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Image: V30DM45CHM3/I V30DM45CHM3/I Vishay Semiconductors 半导体 二极管，整流器 - 阵列 肖特基二极管与整流器 45v 30a smpd(TO-263ac)
Image: V40D60C-M3/I V40D60C-M3/I Vishay Semiconductors 半导体 二极管，整流器 - 阵列 肖特基二极管与整流器 60v 40a smpd(TO-263ac)
Image: V40DM100C-M3/I V40DM100C-M3/I Vishay Semiconductors 半导体 二极管，整流器 - 阵列 肖特基二极管与整流器 100v 40a smpd(TO-263ac)
Image: V40DM60CHM3/I V40DM60CHM3/I Vishay Semiconductors 半导体 二极管，整流器 - 阵列 肖特基二极管与整流器 60v 40a smpd(TO-263ac)
Image: V40D60CHM3/I V40D60CHM3/I Vishay Semiconductors 半导体 二极管，整流器 - 阵列 肖特基二极管与整流器 60v 40a smpd(TO-263ac)
Image: V40DM100CHM3/I V40DM100CHM3/I Vishay Semiconductors 半导体 二极管，整流器 - 阵列 肖特基二极管与整流器 100v 40a smpd(TO-263ac)
Image: RBR40NS60AFH RBR40NS60AFH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]40.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.6中频@正向电压[A]20.0反向电流IR（最大值）[mA]0.8vr @反向电流[V]60储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR40NS40AFH RBR40NS40AFH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]40.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.55中频@正向电压[A]20.0反向电流IR（最大值）[mA]0.43vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR40NS30AFH RBR40NS30AFH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrm [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]40.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.52中频@正向电压[A]20.0反向电流IR（最大值）[mA]0.6vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR30NS60AFH RBR30NS60AFH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.67中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.6vr @反向电流[V]60储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR30NS60A RBR30NS60A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级标准包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.67中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.6vr @反向电流[V]60储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR30NS40AFH RBR30NS40AFH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.62中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.36vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR30NS40A RBR30NS40A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级标准包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.62中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.36vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR30NS30AFH RBR30NS30AFH Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级汽车行业通用标准aec-q101（汽车级）包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrM [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.55中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.3vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR30NS30A RBR30NS30A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级标准包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrM [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]30.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.55中频@正向电压[A]15.0反向电流IR（最大值）[mA]0.3vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBQ10NS100A RBQ10NS100A Rohm Semiconductor 半导体 二极管，整流器 - 阵列 特性： 年级标准组态通用包装代码TO-263s（d2pak）套餐（jeita）SC-83包装尺寸[mm]13.3x10.1（t = 4.5）安装方式表面贴装端子数3vrm [V]100反向电压VR [V]100平均整流正向电流IO [A]10.0ifsm [A]100.0正向电压VF（最大）[V]0.77中频@正向电压[A]5.0反向电流IR（最大值）[mA]0.08vr @反向电流[V]100储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: IXYA50N65C3 IXYA50N65C3 IXYS 半导体 分离式半导体 igbt transistors 650v/130a xpt C3-class TO-263
Image: SG350Q SG350Q Littelfuse Inc 电路保护 气体放电管 - GDT /气体等离子体避雷器 gas discharge tubes - gdts / gas plasma arrestors 263-437v gdt T/R 2 term
Image: SG350 SG350 Littelfuse Inc 电路保护 气体放电管 - GDT /气体等离子体避雷器 gas discharge tubes - gdts / gas plasma arrestors 263-437v 2A gdt T/R 2 term
Image: 4420.0923 4420.0923 Schurter 电路保护 断路器与附件 circuit breakers cbe as168x-263-600

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