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2SJ668(TE16L1,NQ)的详细信息
| Manufacturer： | Toshiba |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Toshiba |
| Transistor Polarity： | P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | - 60 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | - 5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 170 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 20 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | PW-MOLD-2 |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 14 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 14 ns |
| Factory Pack Quantity： | 2000 |
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