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Image: PD54003-E PD54003-E STMicroelectronics 半导体 晶体管 该器件是一种共源N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。它是为高增益，宽带商业和工业应用而设计的。它以7伏的共源模式工作，频率高达1千兆赫。该器件具有ST最新ldmos技术powerso-10rf的优良增益、线性度和可靠性。优越的线性性能使其成为便携式无线电的理想解决方案。powerso-10rf是第一个真正的表面贴装设备（smd）塑料射频功率包。它基于高可靠性的powerso-10，第一个ST-origined，jedec批准的大功率smd封装。它专门针对射频需求进行了优化，并提供了出色的射频性能以及易于组装。
Image: PD57045TR-E PD57045TR-E STMicroelectronics 半导体 RF FET trans RF ldmost powerso-10rf
Image: PD84010S-E PD84010S-E STMicroelectronics 半导体 RF FET trans RF N-CH fet powerso-10rf
Image: PD20015S-E PD20015S-E STMicroelectronics 半导体 RF FET trans RF N-CH fet powerso-10rf
Image: PD54003S-E PD54003S-E STMicroelectronics 半导体 RF FET trans RF N-CH fet powerso-10rf
Image: PD84008S-E PD84008S-E STMicroelectronics 半导体 RF FET trans RF N-CH fet powerso-10rf
Image: PD85035TR-E PD85035TR-E STMicroelectronics 半导体 RF FET trans RF N-CH fet powerso-10rf
Image: SD2902 SD2902 ETC HF to 2000 mhz class AB common source - powerso-10rf
Image: SD2941-10 SD2941-10 ETC HF to 2000 mhz class AB common source - powerso-10rf
Image: SD3931-10 SD3931-10 ETC HF to 2000 mhz class AB common source - powerso-10rf
Image: SD3933 SD3933 ETC HF to 2000 mhz class AB common source - powerso-10rf
Image: SD3934 SD3934 ETC HF to 2000 mhz class AB common source - powerso-10rf
Image: SD56120M SD56120M ETC HF to 2000 mhz class AB common source - powerso-10rf
Image: PD54008-E PD54008-E STMicroelectronics 半导体 晶体管 该器件是一种共源N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。它是为高增益，宽带商业和工业应用而设计的。它以7伏的共源模式工作，频率高达1千兆赫。该器件拥有ST最新ldmos技术的优异增益、线性度和可靠性，该技术安装在第一个真正的smd塑料射频功率组件powerso-10rf中。该设备优越的线性性能使其成为便携式无线电的理想解决方案。 powerso-10塑料封装，旨在提供高可靠性，是ST-jedec批准的第一个大功率贴片封装。它专门针对射频需求进行了优化，提供了出色的射频性能和易于组装。

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