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IXYS 
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IXFN160N30T的详细信息
| Manufacturer： | IXYS |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 300 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 130 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 19 mOhms |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 5 V |
| Qg - Gate Charge： | 335 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 900 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-227B-4 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | IXYS |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 25 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 100 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 38 ns |
| Series： | IXFN160N30 |
| Factory Pack Quantity： | 10 |
| Tradename： | GigaMOS |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 105 ns |
| Unit Weight： | 38 g |
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