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Infineon Technologies 
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BSS670S2LH6327XT的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 55 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 540 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 650 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Qg - Gate Charge： | 2.26 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 360 mW |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-23-3 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Fall Time： | 32 nS |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 37 ns |
| Series： | BSS670S2 |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 21 ns |
| Part # Aliases： | BSS670S2LH6327XTSA1 SP000928950 |
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