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Image: ERZ-E11F621 ERZ-E11F621 Panasonic 电路保护 压敏电阻 varistors erz-E 11mm 620v T&R znr surge absorber
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Image: ERZ-C20DK621U ERZ-C20DK621U Panasonic Electronic Components 电路保护 TVS - 变阻器，MOV varistor 620v 6.5ka disc 20mm
Image: STDLED625H STDLED625H STMicroelectronics 半导体 FET - 单 mosfet N-CH 620v 4.5A dpak
Image: STI4N62K3 STI4N62K3 STMicroelectronics 半导体 FET - 单 mosfet N-CH 620v 3.8A i2pak
Image: STI6N62K3 STI6N62K3 STMicroelectronics 半导体 FET - 单 mosfet N-CH 620v 5.5A i2pak
Image: STP3LN62K3 STP3LN62K3 STMicroelectronics 半导体 FET - 单 mosfet N-CH 620v 2.5A to220
Image: STP17N62K3 STP17N62K3 STMicroelectronics 半导体 FET - 单 mosfet N-CH 620v 15a TO-220
Image: AOTF11N62L AOTF11N62L Alpha & Omega Semiconductor Inc 半导体 FET - 单 mosfet N-CH 620v 11a to220f
Image: STP10N62K3 STP10N62K3 STMicroelectronics 半导体 FET - 单 mosfet N-CH 620v 8.4A to220
Image: AOTF11N62 AOTF11N62 Alpha & Omega Semiconductor Inc 半导体 FET - 单 mosfet N-CH 620v 11a to220f
Image: STDLED627 STDLED627 STMicroelectronics 半导体 FET - 单 mosfet N-CH 620v 7A dpak
Image: STFILED627 STFILED627 STMicroelectronics 半导体 FET - 单 mosfet N-CH 620v 7A i2pak
Image: STB6N62K3 STB6N62K3 STMicroelectronics 半导体 FET - 单 mosfet N CH 620v d2pak
Image: STFILED625 STFILED625 STMicroelectronics 半导体 FET - 单 mosfet N-CH 620v i2pak-FP
Image: 170M6814 170M6814 Cooper Bussmann 电路保护 保险丝 保险丝 din 43 620v 1000a
Image: 170M3818 170M3818 Cooper Bussmann 电路保护 保险丝 din 43 620v 350a
Image: UCC27710 UCC27710 Texas Instruments 半导体 功率驱动器 高侧和低侧配置 双输入，带输出互锁和 150ns 死区时间 在高达 620v 的电压下完全可正常工作，HB 引脚上的绝对最高电压为 700v vdd 建议范围为 10v 至 20v 峰值输出电流 0.5A 拉电流、1.0A 灌电流 50v/ns 的 dv/dt 抗扰度 HS 引脚上的逻辑运行电压高达 –11v 输入负电压容差为 –5V 大型负瞬态安全工作区 为两个通道提供 uvlo 保护 短传播延迟（典型值 140ns） 延迟匹配（典型值 8ns） 设计用于自举操作的悬空通道 低静态电流 ttl 和 cmos 兼容输入 行业标准 soic-8 封装 所有参数额定温度范围：–40°C 至 +125°C
Image: UCC27712-Q1 UCC27712-Q1 Texas Instruments 机电产品 电机与驱动器 符合面向汽车应用的 aec-q100标准 器件 hbm 分类等级 1C 器件 cdm 分类等级 c4b 高侧和低侧配置 双输入，带输出互锁和 150ns 死区时间 在高达 620v 的电压下完全可正常工作，HB 引脚上的绝对最高电压为 700v vdd 建议范围为 10v 至 20v 峰值输出电流 2.8A 灌电流、1.8A 拉电流 50v/ns 的 dv/dt 抗扰度 HS 引脚上的逻辑运行电压高达 –11v 输入负电压容差为 –5V 大型负瞬态安全工作区 为两个通道提供 uvlo 保护 短传播延迟（典型值 100ns） 延迟匹配（典型值 12ns） 低静态电流 ttl 和 cmos 兼容输入 行业标准 soic-8 封装 所有参数额定温度范围：–40°C 至 +125°C
Image: UCC27712 UCC27712 Texas Instruments 机电产品 电机与驱动器 高侧和低侧配置 双输入，带输出互锁和 150ns 死区时间 在高达 620v 的电压下完全可正常工作，HB 引脚上的绝对最高电压为 700v vdd 建议范围为 10v 至 20v 峰值输出电流 2.8A 灌电流、1.8A 拉电流 50v/ns 的 dv/dt 抗扰度 HS 引脚上的逻辑运行电压高达 –11v 输入负电压容差为 –5V 大型负瞬态安全工作区 为两个通道提供 uvlo 保护 短传播延迟（典型值 100ns） 延迟匹配（典型值 12ns） 设计用于自举操作的悬空通道 低静态电流 ttl 和 cmos 兼容输入 行业标准 soic-8 封装 所有参数额定温度范围：–40°C 至 +125°C

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