Fairchild Semiconductor 
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FQN1N60CTA的详细信息
| Manufacturer： | Fairchild Semiconductor |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 300 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 9.3 Ohms |
| Configuration： | Single |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 1 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-92-3 |
| Packaging： | Ammo Pack |
| Brand： | Fairchild Semiconductor |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 27 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 0.75 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 21 ns |
| Series： | FQN1N60C |
| Factory Pack Quantity： | 2000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 13 ns |
| Unit Weight： | 240 mg |
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