|
79576-2107 |
Molex |
|
电线和电缆
电缆组件
|
computer cables ipass ctr/BP .225m |
|
FSA4485 |
ON Semiconductor |
|
半导体
接口
|
fsa4485是一款高性能usb-C™端口多媒体交换机,可支持模拟音频耳机。fsa4485允许共享usb-C™端口以传递usb2.0信号,模拟音频,边带使用信号和模拟麦克风信号。为了增强音频性能,fsa4485集成了mosfet栅极驱动器,以支持低电阻的外部模拟接地开关。fsa4485在所有面向引脚的连接器上均具有过压保护,并为模拟接地开关提供了过流保护。 特征 好处 电源:vcc,2.7V至5.5V 宽范围电源 usb高速开关带宽:1ghz 高带宽可确保数据完整性 usb高速R ON:3Ω(典型值) rdson低,插入损耗最小 音频开关负轨能力:-3V至+ 3V 适应以地面为中心的音频,而不会影响性能 音频开关thd + N = -100 dB; 1V rms,f = 20hz-20 khz,32Ω负载 低thd + N,可确保保留音频质量 音频R ON:典型值为1Ω 低rdson以最大程度地减少音频失真 公共节点引脚上的过压保护 开关受到保护以避免损坏 高压保护:cc_in引脚上的20v DC容限 连接器侧的高压保护,避免损坏 omtp和ctia引脚排列支持 支持两种耳机配置 高电压保护:dp_r,dn_l,gbsux,sbux上的16 V DC容差 连接器侧的高压保护,避免损坏 225mΩ(典型值)对Gsbux的电阻检测 低rdson的检测路径 模拟接地开关的过电流保护 开关受到保护以避免损坏 78mΩ(典型值)sbux至agnd的导通电阻 低rdson的检测路径 两个具有1.2V接口功能的I 2 C地址 I 2 C的灵活性 可编程栅极驱动器,用于可选的外部sbux至agnd开关 闸门驱动的灵活性 dp_r,dn_l和sbux上的水分/电阻检测 防潮 模拟音频设备拔出检测 sbu数据交换机的可选常闭配置,以支持工厂测试 |
|
1N4454-B |
Rectron |
|
半导体
分离式半导体
|
diodes - general purpose, power, switching Vr/75v If/225ma bulk |
|
1N4454-T |
Rectron |
|
半导体
分离式半导体
|
diodes - general purpose, power, switching Vr/75v If/225ma T/R |
|
IPD65R225C7 |
Infineon Technologies |
|
半导体
分离式半导体
|
mosfet 650v coolmos C7 power trans; 225mohm |
|
MRF6VP2600HR5 |
Freescale Semiconductor |
|
半导体
分离式半导体
|
transistors RF mosfet vhv6 600w 225mhz ni1230 |
|
GSD2004S-E3-08 |
Vishay Semiconductors |
|
半导体
分离式半导体
|
diodes - general purpose, power, switching 300 volt 225ma 50ns dual series |
|
IPP65R225C7 |
Infineon Technologies |
|
半导体
分离式半导体
|
mosfet 650v coolmos C7 power trans; 225mohm |
|
GSD2004W-V-GS08 |
Vishay Semiconductors |
|
半导体
分离式半导体
|
diodes - general purpose, power, switching 300 volt 225ma 50ns |
|
GSD2004W-E3-08 |
Vishay Semiconductors |
|
半导体
分离式半导体
|
diodes - general purpose, power, switching 300 volt 225ma 50ns |
|
BAV23,215 |
NXP Semiconductors |
|
半导体
分离式半导体
|
diodes - general purpose, power, switching SW dbl 200v 225ma |
|
BSP225,115 |
NXP Semiconductors |
|
半导体
分离式半导体
|
mosfet P-CH dmos 250v 225ma |
|
GSD2004WS-V-GS08 |
Vishay Semiconductors |
|
半导体
分离式半导体
|
diodes - general purpose, power, switching 300 volt 225ma 50ns |
|
GSD2004S-E3-18 |
Vishay Semiconductors |
|
半导体
分离式半导体
|
diodes - general purpose, power, switching 300 volt 225ma 50ns dual series |
|
BAV23S,215 |
NXP Semiconductors |
|
半导体
分离式半导体
|
diodes - general purpose, power, switching SW dbl 200v 225ma HS |
|
GSD2004A-E3-08 |
Vishay Semiconductors |
|
半导体
分离式半导体
|
diodes - general purpose, power, switching 300 volt 225ma dual common anode |
|
MRF6VP21KHR5 |
Freescale Semiconductor |
|
半导体
分离式半导体
|
transistors RF mosfet vhv6 225mhz 1000w ni1230 |
|
FW389-TL-2W |
ON Semiconductor |
|
半导体
分离式半导体
|
mosfet pwr mosfet 100v 2A 225mohm |
|
GSD2004WS-E3-08 |
Vishay Semiconductors |
|
半导体
分离式半导体
|
diodes - general purpose, power, switching 300 volt 225ma 50ns |
|
GSD2004W-G3-08 |
Vishay Semiconductors |
|
半导体
分离式半导体
|
diodes - general purpose, power, switching 300 volt 225ma 50ns |