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Image: IXTT440N055T2 IXTT440N055T2 IXYS 半导体 分离式半导体 mosfet N-channel trench gate trenchT2 mosfet
Image: IXFZ520N075T2 IXFZ520N075T2 IXYS 半导体 分离式半导体 mosfet trencht2 hiperfets gate trencht2 mosfet
Image: IFCM20T65GD IFCM20T65GD Infineon Technologies 电源 AC DC 可配置电源模块 cipos™mini 650 V，20 A两相trenchstop™ igbt 基于 智能电源模块 采用dip 36x21d封装，提供功能齐全的交错式功率因数校正（pfc）输入功率级。基于dcb基板具有出色的导热性和电绝缘性，非常适合家用电器和工业驱动器。 功能概要 基于trenchstop™igbt pfc额定电流为20 A 坚固的soi栅极驱动器技术 过电流关断 保护期间2个开关全部关闭 所有通道均欠压锁定 交叉传导预防 内置温度监控 电机额定功率在10 khz时高达3600 W UL认证 好处 功能齐全的交错式pfc ipm 高达60 khz的高pfc开关可减小电感器尺寸 dcb基板具有出色的热性能 与cipos™mini逆变器ipm一起轻松安装散热器
Image: IFCM20U65GD IFCM20U65GD Infineon Technologies 电源 AC DC 可配置电源模块 cipos™mini 650 V，20 A三相trenchstop™ igbt 基于 智能电源模块 采用dip 36x21d封装，提供功能齐全的交错式功率因数校正（pfc）输入功率级。基于dcb基板具有出色的导热性和电绝缘性，非常适合家用电器和工业驱动器。 功能概要 基于trenchstop™igbt pfc额定电流为20 A 坚固的soi栅极驱动器技术 过电流关断 保护期间3个开关全部关闭 所有通道均欠压锁定 交叉传导预防 内置温度监控 电机额定功率在10 khz时高达4400 W UL认证 好处 功能齐全的交错式pfc ipm 高达60 khz的高pfc开关可减小电感器尺寸 dcb基板具有出色的热性能 与cipos™mini逆变器ipm一起轻松安装散热器
Image: IFCM30T65GD IFCM30T65GD Infineon Technologies 电源 AC DC 可配置电源模块 cipos™mini 650 V，30 A两相trenchstop™ igbt 基于 智能电源模块 采用dip 36x21d封装，提供功能齐全的交错式功率因数校正（pfc）输入功率级。基于dcb基板具有出色的导热性和电绝缘性，非常适合家用电器和工业驱动器。 功能概要 基于trenchstop™igbt pfc额定电流30 A 坚固的soi栅极驱动器技术 过电流关断 保护期间2个开关全部关闭 所有通道均欠压锁定 交叉传导预防 内置温度监控 电机额定功率在10 khz时高达5400 W UL认证 好处 功能齐全的交错式pfc ipm 高达60 khz的高pfc开关可减小电感器尺寸 dcb基板具有出色的热性能 与cipos™mini逆变器ipm一起轻松安装散热器
Image: IFCM30U65GD IFCM30U65GD Infineon Technologies 电源 AC DC 可配置电源模块 cipos™mini 650 V，30 A三相trenchstop™ igbt 基于 智能电源模块 采用dip 36x21d封装，提供功能齐全的交错式功率因数校正（pfc）输入功率级。基于dcb基板具有出色的导热性和电绝缘性，非常适合家用电器和工业驱动器。 功能概要 基于trenchstop™igbt pfc额定电流30 A 坚固的soi栅极驱动器技术 过电流关断 保护期间3个开关全部关闭 所有通道均欠压锁定 交叉传导预防 内置温度监控 电机额定功率在10 khz时高达6400 W UL认证 好处 功能齐全的交错式pfc ipm 高达60 khz的高pfc开关可减小电感器尺寸 dcb基板具有出色的热性能 与cipos™mini逆变器ipm一起轻松安装散热器
Image: IFCM10P60GD IFCM10P60GD Infineon Technologies 电源 AC DC 可配置电源模块 cipos ™ mini 600 V，10 A三相trenchstop™ igbt 基于 智能电源模块 pfc开关针对40 khz进行了优化。它在一个带有dcb基板的dip 36x21d封装中集成了单升压功率因数校正（pfc）级和逆变器级，从而为家用电器和工业驱动器提供了出色的导热和电气隔离。 功能概要 单个封装的单升压pfc和三相逆变器 基于trenchstop™igbt 逆变器额定电流10 A pfc开关优化为40 khz 坚固的soi栅极驱动器技术 集成的引导程序功能 过电流关断 保护期间6个开关全部关闭 所有通道均欠压锁定 交叉传导预防 内置温度监控 电机额定功率在10 khz时高达1200 W UL认证 好处 减少pcb面积 由于更少的bom数量，简化了制造过程并降低了总装配成本 dcb基板具有出色的热性能
Image: IFCM10S60GD IFCM10S60GD Infineon Technologies 电源 AC DC 可配置电源模块 cipos™mini 600 V，10 A三相trenchstop™ igbt 基于 智能电源模块 pfc开关针对20 khz进行了优化。它在一个带有dcb基板的dip 36x21d封装中集成了单升压功率因数校正（pfc）级和逆变器级，从而为家用电器和工业驱动器提供了出色的导热和电气隔离。 功能概要 单个封装的单升压pfc和三相逆变器 基于trenchstop™igbt 逆变器额定电流10 A pfc开关优化为20 khz 坚固的soi栅极驱动器技术 集成的引导程序功能 过电流关断 保护期间6个开关全部关闭 所有通道均欠压锁定 交叉传导预防 内置温度监控 电机额定功率在10 khz时高达1200 W UL认证 好处 减少pcb面积 由于更少的bom数量，简化了制造过程并降低了总装配成本 dcb基板具有出色的热性能
Image: IFCM15P60GD IFCM15P60GD Infineon Technologies 电源 AC DC 可配置电源模块 cipos™mini 600 V，15 A三相trenchstop™ igbt 基于 智能电源模块 pfc开关针对40 khz进行了优化。它在一个带有dcb基板的dip 36x21d封装中集成了单升压功率因数校正（pfc）级和逆变器级，从而为家用电器和工业驱动器提供了出色的导热和电气隔离。 功能概要 单个封装的单升压pfc和三相逆变器 基于trenchstop™igbt 逆变器额定电流15 A pfc开关优化为40 khz 坚固的soi栅极驱动器技术 集成的引导程序功能 过电流关断 保护期间6个开关全部关闭 所有通道均欠压锁定 交叉传导预防 内置温度监控 电机额定功率在10 khz时高达1800 W UL认证 好处 减少pcb面积 由于更少的bom数量，简化了制造过程并降低了总装配成本 dcb基板具有出色的热性能
Image: IFCM15S60GD IFCM15S60GD Infineon Technologies 电源 AC DC 可配置电源模块 cipos™mini 600 V，15 A三相trenchstop™ igbt 基于 智能电源模块 pfc开关针对20 khz进行了优化。它在一个带有dcb基板的dip 36x21d封装中集成了单升压功率因数校正（pfc）级和逆变器级，从而为家用电器和工业驱动器提供了出色的导热和电气隔离。 功能概要 单个封装的单升压pfc和三相逆变器 基于trenchstop™igbt 逆变器额定电流15 A pfc开关优化为20 khz 坚固的soi栅极驱动器技术 集成的引导程序功能 过电流关断 保护期间6个开关全部关闭 所有通道均欠压锁定 交叉传导预防 内置温度监控 电机额定功率在10 khz时高达1800 W UL认证 好处 减少pcb面积 由于更少的bom数量，简化了制造过程并降低了总装配成本 dcb基板具有出色的热性能
Image: EVAL-FFXMR12KM1DR EVAL-FFXMR12KM1DR Infineon Technologies 无源元器件 RF 评估和开发套件，板 特征描述 采用coolsic™trench mosfet技术的62mm模块半桥驱动器 电气和机械均适合采用coolsic™trench mosfet技术的600 V 62 mm模块 负电压调节范围为-5 V至0 V 正电压调节，可实现高开关频率 适当的pcb设计以限制操作期间的pcb发热 优势 适应的栅源电压（vgs = -5…0 V / + 15…+18 V） 电路板的热设计针对高开关频率进行了优化 即插即用，可立即使用的主板解决方案进行设备测试
Image: BUK7109-75AIE,118 BUK7109-75AIE,118 NXP Semiconductors 半导体 分离式半导体 mosfet trenchplus mosfet
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Image: IXTR140P10T IXTR140P10T IXYS 半导体 分离式半导体 mosfet trenchp channel power mosfets
Image: IXTN120P20T IXTN120P20T IXYS 半导体 分离式半导体 mosfet trenchp power mosfet
Image: IXTT68P20T IXTT68P20T IXYS 半导体 分离式半导体 mosfet trenchp power mosfet
Image: IXTH68P20T IXTH68P20T IXYS 半导体 分离式半导体 mosfet trenchp power mosfet

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