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图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: BYG24D-E3/TR BYG24D-E3/TR Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 rectifiers 1.5A 200 volt 140ns
Image: BYG24J-E3/TR3 BYG24J-E3/TR3 Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 rectifiers 1.5A 600 volt 140ns
Image: BYG24G-E3/TR BYG24G-E3/TR Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 rectifiers 1.5A 400 volt 140ns
Image: BYG24JHE3/TR BYG24JHE3/TR Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 rectifiers 1.5A 600 volt 140ns
Image: BYG24GHE3/TR BYG24GHE3/TR Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 rectifiers 1.5A 400 volt 140ns
Image: BYG24DHE3/TR BYG24DHE3/TR Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 rectifiers 1.5A 200 volt 140ns
Image: BYG24D-E3/TR3 BYG24D-E3/TR3 Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 rectifiers 1.5A 200 volt 140ns
Image: BYG24JHE3/TR3 BYG24JHE3/TR3 Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 rectifiers 1.5A 600 volt 140ns
Image: BYG24GHE3/TR3 BYG24GHE3/TR3 Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 rectifiers 1.5A 400 volt 140ns
Image: BYG24G-E3/TR3 BYG24G-E3/TR3 Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 rectifiers 1.5A 400 volt 140ns
Image: BYG24DHE3/TR3 BYG24DHE3/TR3 Vishay Semiconductors 半导体 分离式半导体 rectifiers 1.5A 200 volt 140ns
Image: AUIRS2113STR AUIRS2113STR International Rectifier 半导体 集成电路 - IC gate drivers HI LO side drvr 2-Ch 600v 140ns
Image: AUIRS2123STR AUIRS2123STR International Rectifier 半导体 集成电路 - IC gate drivers high side driver IC 600v 500ma 140ns
Image: AUIRS2124STR AUIRS2124STR International Rectifier 半导体 集成电路 - IC gate drivers high side driver IC 600v 500ma 140ns
Image: AUIRS2110STR AUIRS2110STR International Rectifier 半导体 集成电路 - IC gate drivers HI LO side drvr 2-Ch 500v 140ns
Image: IRS2124SPBF IRS2124SPBF International Rectifier 半导体 集成电路 - IC gate drivers 3-phase bridge drvr 600v 500ma 140ns
Image: IRS2123SPBF IRS2123SPBF International Rectifier 半导体 集成电路 - IC gate drivers 3-phase bridge drvr 600v 500ma 140ns
Image: UCC27710 UCC27710 Texas Instruments 半导体 功率驱动器 高侧和低侧配置 双输入，带输出互锁和 150ns 死区时间 在高达 620v 的电压下完全可正常工作，HB 引脚上的绝对最高电压为 700v vdd 建议范围为 10v 至 20v 峰值输出电流 0.5A 拉电流、1.0A 灌电流 50v/ns 的 dv/dt 抗扰度 HS 引脚上的逻辑运行电压高达 –11v 输入负电压容差为 –5V 大型负瞬态安全工作区 为两个通道提供 uvlo 保护 短传播延迟（典型值 140ns） 延迟匹配（典型值 8ns） 设计用于自举操作的悬空通道 低静态电流 ttl 和 cmos 兼容输入 行业标准 soic-8 封装 所有参数额定温度范围：–40°C 至 +125°C
Image: UCC27710 UCC27710 Texas Instruments 半导体 隔离器 - 栅极驱动器 高侧和低侧配置 双输入，带输出互锁和 150ns 死区时间 在高达 620v 的电压下完全可正常工作，HB 引脚上的绝对最高电压为 700v vdd 建议范围为 10v 至 20v 峰值输出电流 0.5A 拉电流、1.0A 灌电流 50v/ns 的 dv/dt 抗扰度 HS 引脚上的逻辑运行电压高达 –11v 输入负电压容差为 –5V 大型负瞬态安全工作区 为两个通道提供 uvlo 保护 短传播延迟（典型值 140ns） 延迟匹配（典型值 8ns） 设计用于自举操作的悬空通道 低静态电流 ttl 和 cmos 兼容输入 行业标准 soic-8 封装 所有参数额定温度范围：–40°C 至 +125°C

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