厂商Cree Inc 半导体分离式半导体 CGHV14250F 数据手册，datasheet pdf下载

首页 > Cree Inc > 半导体 > 分离式半导体 > CGHV14250F

型号：	CGHV14250F
厂商：	Cree Inc
标准：
分类：	半导体，分离式半导体
描述：	transistors RF jfet 1.2-1.4ghz 250w gan gain 18.2db
报错收藏赞

Datasheet下载地址

厂商下载 >> 厂商下载2 >>

CGHV14250F的详细信息

Manufacturer：	Cree, Inc.
Product Category：	Transistors RF JFET
RoHS：	Yes
Type：	GaN
Transistor Polarity：	N-Channel
Forward Transconductance - Min：	-
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：	150 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage：	- 10 V to + 2 V
Maximum Drain Gate Voltage：	-
Id - Continuous Drain Current：	18 A
Frequency：	1.2 GHz to 1.4 GHz
Gain：	18.6 dB
Pd - Power Dissipation：	-
Maximum Operating Temperature：	+ 130 C
Mounting Style：	Screw
Package / Case：	440162
Packaging：	Tube
Brand：	Cree, Inc.
Ciss - Input Capacitance：	-
Configuration：	Single
Development Kit：	CGHV14250F-TB
Drain-Source Current at Vgs=0：	-
Gate-Source Cutoff Voltage：	-
Minimum Operating Temperature：	- 40 C
Noise Figure：	-
Operating Temperature Range：	-
Output Power：	330 W
P1dB：	-
Product：	GaN HEMT
Rds On - Drain-Source Resistance：	-
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：	- 3 V

CGHV14250F