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Image: Q67040-S4414 Q67040-S4414 Infineon Technologies off-line smps current mode controller with integrated 650v/ 800v coolmos
Image: Q67040-S4415 Q67040-S4415 Infineon Technologies off-line smps current mode controller with integrated 650v/ 800v coolmos
Image: Q67040-S4426 Q67040-S4426 Infineon Technologies off-line smps current mode controller with integrated 650v/ 800v coolmos
Image: 24N60C3 24N60C3 Infineon Technologies coolmos power transistor
Image: IXKR40N60 IXKR40N60 IXYS 半导体 coolmos power mosfet in isoplus247 package
Image: IPP60R199CP_07 IPP60R199CP_07 Infineon Technologies coolmos? power transistor
Image: IPP60R299CP_07 IPP60R299CP_07 Infineon Technologies coolmos power transistor
Image: IPT60R065S7 IPT60R065S7 Infineon Technologies 电路保护 电离装置 英飞凌性价比最高的600v coolmos™S7超结mosfet，采用TO-leadless（toll）封装
Image: IPD60R360CFD7 IPD60R360CFD7 Infineon Technologies 电源 功率调节 具有dpak封装的集成快速体二极管的600v coolmos™cfd7超结mosfet是谐振大功率拓扑的理想选择
Image: IPB60R170CFD7 IPB60R170CFD7 Infineon Technologies 电源 功率调节 这款 采用D 2 pak封装的600v coolmos™cfd7超结mosfet IPB60R170cfd7 是英飞凌针对大功率smps
Image: IPL60R225CFD7 IPL60R225CFD7 Infineon Technologies 电源 功率调节 具有thinpak 8x8封装的集成快速体二极管的600v coolmos™cfd7超结mosfet是谐振大功率拓扑的理想选择
Image: IPT60R06S7 IPT60R06S7 Infineon Technologies 电源 功率调节 英飞凌性价比最高的600v coolmos™S7超结mosfet，采用TO-leadless（toll）封装
Image: IPD60R360CFD IPD60R360CFD Infineon Technologies 电源 功率调节 具有dpak封装的集成快速体二极管的600v coolmos™cfd7超结mosfet是谐振大功率拓扑的理想选择
Image: IPT60R040S7 IPT60R040S7 Infineon Technologies 电源 功率调节 英飞凌性价比最高的600v coolmos™S7超结mosfet，适用于采用TO-leadless（toll）封装的低频开关应用
Image: IPA6OR950C6 IPA6OR950C6 Infineon Technologies 电源 功率调节 coolmos™C6结合了英飞凌作为领先的超结mosfet供应商的经验和一流的创新。C6器件具有快速开关超结mosfet的所有优点，同时又不牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用变得更加高效，紧凑，轻便和凉爽。
Image: EVAL_2KW_48V_CHAR_P7 EVAL_2KW_48V_CHAR_P7 Infineon Technologies 半导体 二极管，整流器 - 阵列 48kw铅酸/锂离子电池充电器，2kw，具有coolmos™P7
Image: IPU80R4K5P7 IPU80R4K5P7 Infineon Technologies 集成电路 嵌入式 -  微控制器 - 应用特定 效率和散热性能的新基准 800v coolmos™ P7超结mosfet系列完全适合低功率smps应用，可完全满足性能，易用性和性价比等市场需求。它主要侧重于反激式应用，包括适配器和充电器，led驱动器，音频smps，辅助和工业电源。 与其前代产品相比，这一新产品系列可提供高达0.6％的效率增益；与典型反激式应用中测试的其他竞争对手产品想相比，mosfet温度降低2°C至8°C。它还通过降低开关损耗和改善dpak R DS（on）产品，实现更高功率密度的设计。总而言之，这有助于客户节省物料成本，减少组装工作量。
Image: 2EDS8265H 2EDS8265H Infineon Technologies 机电产品 电机与驱动器 快速，强大，双通道，增强型隔离式mosfet栅极驱动器，具有准确和稳定的时序 eicedriver™2eds8265h和2eds8165h是增强型隔离式栅极驱动器，用于对smps中的强制性安全隔离栅进行次级侧控制。2eds8265h具有强大的4A / 8A源/宿双通道栅极驱动器，具有极高的150v / ns cmti（共模瞬态抗扰度），可在快速coolmos™和高功率开关噪声环境下稳定运行。 37ns的非常快的传播延迟在整个温度和生产范围内具有很小的变化，这使电源系统设计能够通过跨安全隔离栅的非常严格的时序控制来实现更高的效率。具有1A / 2A的2eds8165h适用于较小的mosfet或pwm信号/数据去耦，适用于使用本地升压驱动器的超高功率设计。这些设备将提供符合ul1577，vde0884-10，iec62368和iec60950的安全证书。2edfs8xx5h部件采用宽体3亿dso16封装。
Image: 2EDF7275F 2EDF7275F Infineon Technologies 机电产品 电机与驱动器 快速，强大，双通道，功能隔离的mosfet栅极驱动器，具有准确和稳定的时序 eicedriver™2edf7x75f非常适合在嘈杂的大功率开关环境中实现高侧和低侧mosfet初级侧控制的稳健运行。当驱动高和中压mosfet（例如coolmos™或optimos™）时，强大的4A / 8A源极/漏极双通道栅极驱动器可提供快速导通/截止。两个输出通道都是单独隔离的，可以灵活地用作具有150v / ns很高cmti（共模噪声抗扰度）的浮栅驱动器。 V ddi输入电源支持宽电压范围的Sldo模式，以节省板载ldo。对于较慢的开关或驱动较小的mosfet，esodriver™2edf7175f是1A / 2A峰值电流产品，采用dso-16窄体封装，爬电距离为4mm。
Image: IM111-X6Q1B IM111-X6Q1B Infineon Technologies 电源 AC DC 可配置电源模块 cipos™纳米 基于600 V，2 A全桥coolmos™ 智能电源模块 带有12x10 mm pqfn的开源软件，为单相电机应用提供了紧凑的电机驱动解决方案。

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