关键词rds
标准
为您共找出"500+"个相关器件
图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: FSA4485 FSA4485 ON Semiconductor 半导体 接口 fsa4485是一款高性能usb-C™端口多媒体交换机，可支持模拟音频耳机。fsa4485允许共享usb-C™端口以传递usb2.0信号，模拟音频，边带使用信号和模拟麦克风信号。为了增强音频性能，fsa4485集成了mosfet栅极驱动器，以支持低电阻的外部模拟接地开关。fsa4485在所有面向引脚的连接器上均具有过压保护，并为模拟接地开关提供了过流保护。 特征 好处 电源：vcc，2.7V至5.5V 宽范围电源 usb高速开关带宽：1ghz 高带宽可确保数据完整性 usb高速R ON：3Ω（典型值） rdson低，插入损耗最小 音频开关负轨能力：-3V至+ 3V 适应以地面为中心的音频，而不会影响性能 音频开关thd + N = -100 dB; 1V rms，f = 20hz-20 khz，32Ω负载 低thd + N，可确保保留音频质量 音频R ON：典型值为1Ω 低rdson以最大程度地减少音频失真 公共节点引脚上的过压保护 开关受到保护以避免损坏 高压保护：cc_in引脚上的20v DC容限 连接器侧的高压保护，避免损坏 omtp和ctia引脚排列支持 支持两种耳机配置 高电压保护：dp_r，dn_l，gbsux，sbux上的16 V DC容差 连接器侧的高压保护，避免损坏 225mΩ（典型值）对Gsbux的电阻检测 低rdson的检测路径 模拟接地开关的过电流保护 开关受到保护以避免损坏 78mΩ（典型值）sbux至agnd的导通电阻 低rdson的检测路径 两个具有1.2V接口功能的I 2 C地址 I 2 C的灵活性 可编程栅极驱动器，用于可选的外部sbux至agnd开关 闸门驱动的灵活性 dp_r，dn_l和sbux上的水分/电阻检测 防潮 模拟音频设备拔出检测 sbu数据交换机的可选常闭配置，以支持工厂测试
Image: FSA4480UCX-Z010 FSA4480UCX-Z010 ON Semiconductor 半导体 接口 电源：vcc，2.7 V至5.5 V 宽范围电源 usb高速（480mbps）sdd 21 -3db带宽：950 mhz 高带宽可保持数据完整性 usb高速R ON：3Ω（典型值） rdson低，插入损耗最小 音频开关负轨能力：-3V至+ 3V 适应以地面为中心的音频，而不会影响性能 音频开关thd + N = -110 dB; 1 V rms，f = 20hz-20 khz，32Ω负载 低thd + N，可确保保留音频质量 音频R ON：典型值为1Ω 低rdson以最大程度地减少音频失真 高压保护：连接器侧引脚上的20v DC公差 连接器侧的高压保护，避免损坏 过压保护：V TH = 5V（典型值） 开关受到保护以避免损坏 omtp和ctia引脚排列支持 支持两种耳机配置 支持音频感应路径 感应路径可用 应用领域
Image: DMP1245UFCL-7 DMP1245UFCL-7 Diodes Incorporated 半导体 分离式半导体 mosfet 12v P-CH enh mosfet low rdson high perf
Image: 2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet N-Ch 900v 2.5A rdson 6.4 ohm
Image: DMC2400UV-7 DMC2400UV-7 Diodes Incorporated 半导体 分离式半导体 mosfet 20v N P Ch 20vDSS 0.45w low rdson
Image: TK25E06K3,S1X(S TK25E06K3,S1X(S Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet N-Ch 60v 25a rdson 0.046 ohm
Image: 2SK3565(STA4,Q,M 2SK3565(STA4,Q,M Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet N-Ch 900v 5A rdson 2.5 ohm
Image: 2SK3845(Q) 2SK3845(Q) Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet mosfet N-Ch 60v 70a rdson=0.0058ohm
Image: 2SK3797(Q,M) 2SK3797(Q,M) Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet mosfet N-Ch 600v 13a rdson 0.43 ohm
Image: DMC31D5UDJ-7 DMC31D5UDJ-7 Diodes Incorporated 半导体 分离式半导体 MOSfet 30v N & P enh fet low rdson 22.2pf
Image: DMP21D0UT-7 DMP21D0UT-7 Diodes Incorporated 半导体 分离式半导体 MOSfet 20v P-Ch enh fet PD 0.24w min rdson
Image: AUIRF7316QTR AUIRF7316QTR International Rectifier 半导体 分离式半导体 mosfet auto -30v dual P-CH hexfet 0.042 rdson
Image: 2SK3017(F) 2SK3017(F) Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet mosfet N-Ch 900v 8.5A rdson 1.25 ohm
Image: 2SK3742(Q,M) 2SK3742(Q,M) Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet N-Ch 900v 5A 45w PD rdson 2.2 ohm
Image: 2SK3176(F) 2SK3176(F) Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet mosfet N-Ch 200v 30a rdson 0.052 ohm
Image: 2SK3301(TE16L1,NQ) 2SK3301(TE16L1,NQ) Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet mosfet N-Ch 900v 1A rdson=20ohm
Image: 2SJ668(TE16L1,NQ) 2SJ668(TE16L1,NQ) Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet mosfet P-Ch 60v 5A rdson=0.17ohm
Image: TPCA8020-H(TE12LQM TPCA8020-H(TE12LQM Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet mosfet N-Ch 40v 7.5A rdson=0.027ohm
Image: TPCA8107-H(TE12LQM TPCA8107-H(TE12LQM Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet mosfet P-Ch 40v 7.5A rdson=0.03ohm
Image: TPCA8104(TE12L,Q,M TPCA8104(TE12L,Q,M Toshiba 半导体 分离式半导体 mosfet mosfet P-Ch 60v 40a rdson=0.016ohm

©2000-  21IC电子网版权所有

京ICP备11013301号 京公网安备 11010802024343号