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Image: STTH4R02UY STTH4R02UY STMicroelectronics 半导体 分离式半导体 rectifiers ultrafast recovery4a 200v 16ns planar Pt
Image: MAX15024CATB+T MAX15024CATB+T Maxim Integrated 集成电路 PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 IC gate drvr 1ch 16ns 10tdfn-EP
Image: MAX15024DATB+T MAX15024DATB+T Maxim Integrated 集成电路 PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 IC gate drvr 1ch 16ns 10tdfn-EP
Image: MAX15025HATB+T MAX15025HATB+T Maxim Integrated 集成电路 PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 IC gate drvr 2ch 16ns 10tdfn-EP
Image: MAX15025GATB+T MAX15025GATB+T Maxim Integrated 集成电路 PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 IC gate drvr 2ch 16ns 10tdfn-EP
Image: MAX15025FATB+T MAX15025FATB+T Maxim Integrated 集成电路 PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 IC gate drvr 2ch 16ns 10tdfn-EP
Image: MAX15025EATB+T MAX15025EATB+T Maxim Integrated 集成电路 PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 IC gate drvr 2ch 16ns 10tdfn-EP
Image: VS-8E2TX06FP-E VS-8E2TX06FP-E Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 整流器 8A 600v hyperfast 16ns TO-220fpac
Image: MAX15024 MAX15024 Maxim Integrated 集成电路 single/dual, 16ns, high sink/source current gate drivers
Image: MAX15025 MAX15025 Maxim Integrated 半导体 single/dual, 16ns, high sink/source current gate drivers
Image: UCC27288 UCC27288 Texas Instruments 半导体 功率驱动器 驱动两个N沟道mosfet的高边低边配置 16ns典型传播延迟 在1800 pF负载下，上升12 ns，下降10 ns 1-ns典型延迟匹配 可配置外部自举二极管 8-V典型欠压闭锁 输入端绝对最大负电压处理（–5 V） HS上的绝对最大负电压处理（–14 V） 3.5-A接收器，2.5-A源输出电流 绝对最大启动电压120 V
Image: UCC27282-Q1 UCC27282-Q1 Texas Instruments 半导体 功率驱动器 具有符合 aec-q100 标准的下列特性： 器件温度 1 级 器件 hbm esd 分类等级 1B 器件 cdm esd 分类等级 C3 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 mosfet 5V 典型欠压锁定 输入互锁 在 drc 封装中启用/禁用功能 16ns 典型传播延迟 1.8nf 负载时的上升时间为 12ns，下降时间为 10ns 1ns 典型延迟匹配 输入上的 5V 负电压处理 HS 上的 14v 负电压处理 3.5A 灌电流，2.5A 拉电流输出 绝对最大启动电压为 120v 禁用时消耗的电流很低 (7µA) 集成的自举二极管 额定结温范围为 –40°C 至 150°C
Image: UCC27282 UCC27282 Texas Instruments 半导体 功率驱动器 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 mosfet 5V 典型欠压锁定 输入互锁 启用/禁用功能 16ns 典型传播延迟 1800pf 负载时的上升时间为 12ns，下降时间典型值为 10ns 1ns 典型延迟匹配 输入引脚上接受的绝对最大负电压为 –5V HS 引脚上接受的绝对最大负电压为 –14v 3.5A 灌电流，2.5A 拉电流输出 绝对最大启动电压为 120v 禁用时消耗的电流很低 (7µA) 集成自举二极管 额定结温范围为 –40°C 至 140°C
Image: UCC27282 UCC27282 Texas Instruments 机电产品 电机与驱动器 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 mosfet 5V 典型欠压锁定 输入互锁 启用/禁用功能 16ns 典型传播延迟 1800pf 负载时的上升时间为 12ns，下降时间典型值为 10ns 1ns 典型延迟匹配 输入引脚上接受的绝对最大负电压为 –5V HS 引脚上接受的绝对最大负电压为 –14v 3.5A 灌电流，2.5A 拉电流输出 绝对最大启动电压为 120v 禁用时消耗的电流很低 (7µA) 集成自举二极管 额定结温范围为 –40°C 至 140°C
Image: HIN202ECBNZ-T HIN202ECBNZ-T Intersil Corporation 半导体 集成电路 - IC RS-232 interface IC RS232 5V 2D/2R 15kv 0.1uf 16nsoic comm
Image: DG412DYZ DG412DYZ Intersil Corporation 半导体 集成电路 - IC multiplexer switch ics switch 4X spst N.O. 16nsoic ind
Image: DG408DYZ DG408DYZ Intersil Corporation 半导体 集成电路 - IC multiplexer switch ics mux 8:1 16nsoic ind
Image: DG444DYZ DG444DYZ Intersil Corporation 半导体 集成电路 - IC analog switch ics switch 4X spst N.C. 16nsoic ind
Image: DG442DYZ DG442DYZ Intersil Corporation 半导体 集成电路 - IC analog switch ics switch 4X spst N.O. 16nsoic ind
Image: DG409DYZ DG409DYZ Intersil Corporation 半导体 集成电路 - IC multiplexer switch ics mux diff 4:1 16nsoic ind

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