关键词3x2
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图片 型号 厂商 标准 分类 描述
Image: SEC2002 SEC2002 Allegro MicroSystems, LLC 3x2.5 bicolor surface mount led (flat lens)
Image: SEC2762C-YG SEC2762C-YG Allegro MicroSystems, LLC 3x2.5 bicolor surface mount led (flat lens)
Image: RBR2VWM60A RBR2VWM60A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 年级标准包装尺寸[mm]1.3x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]60反向电压VR [V]60平均整流正向电流IO [A]2.0ifsm [A]20.0正向电压VF（最大）[V]0.65中频@正向电压[A]2.0反向电流IR（最大值）[mA]0.075vr @反向电流[V]60储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR2VWM40A RBR2VWM40A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准包装尺寸[mm]1.3x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]40反向电压VR [V]40平均整流正向电流IO [A]2.0ifsm [A]20.0正向电压VF（最大）[V]0.62中频@正向电压[A]2.0反向电流IR（最大值）[mA]0.05vr @反向电流[V]40储存温度（最低）[°C]-55
Image: RBR2VWM30A RBR2VWM30A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 特性： 年级标准包装尺寸[mm]1.3x2.5（t = 0.95）安装方式表面贴装端子数2vrm [V]30反向电压VR [V]30平均整流正向电流IO [A]2.0ifsm [A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.53中频@正向电压[A]2.0反向电流IR（最大值）[mA]0.05vr @反向电流[V]30储存温度（最低）[°C]-55储存温度（最高）[°C]150
Image: RBR1VWM30A RBR1VWM30A Rohm Semiconductor 传感器，变送器 温度传感器 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR1MM60A RBR1MM60A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR1MM40A RBR1MM40A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR1MM30A RBR1MM30A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR1LAM60A RBR1LAM60A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR1LAM40A RBR1LAM40A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR1LAM30A RBR1LAM30A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR15BM60A RBR15BM60A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR15BM40A RBR15BM40A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR15BM30A RBR15BM30A Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: RBR10T60ANZ RBR10T60ANZ Rohm Semiconductor 半导体 二极管/齐纳阵列 等级标准封装尺寸[mm]1.3x2.5（t=0.95）安装形式终端表面安装数量2vrm[V]30反向电压VR[V]30平均整流正向电流IO[A]1.0ifsm[A]30.0正向电压VF（最大）[V]0.48if@正向电压[A]1.0反向电流IR（最大）[mA]0.05vr@反向电流[V]30存储温度（最小）[°C]-55存储温度（最高）[°C]150
Image: ADG5401F ADG5401F Analog Devices Inc 机电产品 开关 优势和特点 产品详情 3x2 mm lfcsP 模拟 I/O 保护和检测解决方案 S sfb 引脚上的过压保护电压高达 ±60 V S sfb 引脚上的掉电保护电压高达 ±60 V 集成 0.6 kΩ 次级反馈通道 在所有条件下都具有已知的输出 用户启用的电源开启条件将源极拉至 0 V 无需数字输入即可获知状态 闩锁免疫 用于测量通道和反馈通道的优化电阻 信号通道上的典型低导通电阻为 6 Ω 超扁平信号通道上的导通电阻 3 mm × 2 mm lfcs vss 至 vdd −2 V 信号范围 全定工作电压为 ±15 V、 ±20 V、+12 V 和 +36 V ±5 V 到 ±22 V 双电源供电 8 V 到 44 V 单电源供电

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