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Image: PCA9663B PCA9663B NXP Semiconductors 半导体 接口 并行总线到I²C总线的协议转换器和接口 1 mbit / s和高达30 mA的scl / sda I OL快速模式增强（Fm +）功能 内部振荡器调整为1％的精度，减少了外部元件 Fm +通道的单独4352字节缓冲区，总共13056字节的缓冲区空间 复位的三个级别：单个软件复位，全局软件复位，全局硬件reset引脚 以一个串行序列在每个通道上最多与64个从站通信 使用间隔计时器进行序列循环 支持scl时钟延长 jtag端口可用于电路板制造过程中的边界扫描测试 触发输入使串行通讯与外部事件完全同步 可屏蔽的中断 快速模式plusi²C总线，并与smbus兼容 工作电源电压：3.0 V至3.6 V（设备和主机接口） I²C总线I / O电源电压：3.0 V至5.5 V 闩锁测试是根据jedec标准Jesd78（超过100 mA）进行的 esd保护超过每个Jesd22-a114的8000 V hbm和每个Jesd22-c101的1000 V cdm 提供的封装：lqfp48
Image: P82B715 P82B715 NXP Semiconductors 半导体 接口 双路，双向，单位电压增益缓冲器，无需外部方向控制 与i2c总线及其衍生产品smbus，pmbus，ddc等兼容 逻辑信号电平可能包括（但不超过）电源和接地 逻辑信号输入电压电平输出不变，与V CC无关 x10阻抗变换，但不改变逻辑电压电平 电源电压范围3 V至12 V 在其他系统延迟允许的情况下，时钟速度至少为100 khz和400 khz esd保护超过每mil 2500 V hbm。符合Jesd22-a115的std 883c-3015.7和400 V MM（I / O具有连接至vcc和gnd的二极管） 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行
Image: PCA9509 PCA9509 NXP Semiconductors 半导体 接口 双向缓冲器隔离电容，并在设备的端口B上允许400 pF的电容 从端口A（1.35 V至V CC（B） ‑ 1.0 V）到端口B（3.0 V至5.5 V）的电压电平转换 在较低电压端口A上不需要外部上拉电阻 高电平有效中继器使能输入 开漏输入/输出 无锁操作 支持中继器的仲裁和时钟延长 容纳标准模式和快速模式I²C总线设备以及多个主机 断电的高阻抗I²C总线引脚 端口A的工作电源电压范围为1.35 V至V CC（B） -1.0 V，端口B的工作电源电压范围为3.0 V至5.5 V 5 V耐压端口B scl，sda和使能引脚 0 Hz至400 khz时钟频率 备注：由于中继器增加了延迟，因此最大系统工作频率可能小于400 khz。 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供的封装：tssop8，so8，xqfn8
Image: PCA9511A PCA9511A NXP Semiconductors 半导体 二极管/齐纳阵列 sda和scl线路的双向缓冲区增加了扇出，并防止在带电板插入和从多点背板系统中卸下时sda和scl损坏 兼容I²C总线标准模式，I²C总线快速模式和smbus标准 所有sda和scl线上的内置ΔV/Δt上升时间加速器（0.6 V阈值）要求总线上拉电压和电源电压（V CC）相同 高电平有效输入 高电平有效的开漏输出 V CC = 0 V的高阻抗sda和scl引脚 所有sda和scl线上的1 V预充电 支持时钟延长和多个主仲裁/同步 工作电源电压范围：2.7 V至5.5 V 0 Hz至400 khz时钟频率 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm，每个Jesd22-a115 200 V MM和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供的封装：so8，tssop8（msop8）
Image: PCA9516 PCA9516 NXP Semiconductors 半导体 接口 5通道双向缓冲器 兼容I²C总线和smbus 高电平有效个人中继器使能输入 开漏输入/输出 无锁操作 支持中继器的仲裁和时钟延长 容纳标准模式和快速模式I²C总线设备以及多个主机 断电的高阻抗I²C总线引脚 工作电源电压范围为2.3 V至3.6 V 5.5 V耐压I²C总线和使能引脚 0 Hz至400 khz时钟频率1 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm，每个Jesd22-a115 200 V MM和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供的封装：so16和tssop16 1.由于转发器增加了延迟，因此最大系统工作频率可能小于400 khz。
Image: PCA9519 PCA9519 NXP Semiconductors 半导体 接口 4通道（4个scl / sda对）双向缓冲器隔离电容，并在设备的端口B上允许400 pF的电容 从端口A（1 V至V CC（B） -1.5 V）到端口B（3.0 V至5.5 V）的电压电平转换 在较低电压端口A上不需要外部上拉电阻 高电平有效中继器使能输入 开漏输入/输出 无锁操作 支持中继器的仲裁和时钟延长 容纳标准模式和快速模式I²C总线设备以及多个主机 断电的高阻抗I²C总线引脚 工作电源电压范围为1.0 V至V CC（B） -端口A为1.5 V，端口B为3.0 V至5.5 V 5 V耐压B侧scl和sda和使能引脚 B侧输入上的50 ns毛刺滤波器 0 Hz至400 khz时钟频率 注意：由于中继器增加了延迟，因此最大系统工作频率可能小于400 khz。 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供的封装：tssop20，hvqfn24
Image: PCA9600 PCA9600 NXP Semiconductors 半导体 接口 I²C总线信号的双向数据传输 隔离电容，允许SX / SY侧为400 pF，TX / TY侧为4000 pF TX / TY输出具有60 mA灌电流能力，用于驱动低阻抗或高电容总线 在长达20米的电线上以1 mhz的频率工作（请参见an10658） 电源电压范围为2.5 V至15 V，SX / SY侧具有I²C总线逻辑电平，与电源电压无关 将I²C总线信号分成成对的正向/反向TX / RX，TY / RY信号对，以便与光电隔离器和需要单向输入和输出信号路径的类似设备进行接口连接 低电源电流 esd保护超过每个Jesd22-a114 3500 V hbm和每个Jesd22-c101 1400 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行 提供的封装：so8和tssop8（msop8）
Image: PCA9646 PCA9646 NXP Semiconductors 半导体 接口 特征 与pca9546a等兼容的插入式引脚 每个I / O均与其他所有阻抗隔离，从而允许所有分支上的最大电容 所有端口均具有30 mA静态吸收能力 适用于I²C总线（标准模式，快速模式和fast-mode plus（Fm +）），smbus（标准和高功率模式）和pmbus 快速的切换时间允许运行超过1 mhz 允许驱动大负载（例如5×4 nF） I / O上的磁滞增加了抗噪能力 2.7 V至5.5 V的工作电压 简单的特性适合在大多数常见的2线总线应用中快速实施 esd保护超过每个Jesd22-a114 2000 V hbm和每个Jesd22-c101 1000 V cdm 闩锁测试已按照超过100 mA的jedec标准Jesd78进行
Image: SHT4x (RH/T) SHT4x (RH/T) All Sensors Corporation 传感器，变送器 温度传感器 与 sensirion 此前经行业认可的温湿度传感器一样，sht40 在市场上同样具有极高性价比。得益于其卷带式包装以及与标准 smd 装配工艺的适配性，sht4x 也是大批量生产应用的理想之选。 sht40 以经过优化的全新 cmosens® 芯片为基础构建，降低功耗同时提高精度指标。其电源电压范围从 1.08 V 扩展到 3.6 V，因此非常适合移动和电池驱动型应用。该传感器采用坚固的 dfn 外壳，具有超小尺寸，可轻松集成到各种极具挑战性的设计之中，同时还可确保满足 jedec jesd47 认证对可靠性的严苛要求。 2021 年将推出高精度版本 sht41 和 sht45，这两个版本采用更严格的通用精度和更大精度范围，低至 ∆RH= ± 1.5%RH 和 ∆T= ±0.1°C，可满足各个行业的应用需求。2021 年还将推出其它保护选件，进一步完善该产品组合以应对严峻的技术挑战。封装滤膜可确保外露设计符合 ip67 要求，而防护罩可确保三防漆涂层可靠性。
Image: ESDCAN03-2BM3Y ESDCAN03-2BM3Y STMicroelectronics 电路保护 浪涌抑制器 aec-q101 qualified dual-line esd and eos protection triggering voltage, vtrig min = 28 V qfn-3L 1.1 x 1.0 x 0.55 package also called dfn1110 bidirectional device max pulse power up to 3.3 A (8/20 μs) low clamping factor vcl / vbr low leakage current ecopack2 rohs compliant component ul94, V0 J-std-020 msl level 1 ipc7531 footprint and jedec registered package iso 16750-2 (jump start and reversed battery tests) iso 10605 / iec 61000-4-2- C = 150 pF, R = 330 Ω, exceeds level 4: ±15 kV (contact discharge) iso 10605 - C = 330 pF, R = 2 kΩ: ±30 kV (contact discharge) iso 10605 - C = 330 pF, R = 330 Ω: ±12 kV (contact discharge) iso 7637-3: pulse 3a: -150 V pulse 3b: +150 V pulse 2a: +/- 85 V
Image: SMA6T10AY SMA6T10AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 aec-q101合格 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000微秒） 4千瓦（8/20微秒） 隔离电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低泄漏电流： 25°C时为0.2μA 85°C时为1μA 最大工作温度：150°C jedec注册包大纲 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T10CAY SMA6T10CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 aec-q101合格 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000微秒） 4千瓦（8/20微秒） 隔离电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低泄漏电流： 25°C时为0.2μA 85°C时为1μA 最大工作温度：150°C jedec注册包大纲 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T12AY SMA6T12AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 主要特性 aec-q101合格 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000微秒） 4千瓦（8/20微秒） 隔离电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低泄漏电流： 25°C时为0.2μA 85°C时为1μA 最大工作温度：150°C jedec注册包大纲 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T12CAY SMA6T12CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 aec-q101合格 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000微秒） 4千瓦（8/20微秒） 隔离电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低泄漏电流： 25°C时为0.2μA 85°C时为1μA 最大工作温度：150°C jedec注册包大纲 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T14AY SMA6T14AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 aec-q101合格 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000微秒） 4千瓦（8/20微秒） 隔离电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低泄漏电流： 25°C时为0.2μA 85°C时为1μA 最大工作温度：150°C jedec注册包大纲 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T14CAY SMA6T14CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 sma6tytransil系列设计用于保护敏感的汽车电路免受iso7637-2规定的浪涌和iso10605规定的静电放电的影响。 平面技术使该设备与高端电路兼容，在高端电路中，低泄漏电流和高结温需要提供随时间变化的可靠性和稳定性。sma6TY封装在sma中（sma封装面积符合ipc 7531标准）。 运输™ 是意法半导体的商标。 主要特性 aec-q101合格 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000微秒） 4千瓦（8/20微秒） 隔离电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低泄漏电流： 25°C时为0.2μA 85°C时为1μA 最大工作温度：150°C jedec注册包大纲 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T15AY SMA6T15AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 sma6tytransil系列设计用于保护敏感的汽车电路免受iso7637-2规定的浪涌和iso10605规定的静电放电的影响。 平面技术使该设备与高端电路兼容，在高端电路中，低泄漏电流和高结温需要提供随时间变化的可靠性和稳定性。sma6TY封装在sma中（sma封装面积符合ipc 7531标准）。 运输™ 是意法半导体的商标。 主要特性 aec-q101合格 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000微秒） 4千瓦（8/20微秒） 隔离电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低泄漏电流： 25°C时为0.2μA 85°C时为1μA 最大工作温度：150°C jedec注册包大纲 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T15CAY SMA6T15CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 sma6tytransil系列设计用于保护敏感的汽车电路免受iso7637-2规定的浪涌和iso10605规定的静电放电的影响。 平面技术使该设备与高端电路兼容，在高端电路中，低泄漏电流和高结温需要提供随时间变化的可靠性和稳定性。sma6TY封装在sma中（sma封装面积符合ipc 7531标准）。 运输™ 是意法半导体的商标。 主要特性 aec-q101合格 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000微秒） 4千瓦（8/20微秒） 隔离电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低泄漏电流： 25°C时为0.2μA 85°C时为1μA 最大工作温度：150°C jedec注册包大纲 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T18AY SMA6T18AY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 sma6tytransil系列设计用于保护敏感的汽车电路免受iso7637-2规定的浪涌和iso10605规定的静电放电的影响。 平面技术使该设备与高端电路兼容，在高端电路中，低泄漏电流和高结温需要提供随时间变化的可靠性和稳定性。sma6TY封装在sma中（sma封装面积符合ipc 7531标准）。 运输™ 是意法半导体的商标。 主要特性 aec-q101合格 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000微秒） 4千瓦（8/20微秒） 隔离电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低泄漏电流： 25°C时为0.2μA 85°C时为1μA 最大工作温度：150°C jedec注册包大纲 树脂符合UL 94，V0
Image: SMA6T18CAY SMA6T18CAY STMicroelectronics 附件 电路保护 - 分类套件 sma6TY transil系列旨在保护敏感的汽车电路免受iso 7637-2中定义的电涌和根据iso 10605产生的静电放电的影响。 平面技术使该器件与高端电路兼容，高端电路需要低泄漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。sma6TY采用sma封装（符合ipc 7531标准的sma尺寸）。 transil™是意法半导体的商标。 主要特性 符合aec-q101 峰值脉冲功率： 600瓦（10/1000μs） 4千瓦（8/20 s） 稳定电压范围：5 V至70 V 单向和双向类型 低漏电流： 在25°C时为0.2μA 在85°C时为1μA 最大工作温度Tj：150°C jedec注册的程序包概述 树脂符合UL 94，V0

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