厂商Cree Inc 半导体分离式半导体 CGHV35150F 数据手册，datasheet pdf下载

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型号：	CGHV35150F
厂商：	Cree Inc
标准：
分类：	半导体，分离式半导体
描述：	transistors RF jfet 2.9-3.5ghz 150w gan gain@3.1ghz 13.3db
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CGHV35150F的详细信息

Manufacturer：	Cree, Inc.
Product Category：	Transistors RF JFET
RoHS：	Yes
Type：	GaN
Transistor Polarity：	N-Channel
Forward Transconductance - Min：	-
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：	150 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage：	- 10 V to + 2 V
Maximum Drain Gate Voltage：	-
Id - Continuous Drain Current：	12 A
Frequency：	3.1 GHz to 3.5 GHz
Gain：	13.3 dB
Pd - Power Dissipation：	-
Maximum Operating Temperature：	+ 150 C
Mounting Style：	Screw
Package / Case：	440193
Packaging：	Tube
Brand：	Cree, Inc.
Ciss - Input Capacitance：	-
Configuration：	Single
Development Kit：	CGHV35150-TB
Drain-Source Current at Vgs=0：	-
Gate-Source Cutoff Voltage：	-
Minimum Operating Temperature：	- 40 C
Noise Figure：	-
Operating Temperature Range：	-
Output Power：	170 W
P1dB：	-
Product：	GaN HEMT
Rds On - Drain-Source Resistance：	-
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：	- 3 V

CGHV35150F