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Image: MAX4582EGE MAX4582EGE Maxim Integrated analog mux|dual|4-channel|cmos|llcc|16pin|plastic
Image: MAX3503EGP MAX3503EGP Maxim Integrated catv wideband amplifier|single|bipolar|llcc|20pin|plastic
Image: MAX4583EGE MAX4583EGE Maxim Integrated analog switch|triple|spdt|cmos|llcc|16pin|plastic
Image: MAX9420EGJ MAX9420EGJ Maxim Integrated lvecl-TO-lvpecl translator|bipolar|llcc|32pin|plastic
Image: MAX9421EGJ MAX9421EGJ Maxim Integrated lvecl-TO-lvpecl translator|bipolar|llcc|32pin|plastic
Image: MAX9422EGJ MAX9422EGJ Maxim Integrated lvecl-TO-lvpecl translator|bipolar|llcc|32pin|plastic
Image: MAX9423EGJ MAX9423EGJ Maxim Integrated lvecl-TO-lvpecl translator|bipolar|llcc|32pin|plastic
Image: EVAL_600W_12V_LLC_P7 EVAL_600W_12V_LLC_P7 Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 专为采用600v coolmos™P7 SJ mosfet的600w半桥llc转换器而设计 该评估板展示了如何设计服务器 smps的半桥llc级，旨在满足80+ titanium标准的效率要求。为了实现此目的，使用了以下技术：初级侧采用 600v coolmos™ P7 SJ mosfet 技术 (ipp60r180p7)，同步整流次级侧采用 superso8 封装 optimos™ 40v 低压功率 mosfet (bsc010n04ls)，搭配 QR coolset™ (ice2qr2280z)、eicedriver™ 2edl 高-低边驱动器 (2edl05N06PF)、eicedriver™ 2edn 低边栅极驱动器 (2edn7524F) 和模拟 llc 控制器 (ice2hs01g)。 特征描述 同类中较为出色的高压和低压mosfet，适用于llc应用 模拟控制 经过优化的磁性设计（变压器和谐振回路） 主级和次级 mosfet 精准驱动方案 优势总结 达到 80+ titanium 标准 优化 coolmos™ 和 optimos™的出色器件 整个负载范围内实现 zvs 高压 mosfet 在临界 llc 运行中安全运行
Image: EVAL_600W_12V_LLC_C7 EVAL_600W_12V_LLC_C7 Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 600w半桥llc评估板，其模拟版本和数字版本采用600v coolmos™C7 SJ mosfet 600w半桥llc评估板，其模拟版本和数字版本采用600v coolmos™C7 SJ mosfet。以下技术：低压侧的 600v coolmos™C7 （ipp60r180c7）和同步整流级中superso8（bsc010n04ls）中的optimos™40v低压功率mosfet，结合QR coolset™（ice2qr2280z），eicedriver™2edl高低边驱动器（2edl05N06PF），eicedriver™2edn低边变速驱动器（2edn7524F）和用于数字版本模拟或xmc™微控制器（xmc4200）的llc控制器（ice2hs01g）。 功能概要 输出电压：12v 输出电流：50a 前端效率@ 50％负载> 97,4％ 效率@ 10％负载> 95％
Image: EVAL-600W-12V-LLC-A EVAL-600W-12V-LLC-A Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 功能概要 效率@ 10％负载> 95％ 50％负载> 97.4％时的峰值效率 输出电压：12v 输出电流：50a 好处摘要 该板有以下几种型号： 具有coolmos™P6的600w 12v llc 模拟版本 具有coolmos™P6的600w 12v llc 数字版本
Image: KIT_600W_LLC_AN_CTRL KIT_600W_LLC_AN_CTRL Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 特征描述 使用带有ice2hs01g llc控制器的英飞凌模拟控制卡替换xmc4200微控制器arm®cortex®控制卡 全模拟控制 主级和次级 mosfet 精准驱动方案 兼容所有英飞增值 EVAL_600W_12V_llc 板 优势总结 达到 80+ titanium 标准 优化 coolmos™ 和 optimos™ bic 器件使用 预防/保护 llc 临界工作状况 整个负载范围内实现 zvs
Image: EVAL_600W_12V_LLC_CFD7 EVAL_600W_12V_LLC_CF... Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 特征描述 适用于 llc 应用的同类最佳高低压 mosfet 模拟控制 优化磁设计（变压器和谐振回路） 主级和次级 mosfet 精准驱动方案 优势总结 达到 80+ titanium 标准 使用同类最佳 coolmos™ 和 optimos™ 器件 整个负载范围内实现 zvs 在重要的 llc 工作范围内安全操作高压 mosfet
Image: SRK2000DTR SRK2000DTR STMicroelectronics 半导体 集成电路 - IC gate drivers synch rectifier dual smart driver llc
Image: TEA1716T/2,518 TEA1716T/2,518 NXP Semiconductors 半导体 集成电路 - IC current & power monitors & regulators resonant llc+pfc combo controller
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