关键词sstl
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Image: SN74SSTUB32864 SN74SSTUB32864 Texas Instruments 半导体 25-bit configurable registered buffer with sstl_18 inputs and outputs 96-lfbga -40 to 85
Image: SN74SSTV32877 SN74SSTV32877 Texas Instruments 半导体 26-bit registered buffer with sstl_2 inputs and outputs 96-lfbga 0 to 70
Image: SN74SSTV32852-EP SN74SSTV32852-EP Texas Instruments 半导体 时钟和定时器 enhanced product 24 bit To 48 bit registered buffer with sstl_2 inputs and outputs 114-bga microstar -40 to 85
Image: HM5425801B HM5425801B Elpida Memory 256m sstl_2 interface ddr sdram 143 mhz/133 mhz/125 mhz/100 mhz 4-mword 】 16-bit 】 4-bank/8-mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-mword 】 4-bit 】 4-bank
Image: CBTU4411EE CBTU4411EE NXP Semiconductors 半导体 逻辑 使能（EN）和选择信号（S0，S1）兼容sstl_18 优化用于双倍数据速率2（ddr2）sdram应用 适用于400 mbit / s至800 mbit / s，200 mhz至400 mhz ddr2数据总线 开关导通电阻旨在消除对ddr2 sdram的串联电阻的需要 12Ω导通电阻 受控的启用/禁用时间支持快速总线周转 伪差分选择输入支持精确且低偏斜的开关时间控制 Sn输入上的可选内置终端电阻 xdpn端口上的内部400下拉电阻 vbias输入可在禁用时实现最佳的dimm端口下拉 可配置为在空闲时在通道10上拉至3/4 V DD时支持差分选通 低差分偏斜 匹配的上升/下降摆率 低串扰数据-数据/数据-dqm 通过2位编码输入简化了1：4开关位置控制 单输入引脚将所有总线开关置于off（高阻）位置 每个Jesd78的闩锁保护超过500 mA esd保护超过Jesd22-a114的1500 V hbm和Jesd22-c101的750 V cdm

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