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图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: TISP4125H3BJR-S TISP4125H3BJR-S Bourns Inc. 半导体 分离式半导体 sidacs 100v(drm) 500a(ipp) 125v(BO)
Image: TISP4219J1BJR-S TISP4219J1BJR-S Bourns Inc. 半导体 分离式半导体 sidacs 180v(drm) 1ka(ipp)219v(BO)
Image: TISP4180H3BJR-S TISP4180H3BJR-S Bourns Inc. 半导体 分离式半导体 sidacs 145v(drm)500a(ipp)180v(BO)
Image: TISP4145J1BJR-S TISP4145J1BJR-S Bourns Inc. 半导体 分离式半导体 sidacs 120v(drm) 1ka(ipp)145v(BO)
Image: TISP4095H3BJR-S TISP4095H3BJR-S Bourns Inc. 半导体 分离式半导体 sidacs 75 V(drm) 500a(ipp) 95v(BO)
Image: TISP4165H3BJR-S TISP4165H3BJR-S Bourns Inc. 半导体 分离式半导体 sidacs 135v(drm) 500a(ipp)165v(BO)
Image: TISP4C015L1NR-S TISP4C015L1NR-S Bourns Inc. 半导体 分离式半导体 tvs diodes - transient voltage suppressors 8 V(drm) 30a(ipp) 15v(BO)
Image: TISP4A250H3BJR-S TISP4A250H3BJR-S Bourns Inc. 半导体 分离式半导体 sidacs 100v(drm)500a(ipp)125v(BO)
Image: CPDQR5V0H-HF CPDQR5V0H-HF Comchip Technology 电路保护 ESD 抑制器 esd suppressors esd diode BI-direct 5V ipp=7A
Image: 63820-0030 63820-0030 Molex 工具 wire stripping & cutting tools STRipper blade assem ipper blade assemBLY
Image: LNBP8LIT LNBP8LIT STMicroelectronics 集成电路 PMIC - 稳压器 - 专用型 IC lnb supply & ctrl vreg ippak
Image: LNBP9LIT LNBP9LIT STMicroelectronics 集成电路 PMIC - 稳压器 - 专用型 IC lnb supply & ctrl vreg ippak
Image: 1750000078 1750000078 Advantech Co., Ltd. ippc accessories
Image: EVAL_2KW_ZVS_FB_CFD7 EVAL_2KW_ZVS_FB_CFD7 Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 2kw zvs相移全桥评估板 zvs相移全桥评估板是用于通信整流器新开发的zvs DC-DC转换器，输出电压范围为45v DC至56vdc，输出功率为2kw。该转换器使用的输入电压范围为350v DC至420v DC（典型值385v DC），并且初级侧的开关频率为100khz。 该板包括以下英飞凌产品：全桥600v coolmos ™cfd7 SJ mosfet （ IPW60R070cfd7 ）， optimos ™200v同步整流mosfet（ ipp110n20n3 G ），辅助转换器固定频率coolset ™ （ ice3rbr4765jz ）和eicedriver ™2edn非隔离螺杆驱动器IC（ 2edn7524F ）。 特征描述 同类中出色的（bic）高压和低压mosfet，适用于zvs psfb拓扑 主级和次级mosfet精准驱动方案 优势总结 bic效率，适用于zvs psfb拓扑 优化coolmos™和optimos™bic器件使用 高功率密度
Image: EVAL_600W_12V_LLC_P7 EVAL_600W_12V_LLC_P7 Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 专为采用600v coolmos™P7 SJ mosfet的600w半桥llc转换器而设计 该评估板展示了如何设计服务器 smps的半桥llc级，旨在满足80+ titanium标准的效率要求。为了实现此目的，使用了以下技术：初级侧采用 600v coolmos™ P7 SJ mosfet 技术 (ipp60r180p7)，同步整流次级侧采用 superso8 封装 optimos™ 40v 低压功率 mosfet (bsc010n04ls)，搭配 QR coolset™ (ice2qr2280z)、eicedriver™ 2edl 高-低边驱动器 (2edl05N06PF)、eicedriver™ 2edn 低边栅极驱动器 (2edn7524F) 和模拟 llc 控制器 (ice2hs01g)。 特征描述 同类中较为出色的高压和低压mosfet，适用于llc应用 模拟控制 经过优化的磁性设计（变压器和谐振回路） 主级和次级 mosfet 精准驱动方案 优势总结 达到 80+ titanium 标准 优化 coolmos™ 和 optimos™的出色器件 整个负载范围内实现 zvs 高压 mosfet 在临界 llc 运行中安全运行
Image: EVAL_600W_12V_LLC_C7 EVAL_600W_12V_LLC_C7 Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 600w半桥llc评估板，其模拟版本和数字版本采用600v coolmos™C7 SJ mosfet 600w半桥llc评估板，其模拟版本和数字版本采用600v coolmos™C7 SJ mosfet。以下技术：低压侧的 600v coolmos™C7 （ipp60r180c7）和同步整流级中superso8（bsc010n04ls）中的optimos™40v低压功率mosfet，结合QR coolset™（ice2qr2280z），eicedriver™2edl高低边驱动器（2edl05N06PF），eicedriver™2edn低边变速驱动器（2edn7524F）和用于数字版本模拟或xmc™微控制器（xmc4200）的llc控制器（ice2hs01g）。 功能概要 输出电压：12v 输出电流：50a 前端效率@ 50％负载> 97,4％ 效率@ 10％负载> 95％

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