IXYS 
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IXFN80N50Q2的详细信息
| Manufacturer： | IXYS |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 80 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 60 mOhms |
| Configuration： | Single Dual Source |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 890 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-227B-4 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | IXYS |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 11 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 25 ns |
| Series： | IXFN80N50 |
| Factory Pack Quantity： | 10 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 60 ns |
| Unit Weight： | 38 g |
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