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GA08JT17-247的详细信息
| Manufacturer： | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 1.7 kV |
| Id - Continuous Drain Current： | 4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 500 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation： | 91 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-247-3 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | GeneSiC Semiconductor |
| Fall Time： | 50 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 28 ns |
| Series： | GA08JT17 |
| Factory Pack Quantity： | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 73 ns |
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