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Image: CPM1A10CDRDV1 CPM1A10CDRDV1 Omron Electronics 机电产品 工业控件 控制器 10 I/O cpu, DC/relay dcps(coo)
Image: CPM2A-60CDR-A CPM2A-60CDR-A Omron Electronics 机电产品 工业控件 控制器 60 I/O cpu DC/relay AC PS(coo)
Image: CPM2A-40CDR-D CPM2A-40CDR-D Omron Electronics 机电产品 工业控件 控制器 40 I/O cpu,DC/relay DC PS(coo)
Image: CPM1A-10CDR-A-V1 CPM1A-10CDR-A-V1 Omron Electronics 机电产品 工业控件 控制器 10i/O cpu DC/relay AC PS(coo)
Image: CPM1A-20EDR1 CPM1A-20EDR1 Omron Electronics 机电产品 工业控件 控制器 plc (coo)
Image: CPM1A-30CDR-D-V1 CPM1A-30CDR-D-V1 Omron Electronics 机电产品 工业控件 控制器 30 I/O cpu,DC/relay DC PS(coo)
Image: CPM1A-20CDR-D-V1 CPM1A-20CDR-D-V1 Omron Electronics 机电产品 工业控件 控制器 20 I/O cpu,DC/relay dcps(coo)
Image: CPM1A-30CDR-A-V1 CPM1A-30CDR-A-V1 Omron Electronics 机电产品 工业控件 控制器 30 I/O cpu,DC/relay acps(coo)
Image: CPM2A-40CDR-A CPM2A-40CDR-A Omron Electronics 机电产品 工业控件 控制器 40 I/O cpu DC/relay AC PS(coo)
Image: IPD95R1K2P7 IPD95R1K2P7 Infineon Technologies 连接器 香蕉和尖头连接器 - 适配器 专为满足高压mosfet领域不断增长的消费者需求而设计，最新的950v coolmos™P7技术专注于低功率smps市场。 950v coolmos™P7系列比其先前的900v coolmos™C3提供更高的50v阻断电压，在效率，热性能和易用性方面均具有出色的性能。与所有其他P7系列成员一样，950v coolmos™P7系列还具有集成的稳压二极管esd保护。集成二极管大大提高了esd的鲁棒性，从而减少了与esd相关的良率损失，并达到了出色的易用性水平。coolmos™P7的最佳V GS（th）为3V，仅具有±0.5V的窄公差，这使其易于驱动和设计。
Image: IPZ60R040C7 IPZ60R040C7 Infineon Technologies 半导体 二极管/齐纳阵列 coolmos™C7超级结mosfet在pfc和llc失真结构内可提供最佳性能 600v coolmos™C7超级结（SJ）mosfet系列比coolmos™CP系列可减少大约50％的关断损耗（E oss），在pfc，ttf及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，ipl60r185c7也是高功率密度充电器的不二之选！ coolmos ™ C7提供更高的效率有益于效率和总体拥有成本（tco）应用，如超数据中心和高效率电信整流器（> 96％）。在pfc拓扑结构中，可获得0.3％-0.7％的增益例如，如果是2.5kw的服务器psu，在TO-247 4针套件内采用600v coolmos ™ C7超级结mosfet可为psu能量消耗减少大约10％的，能源成本。
Image: IPD65R1K4CFD IPD65R1K4CFD Infineon Technologies 半导体 二极管，整流器 - 阵列 替换650v coolmos™cfd2 为600v coolmos™cfd7 650v coolmos™cfd2是英飞凌具有集成快速体二极管的第二代市场领先的高压coolmos™mosfet。cfd2器件是600v cfd的后继产品，具有更高的能效。与竞争对手的产品相比，较软的换向特性以及更好的emi特性使该产品具有明显的优势。
Image: ICE3AR4780JG ICE3AR4780JG Infineon Technologies 电源 DC 到 AC（电源）转换器 ice3ar4780jg（coolset™-f3r80）是dso-16 / 12封装的ice3brxx65j（coolset™-f3r 650v）的增强型800 V mosfet版本。特别是，它以断电功能实现，以100 khz运行，并在启动单元上安装了800 V coolmos™。它的目标是满足mosfet电压裕度要求提高的低功率smps，例如离线电池适配器，dvd R / W，dvd combi，蓝光，机顶盒，白色家电，PC和服务器的辅助电源等。总结，coolset™f3r80提供了良好的mosfet电压裕度，最低的待机功率，可选的突发电平，突发模式期间减小的输出纹波，可靠的输出以及掉电特性，针对最大功率和突发功率的准确最大功率控制，低emi频率抖动和软栅极驱动，内置灵活的保护等。因此，
Image: ICE3AR2280JG ICE3AR2280JG Infineon Technologies 机电产品 固态继电器 ice3ar2280jg（coolset™-f3r80）是dso-16 / 12封装的ice3brxx65j（coolset™-f3r 650v）的增强型800 V mosfet版本。特别是，它以断电功能实现，以100 khz运行，并在启动单元上安装了800 V coolmos™。它的目标是满足mosfet电压裕度要求提高的低功率smps，例如离线电池适配器，dvd R / W，dvd combi，蓝光，机顶盒，白色家电，PC和服务器的辅助电源等。总结，coolset™f3r80提供了良好的mosfet电压裕度，最低的待机功率，可选的突发电平，突发模式期间减小的输出纹波，可靠的输出以及掉电特性，针对最大功率和突发功率的准确最大功率控制，低emi频率抖动和软栅极驱动，内置灵活的保护等。因此，
Image: EVAL_600W_12V_LLC_P7 EVAL_600W_12V_LLC_P7 Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 专为采用600v coolmos™P7 SJ mosfet的600w半桥llc转换器而设计 该评估板展示了如何设计服务器 smps的半桥llc级，旨在满足80+ titanium标准的效率要求。为了实现此目的，使用了以下技术：初级侧采用 600v coolmos™ P7 SJ mosfet 技术 (ipp60r180p7)，同步整流次级侧采用 superso8 封装 optimos™ 40v 低压功率 mosfet (bsc010n04ls)，搭配 QR coolset™ (ice2qr2280z)、eicedriver™ 2edl 高-低边驱动器 (2edl05N06PF)、eicedriver™ 2edn 低边栅极驱动器 (2edn7524F) 和模拟 llc 控制器 (ice2hs01g)。 特征描述 同类中较为出色的高压和低压mosfet，适用于llc应用 模拟控制 经过优化的磁性设计（变压器和谐振回路） 主级和次级 mosfet 精准驱动方案 优势总结 达到 80+ titanium 标准 优化 coolmos™ 和 optimos™的出色器件 整个负载范围内实现 zvs 高压 mosfet 在临界 llc 运行中安全运行
Image: EVAL_600W_12V_LLC_C7 EVAL_600W_12V_LLC_C7 Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 600w半桥llc评估板，其模拟版本和数字版本采用600v coolmos™C7 SJ mosfet 600w半桥llc评估板，其模拟版本和数字版本采用600v coolmos™C7 SJ mosfet。以下技术：低压侧的 600v coolmos™C7 （ipp60r180c7）和同步整流级中superso8（bsc010n04ls）中的optimos™40v低压功率mosfet，结合QR coolset™（ice2qr2280z），eicedriver™2edl高低边驱动器（2edl05N06PF），eicedriver™2edn低边变速驱动器（2edn7524F）和用于数字版本模拟或xmc™微控制器（xmc4200）的llc控制器（ice2hs01g）。 功能概要 输出电压：12v 输出电流：50a 前端效率@ 50％负载> 97,4％ 效率@ 10％负载> 95％
Image: IPA60R360CFD7 IPA60R360CFD7 Infineon Technologies 嵌入式解决方案 工程工具 在 600v的coolmos™cfd7 是英飞凌最新的高电压超结mosfet技术，集成快速体二极管，完成的coolmos™7系。这款600v coolmos™cfd7 SJ
Image: IPL60R075CFD7 IPL60R075CFD7 Infineon Technologies 半导体 二极管，整流器 - 阵列 英飞凌对谐振大功率拓扑的回答 在600v的coolmos™cfd7是英飞凌最新的高电压超结mosfet技术，集成快速体二极管，完成的coolmos™7系。coolmos™cfd7具有降低的栅极电荷（Q g），改善的关断性能和比竞争对手低多达69％的反向恢复电荷（Q rr），以及最低的反向恢复时间（t rr）在市场上。
Image: EVAL_2KW_ZVS_FB_CFD7 EVAL_2KW_ZVS_FB_CFD7 Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 2kw zvs相移全桥评估板 zvs相移全桥评估板是用于通信整流器新开发的zvs DC-DC转换器，输出电压范围为45v DC至56vdc，输出功率为2kw。该转换器使用的输入电压范围为350v DC至420v DC（典型值385v DC），并且初级侧的开关频率为100khz。 该板包括以下英飞凌产品：全桥600v coolmos ™cfd7 SJ mosfet （ IPW60R070cfd7 ）， optimos ™200v同步整流mosfet（ ipp110n20n3 G ），辅助转换器固定频率coolset ™ （ ice3rbr4765jz ）和eicedriver ™2edn非隔离螺杆驱动器IC（ 2edn7524F ）。 特征描述 同类中出色的（bic）高压和低压mosfet，适用于zvs psfb拓扑 主级和次级mosfet精准驱动方案 优势总结 bic效率，适用于zvs psfb拓扑 优化coolmos™和optimos™bic器件使用 高功率密度
Image: AP3505HB-J90(S)-TA-4P AP3505HB-J90(S)-TA-4... ADDA 热量管理 风扇与鼓风机 cpu & chip coolers chip cooler

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