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Image: TLE7268LC TLE7268LC Infineon Technologies 无源元器件 RF 收发器 tle7268LC是英飞凌第二代dual lin收发器，设计用于高达20 kbps的数据传输速率，完全符合iso17987-4，lin规范2.2A和sae j2602标准。tle7268LC采用具有引线尖端检查（lti）功能的微型无铅tson-14封装，从而提供了自动光学检查（aoi）功能。这使得tson-14封装的dual lin收发器非常适合空间狭小要求使用最小封装的应用。在与车身和内部电子设备相关的应用中，lin网络的数量正在稳定增长。结果，一些车身控制模块（bcm）需要提供超过20条lin总线连接。此外，为了实现最诱人的bom成本，还要求用于高端bcm功能的不同组件数量变体。英飞凌的tle7268LC在这里提供了一个完美的解决方案，将tson-14封装与其他单通道lin收发器的模块化pcb放置功能相结合，例如tle7258le或tle7259-3le。与英飞凌的tle7268 dual lin相比，可用的quad lin解决方案不能提供这种放置灵活性。同样，quad lin器件的更高集成度不一定会导致更有效，更节省空间的pcb布局。 除了车身控制模块之外，新型tle7268LC还非常适合网关和超声波停车模块，在超声波停车模块中，传感器通过专用lin总线连接到中央模块。 tle7268还以标准的dso-14封装（即tle7268SK）提供
Image: TLE7251VSJ TLE7251VSJ Infineon Technologies 光电子 光纤 - 收发器 tle7251v 是一款专为汽车和工业应用中的 HS can 网络而设计的收发器。作为物理总线层和 can 协议控制器之间的接口，tle7251v 将信号驱动到总线，并保护微控制器免受网络内产生的干扰。基于 canH 和 canL 信号的高对称性，tle7251v 可以在广泛的频率范围内提供极低的电磁辐射 (eme) 水平。tle7251v 采用小型无铅 PG-tson-8 封装和 PG-dso-8 封装。两种封装均符合 rohs 且无卤素。此外，PG-tson-8 封装支持自动光学检测 (aoi) 的焊点要求。tle7251vLE 和 tle7251vSJ 满足或超过 iso11898-2 的要求。tle7251v 提供数字电源输入 vio 和待机模式。其设计满足 can FD 的增强物理层要求，并支持高达 2 mbit/s 的数据速率。基于 HS can 总线接口上非常低的漏电流，tle7251v 可以在断电状态下提供出色的被动行为。这些以及其他特性使得 tle7251v 非常适合混合供电 HS can 网络。基于英飞凌智能功率技术 spt，tle7251v 具有出色的 esd 抗扰度和极高的电磁抗扰度（emi）。tle7251v 和英飞凌 spt 技术均经过 aec 认证，可以承受恶劣的汽车环境条件。两种不同的运行模式、txd 超时等额外的故障保护功能以及 canH 和 canL 信号的优化输出转换速率，使 tle7251v 成为了具有高数据传输速率的大型 HS can 网络的理想选择。
Image: TPN5900CNH,L1Q TPN5900CNH,L1Q Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet umosviii 150v 59mohm (vgs=10v) tson-adv
Image: TPN1110ENH,L1Q TPN1110ENH,L1Q Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet umosviii 200v 126m (vgs=10v) tson-adv
Image: TPN2010FNH,L1Q TPN2010FNH,L1Q Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet umosviii 250v 200m (vgs=10v) tson-adv
Image: HGDEDN021A HGDEDN021A ALPS Electric 传感器，变送器 磁性传感器 board mount hall effect / magnetic sensors dual polarity/output 2.0m tson
Image: HGDESN021A HGDESN021A ALPS Electric 传感器，变送器 磁性传感器 board mount hall effect / magnetic sensors sngle polarity/outpt 2.0m tson
Image: TPN8R903NL,LQ TPN8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage 半导体 FET - 单 mosfet N-CH 30v 20a tson
Image: TPN22006NH,LQ TPN22006NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage 半导体 FET - 单 mosfet N CH 60v 9A 8-tson
Image: TPN2010FNH,L1Q TPN2010FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage 半导体 FET - 单 mosfet N CH 250v tson
Image: TPN2R203NC,L1Q TPN2R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage 半导体 FET - 单 mosfet N-CH 30v 45a 8-tson
Image: TPN2R703NL,L1Q TPN2R703NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage 半导体 FET - 单 mosfet N-CH 30v 45a 8-tson
Image: BTS54040LBAAUMA1 BTS54040LBAAUMA1 Infineon Technologies 集成电路 PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 IC pwr switch hiside PG-tson-24
Image: BTS56033LBAAUMA1 BTS56033LBAAUMA1 Infineon Technologies 集成电路 PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 IC pwr switch hiside PG-tson-24
Image: UPG2301TQ-A UPG2301TQ-A CEL 无源元器件 RF 放大器 IC amp bluetooth 10-tson
Image: UPG2314T5N-E2-A UPG2314T5N-E2-A CEL 无源元器件 RF 放大器 IC amp bluetooth 6-tson
Image: UPC8240T6N-E2-A UPC8240T6N-E2-A CEL 无源元器件 RF 放大器 IC amplifier gps 6-tson
Image: UPG2250T5N-E2-A UPG2250T5N-E2-A CEL 无源元器件 RF 放大器 IC amp bluetooth 6-tson
Image: UPG2301TQ-E1-A UPG2301TQ-E1-A CEL 无源元器件 RF 放大器 IC amp bluetooth 10-tson
Image: UPC8232T5N-E2-A UPC8232T5N-E2-A CEL 无源元器件 RF 放大器 IC amplifier gps 6-tson

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