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powerso
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型号
厂商
标准
分类
描述
PD54003-E
STMicroelectronics
半导体
晶体管
该器件是一种共源N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。它是为高增益,宽带商业和工业应用而设计的。它以7伏的共源模式工作,频率高达1千兆赫。该器件具有ST最新
ldmos
技术
powerso
-
10rf
的优良增益、线性度和可靠性。优越的线性性能使其成为便携式无线电的理想解决方案。
powerso
-
10rf
是第一个真正的表面贴装设备(
smd
)塑料射频功率包。它基于高可靠性的
powerso
-10,第一个ST-
origined
,
jedec
批准的大功率
smd
封装。它专门针对射频需求进行了优化,并提供了出色的射频性能以及易于组装。
PD54008-E
STMicroelectronics
半导体
晶体管
该器件是一种共源N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。它是为高增益,宽带商业和工业应用而设计的。它以7伏的共源模式工作,频率高达1千兆赫。该器件拥有ST最新
ldmos
技术的优异增益、线性度和可靠性,该技术安装在第一个真正的
smd
塑料射频功率组件
powerso
-
10rf
中。该设备优越的线性性能使其成为便携式无线电的理想解决方案。
powerso
-10塑料封装,旨在提供高可靠性,是ST-
jedec
批准的第一个大功率贴片封装。它专门针对射频需求进行了优化,提供了出色的射频性能和易于组装。
CLP200M
STMicroelectronics
电路保护
TVS - 晶闸管
thyristor
powerso
-10
CLP200M-TR
STMicroelectronics
电路保护
TVS - 晶闸管
thyristor
powerso
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LCP02-150M
STMicroelectronics
电路保护
TVS - 晶闸管
thyristor
250a
powerso
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LCP02-150M-TR
STMicroelectronics
电路保护
TVS - 晶闸管
thyristor
250a
powerso
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STV160NF02LT4
STMicroelectronics
半导体
FET - 单
mosfet
N-CH
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powerso
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STV160NF03LT4
STMicroelectronics
半导体
FET - 单
mosfet
N-CH
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powerso
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STV160NF02LAT4
STMicroelectronics
半导体
FET - 单
mosfet
N-CH
20v
160a
powerso
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STV160NF03LAT4
STMicroelectronics
半导体
FET - 单
mosfet
N-CH
30v
160a
powerso
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STV250N55F3
STMicroelectronics
半导体
FET - 单
mosfet
N-CH
55v
250a
powerso
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PD57045TR-E
STMicroelectronics
半导体
RF FET
trans
RF
ldmost
powerso
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10rf
PD84010S-E
STMicroelectronics
半导体
RF FET
trans
RF N-CH
fet
powerso
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10rf
PD20015S-E
STMicroelectronics
半导体
RF FET
trans
RF N-CH
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PD54003S-E
STMicroelectronics
半导体
RF FET
trans
RF N-CH
fet
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PD84008S-E
STMicroelectronics
半导体
RF FET
trans
RF N-CH
fet
powerso
-
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PD85035TR-E
STMicroelectronics
半导体
RF FET
trans
RF N-CH
fet
powerso
-
10rf
VND830SP
STMicroelectronics
集成电路
PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
IC
driver
dual
36v
6A
powerso
-10
L9741
STMicroelectronics
集成电路
PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
IC
driver
smart
pwr
powerso
L974113TR
STMicroelectronics
集成电路
PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
IC
driver
smart
pwr
powerso
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