.5 V 至 6.5 V 逻辑输入电压 4.5 V 至 35 V 输出电源电压 uvlo vdd1 时，正向阈值2.5 V （最大值） vdda 和 vddb 正向阀值上存在多个正向阈值 uvlo 选项 A 级：4.5 V （最大值） B 级：7.5 V （最大值） C 级：11.6 V （最大值） 精准时序特性 44 ns 最大传播延迟 可调停滞时间 cmos 输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：150 kV/µs 高工作结温：125°C 默认低电平输出 安全和监管审批（申请中） UL 认证：符合 UL 1577 5700 V rms 持续 1 分钟 csa 元件验收通知 5A（申请中） vde 符合性证书（申请中） din V vde V 0884-11 viorm = 849 V 峰值 爬电距离增加的宽体 16 引脚 soic_ic | |
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ADuM4120-1 | Analog Devices Inc | 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 | 2.3 A 峰值输出电流 (<2 Ω rdson_x) 2.5 V 到 6.5 V vdd1 输入 4.5V 到 35 V vdd2 输出 2.3 V vdd1 时欠压锁定 (uvlo) vdd2 上存在多个欠压锁定 (uvlo) 选项 A 级—4.4 V（典型值）正向阈值 B 级—7.3 V（典型值）正向阈值 C 级—11.3 V（典型值）正向阈值 精准定时特性 隔离器和驱动器下降缘传播延迟最大 79 ns (adum4120) cmos 输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：150 kV/μs 高工作结温：125°C 默认低电平输出 安全和监管审批（申请中） UL 认证：符合 UL 1577 1 分钟 5 kV rms，soic 长封装 csa 元件验收通知 5A vde 符合性证书（申请中） din V vde V 0884-10 (vde V 0884-10):2006-12 viorm = 849 V 峰值 8 mm 爬电距离 6 引脚宽体 soic 封装，爬电距离更长 |
